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1. 发明申请

WO2011141383A1 KORROSIONSBESTÄNDIGE SILBER - REFLEKTORSCHICHT FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT, ENTSPRECHENDES BAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：耐腐蚀银 - 反射涂层用于光电子组件对应的组件和方法
公开(公告)号：WO2011141383A1
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：PCT/EP2011/057328
申请日：2011-05-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GMEINWIESER, Nikolaus , BRÜNINGHOFF, Stefanie , GALESIC, Ivan , ENGL, Karl , MAUTE, Markus
发明人： GMEINWIESER, Nikolaus , BRÜNINGHOFF, Stefanie , GALESIC, Ivan , ENGL, Karl , MAUTE, Markus
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L33/46
CPC分类号： H01L31/0216 , H01L33/46 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： Ein Träger für ein optoelektronisches Bauelement (5) wird angegeben, der auf einem Trägerelement (1) zumindest eine Spiegelschicht (2) und ein funktionelles Material (3) aufweist, wobei die Spiegelschicht (2) Silber enthält, das funktionelle Material (3) in direktem Kontakt mit dem Silber steht, so dass das funktionelle Material (3) eine Verminderung der Korrosion der Spiegelschicht (2) bewirkt. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement und eine optoelektronische Vorrichtung mit einem Träger angegeben.
摘要翻译：一种用于光电子器件（5）支撑件设置，支撑元件（1）上具有至少一个反射镜层（2）和一个功能性材料（3），其特征在于，（2）反射镜层包含银，所述功能性材料（3）在与银的直接接触是这样的功能性材料（3）使在反射层（2）的腐蚀的降低。此外，制造载体用于光电装置和一个光电器件的方法都标有一个载体。

2. 发明申请

WO2011107344A1 LEUCHTDIODENCHIP 审中-公开
标题翻译： LEDS CHIP
公开(公告)号：WO2011107344A1
公开(公告)日：2011-09-09
申请号：PCT/EP2011/052233
申请日：2011-02-15
申请人： OSRAM Opto Semiconductors GmbH , MAUTE, Markus , ENGL, Karl , BRÜNINGHOFF, Stefanie , GMEINWIESER, Nikolaus , EIBL, Johann
发明人： MAUTE, Markus , ENGL, Karl , BRÜNINGHOFF, Stefanie , GMEINWIESER, Nikolaus , EIBL, Johann
IPC分类号： H01L33/40 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Eine funktionelle Schicht (6) zur Verminderung der Korrosion und/oder Verbesserung der Haftung der Spiegelschicht (5) ist auf der Spiegelschicht (5) angeordnet, wobei ein Material, aus dem die funktionelle Schicht (6) gebildet ist, in der gesamten Spiegelschicht (5) verteilt ist. Das Material der funktionellen Schicht (6) weist in der Spiegelschicht (5) einen Konzentrationsgradienten auf, wobei die Konzentration des Materials der funktionellen Schicht (6) in der Spiegelschicht (5) ausgehend von der funktionellen Schicht (6) in Richtung zur Halbleiterschichtenfolge (2) hin abnimmt.
摘要翻译：它是一种具有（2）所示的半导体层序列，其具有适合于产生电磁辐射活性层（3）发光二极管芯片，其特征在于，上辐射出射表面的前侧上的LED芯片（1）（4）。的发光二极管芯片（1）具有在至少的区域中的辐射出射表面（4）相对的后侧中的一个，反射镜层（5）含有银。用于减小反射镜层中的腐蚀和/或改善的（5）被布置在反射层（5）上，的粘附性的功能层（6），其特征在于其中的形成所述功能层（6）的材料（在整个镜面层 5）是分布式的。镜中的层（5）（6）的功能层的材料具有浓度梯度，其中，所述功能层（6）的材料在反射镜层中的浓度（5），从功能层开始（6）（在所述半导体层序列2的方向）向下降。

3. 发明申请

WO2010072187A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
公开(公告)号：WO2010072187A3
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/DE2009/001550
申请日：2009-11-02
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GMEINWIESER, Nikolaus , SABATHIL, Matthias , LEBER, Andreas
发明人： GMEINWIESER, Nikolaus , SABATHIL, Matthias , LEBER, Andreas
IPC分类号： H01L33/22
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (3), die zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist. Weiterhin weist der optoelektronische Halbleiterchip (1) Auskoppelstrukturen (4) auf, die mindestens mittelbar auf einer Strahlungsdurchtrittsfläche (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) angebracht sind. Ein Material der Auskoppelstrukturen (4) ist hierbei von einem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden. Die Brechungsindices der Materialien der Auskoppelstrukturen (4) und der Halbleiterschichtenfolge (2) weichen um höchstens 30 % voneinander ab. Des Weiteren weisen Facetten (40) der Auskoppelstrukturen (4) eine Gesamtfläche auf, die mindestens 30 % eines Flächeninhalts der Strahlungsdurchtrittsfläche (20) beträgt.

4. 发明申请

WO2011085895A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011085895A1
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：PCT/EP2010/069776
申请日：2010-12-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GMEINWIESER, Nikolaus , SABATHIL, Matthias , LEBER, Andreas
发明人： GMEINWIESER, Nikolaus , SABATHIL, Matthias , LEBER, Andreas
IPC分类号： H01L33/42 , H01L33/38 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/02 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) beinhaltet dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3). Weiterhin umfasst der Halbleiterchip (1) eine Lichtauskoppelschicht (4), die mindestens mittelbar auf einer Strahlungsdurchtrittsfläche (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht ist. Ein Material der Lichtauskoppelschicht (4) ist von einem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden und Brechungsindices der Materialien der Lichtauskoppelschicht (4) und der Halbleiterschichtenfolge (2) unterscheiden sich um höchstens 20 % voneinander. Durch Ausnehmungen (44) in der Lichtauskoppelschicht (4) sind Facetten (40) gebildet, wobei die Ausnehmungen (44) die Lichtauskoppelschicht (4) nicht vollständig durchdringen. Außerdem weisen die Facetten (40) eine Gesamtfläche auf, die mindestens 25 % eines Flächeninhalts der Strahlungsdurchtrittsfläche (20) entspricht.
摘要翻译：在半导体层中的序列（2）的光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例包括具有有源层（3）。此外，半导体芯片（1）包括光提取层（4），其被施加至少间接地在所述半导体层序列（2）的辐射穿透面（20）。光提取层（4）的材料是半导体层序列（2）和光提取层（4）和所述半导体层序列（2）相差超过20％彼此的材料的折射率不同的材料制成。由（4）面（40）形成在所述光提取层的凹部（44），其特征在于，所述凹部（44）不完全穿透所述光提取层（4）。此外，小面（40）具有其是辐射穿透面（20）的表面积的至少25％的总面积。

5. 发明申请

WO2011080144A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERWENDUNG EINER AUF ALGAN BASIERENDEN ZWISCHENSCHICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2011080144A3
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/EP2010/070274
申请日：2010-12-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , GMEINWIESER, Nikolaus , TAKI, Tetsuya , LUGAUER, Hans-Jürgen , WALTER, Alexander
发明人： PETER, Matthias , MEYER, Tobias , GMEINWIESER, Nikolaus , TAKI, Tetsuya , LUGAUER, Hans-Jürgen , WALTER, Alexander
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/22 , H01L33/16 , H01L33/12
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (100) umfasst dieser eine auf GaN, InGaN, AlGaN und/oder InAlGaN basierende Halbleiterschichtenfolge (1). Die Halbleiterschichtenfolge (1) beinhaltet eine p-dotierte Schichtenfolge (2), eine n-dotierte Schichtenfolge (4) und eine aktive Zone (3), die sich zwischen der p-dotierten (2) und der n-dotierten Schichtenfolge (4) befindet. Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) zumindest eine auf Al x Ga 1-x N basierende Zwischenschicht (5), wobei 0

6. 发明申请

WO2011104097A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER MEHRZAHL VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：方法制造光电子半导体芯片的多个
公开(公告)号：WO2011104097A1
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/EP2011/051574
申请日：2011-02-03
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , GMEINWIESER, Nikolaus
发明人： GÜNTHER, Ewald, Karl, Michael , KÄMPF, Mathias , DENNEMARCK, Jens , GMEINWIESER, Nikolaus
IPC分类号： B28D5/00 , H01L27/15
CPC分类号： H01L27/153 , B28D5/0011 , H01L21/78
摘要： Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips angegeben, das zumindest die folgenden Verfahrensschritte umfasst: a) Bereitstellen einer Trägerscheibe (1), welche eine erste (11) und eine der ersten Oberfläche (11) gegenüberliegende zweite Oberfläche (12) aufweist, wobei auf der ersten Oberfläche (11) eine Mehrzahl von einzelnen, in einer lateralen Richtung zueinander beabstandeten Bauelementschichtenfolgen (2) aufgebracht ist, die jeweils durch Trenngräben (3) voneinander getrennt sind; b) Einbringen von zumindest einer Kristallstörung (4) in zumindest einem Bereich (41) der Trägerscheibe (1), der in einer vertikalen Richtung zumindest teilweise mit einem Trenngraben (3) überlappt; c) Vereinzeln der Trägerscheibe (1) entlang der zumindest einen Kristallstörung (4) in einzelne Halbleiterchips (1000).
摘要翻译：（1）具有（第一（11）和所述第一表面的一个11）相对的第二表面（12）a）提供承载晶片：它是由光电子半导体芯片，产生多个的方法，其包括至少下面的处理步骤中指定其中，所述第一表面（11）上施加多个单独的，相互在横向方向上组件层间隔开的序列（2）中，通过分离的沟槽（3）彼此分开; b）将至少一个晶体故障（4）（在承载盘（1），其至少部分地在垂直方向上与分离槽（3）重叠的至少一个区域41）; c）分离沿所述至少一个晶体故障（4）承载盘（1）（在单独的半导体芯片1000）。

7. 发明申请

WO2010136251A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片及其制造方法光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2010136251A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：PCT/EP2010/054662
申请日：2010-04-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GMEINWIESER, Nikolaus , HAHN, Berthold
发明人： GMEINWIESER, Nikolaus , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/50
CPC分类号： H01L33/508 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/504
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet mindestens eine aktive Schicht (3) zur Erzeugung einer Primärstrahlung (P). Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Mehrzahl von Konversionsschichten (4), wobei die Konversionsschichten (4) dazu eingerichtet sind, die Primärstrahlung (P) wenigstens teilweise zu absorbieren und in eine gegenüber der Primärstrahlung (P) längerwellige Sekundärstrahlung (S) umzuwandeln. Weiterhin weist die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Aufrauung (5) auf, die mindestens stellenweise bis in die Konversionsschichten (4) reicht.
摘要翻译：在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施例，其包括半导体层序列（2）。半导体层序列（2）含有用于产生初级辐射（P）的至少一个有源层（3）。此外，半导体层序列（2）包括多个转换层（4），所述转换层（4）适合于初级辐射（P）以吸收至少部分的，并且在相对于初级辐射（P）的二次辐射（S）转换更长的波长。此外，在粗糙化（5），其至少局部地延伸到半导体层序列（2），所述转换层（4）。

8. 发明申请

WO2009094980A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法的光电子器件
公开(公告)号：WO2009094980A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/DE2009/000056
申请日：2009-01-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GMEINWIESER, Nikolaus , HAHN, Berthold
发明人： GMEINWIESER, Nikolaus , HAHN, Berthold
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/405 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement (100) umfasst einen ersten Halbleiterschichtenstapel (101), der eine zur Emission von Strahlung eingerichtete aktive Schicht (110) und eine Hauptfläche (111) aufweist. Auf dieser Hauptfläche ist eine Trennschicht (103) angeordnet, die einen halbdurchlässigen Spiegel bildet. Das optoelektronische Bauelement umfasst einen Zweiten Halbleiterschichtenstapel (102), der an der Trennschicht angeordnet ist und der eine weitere zur Emission von Strahlung eingerichtete aktive Schicht (120) aufweist.
摘要翻译：光电子器件（100），包括具有被设置成发射辐射有源层（110）和主表面（111）的第一半导体层堆叠（101）。在该主表面上的隔离层（103）被布置，其形成半透明反射镜。光电子器件包括第二半导体层堆叠（102），其被布置在释放层上与所述有源层具有进一步设置用于辐射（120）的发射。

9. 发明申请

WO2019179834A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT MIT REFLEKTIVER VERGUSSMASSE UND DESSEN HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
公开(公告)号：WO2019179834A1
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：PCT/EP2019/056219
申请日：2019-03-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GMEINWIESER, Nikolaus
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/54 , H01L33/00 , H01L33/56 , H01L33/50 , H01L33/48
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (100), der jeweils eine erste und eine zweite gegenüberliegende Seitenfläche (130, 140) sowie eine dritte und vierte Seitenfläche (145, 150), die die erste und die zweite Seitenfläche (130, 140) schneiden, und eine erste Hauptoberfläche (110) aufweist, an der mindestens eine Anschlussfläche (115) angeordnet ist. Das optoelektronische Bauelement (10) umfasst weiterhin eine erste Vergussmasse (210, 220), die an die erste Seitenfläche (130) angrenzt, und eine reflektive Vergussmasse (215, 217), die an die zweite Seitenfläche (140) angrenzt.

10. 发明申请

WO2017046316A1 VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINES ODER MEHRERER DREIDIMENSIONALER OBJEKTE 审中-公开
标题翻译：方法为一个训练或多个三维物体
公开(公告)号：WO2017046316A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：PCT/EP2016/071949
申请日：2016-09-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： GMEINWIESER, Nikolaus
IPC分类号： H01L33/58 , B29C67/00
CPC分类号： H01L33/58 , B29C64/135 , B33Y80/00 , H01L2933/0033 , H01L2933/0058
摘要： VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINES ODER MEHRERER DREIDIMENSIONALER OBJEKTE Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden eines oder mehrerer dreidimensionaler Objekte für eine einen Träger (103) mit einem optoelektronischen Halbleiterbauteil (107) umfassende optoelektronische Leuchtvorrichtung (101), umfassend die folgenden Schritte: - Bereitstellen eines Trägers (103) einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung (101), wobei auf dem Träger (103) ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (107) angeordnet ist, wobei ein vom Träger (103) teilweise begrenzter Aufbaubereich festgelegt ist, dem das optoelektronische Halbleiterbauteil (107) zugewandt ist, - Einbringen einer polymerisierbaren Flüssigkeit in den Aufbaubereich, - Belichten des Aufbaubereichs, um ein oder mehrere Festkörperpolymere aus der polymerisierbaren Flüssigkeit in einer vom Aufbaubereich umfassten Aushärtezone auszubilden, um ein oder mehrere dreidimensionale Objekte aus dem oder den mehreren Festkörperpolymeren in der Aushärtezone auszubilden, - wobei während des Belichtens des Aufbaubereichs ein unwirksamer Bereich gebildet wird, in welchem eine Polymerisation inhibiert wird, wobei die Aushärtezone zwischen dem Träger (103) und dem unwirksamen Bereich angeordnet ist. Die Erfindung betrifft ferner eine optoelektronische Leuchtvorrichtung (101).
摘要翻译：的一个或多个三维成形的方法，目的，本发明涉及一种用于形成一个或多个三维物体为一个支撑（103）与光电子半导体器件（107），包括：光电发光装置（101），包括以下步骤： - 提供支撑（103）的光电子的发光装置（101），其中，所述载体（103），光电子半导体器件（107）上被布置，其中，从所述载体（103）被部分地限定建筑面积被定义，所述光电子半导体器件（107）面， - 引入聚合性液体进入建筑面积， - 将所述结构暴露区域，以形成可聚合液体的一种或多种固体的聚合物在由建筑面积从所述一种或多种固体的聚合物设定区的一个或多个三维物体包括我 n至所形成的固化区， - 其中，所述积层部，其中，所述设置区域被布置在所述载体（103）和非有效区域之间的曝光期间形成，其中聚合反应被抑制无效区域。本发明还涉及一种光电发光装置（101）。

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