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1. 发明申请

WO2012084451A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2012084451A1
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/EP2011/071534
申请日：2011-12-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÄRTNER, Christian , MARKYTAN, Ales , SCHNEIDER, Albert , KAISER, Stephan
发明人： GÄRTNER, Christian , MARKYTAN, Ales , SCHNEIDER, Albert , KAISER, Stephan
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/48
CPC分类号： H01L33/08 , H01L25/0753 , H01L27/3211 , H01L33/50 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterbauteils (10) umfasst dieses eine erste Lichtquelle (1), die weiß-grünes Licht emittiert. Die erste Lichtquelle (I) weist einen im blauen Spektralbereich emittierenden Halbleiterchip (4) auf, auf dem ein erstes Konversionselement (II) angebracht ist. Ferner beinhaltet das Halbleiterbauteil (10) eine zweite, im roten Spektralbereich emittierende Lichtquelle (2). Die zweite Lichtquelle (2) umfasst einen im blauen Spektralbereich emittierenden Halbleiterchip (4), dem ein zweites Konversionselement (22) nachgeordnet ist, oder es umfasst die zweite Lichtquelle (2) einen unmittelbar im roten Spektralbereich emittierenden Halbleiterchip (5). Ferner weist das Halbleiterbauteil (10) eine dritte, blaues Licht emittierende Lichtquelle (3) mit einem im blauen Spektralbereich emittierenden Halbleiterchip (4) auf. Ein Vergusskörper (6) des Halbleiterbauteils (10) umfasst ein Matrixmaterial, in das ein Konversionsmittel eingebettet ist. Der Vergusskörper (6) ist den Lichtquellen (1, 2, 3) gemeinsam nachgeordnet.
摘要翻译：在光电子半导体器件的至少一个公开的实施例（10）发出白色 - 绿光的这一点，第一光源（1）。第一光源（I）具有在蓝色光谱半导体芯片（4）在其上的第一转换元件（II）附着发光。此外，半导体器件（10）包括第二，发射在红色光谱光源（2）。第二光源（2）包括在蓝色光谱半导体芯片（4）其中，第二转换元件（22）被布置在下游的发射或包括所述第二光源（2）直接在红色光谱半导体芯片（5）的发光。另外，在第三，蓝色发光的光具有在蓝色光谱半导体芯片的发射源（3）的半导体器件（10）（4）。半导体元件（10）的铸体（6）包括到其中的转换剂是嵌入在基质材料中。浇注体（6），该光源（1，2，3）的下游在一起。

2. 发明申请

WO2012159906A1 BELEUCHTUNGSEINRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：照明设备
公开(公告)号：WO2012159906A1
公开(公告)日：2012-11-29
申请号：PCT/EP2012/058827
申请日：2012-05-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , MARKYTAN, Ales , GÄRTNER, Christian , VARGA, Horst
发明人： MARKYTAN, Ales , GÄRTNER, Christian , VARGA, Horst
IPC分类号： F21V23/04 , F21Y105/00 , F21Y113/00 , F21V23/00 , F21Y101/02
CPC分类号： F21V23/00 , F21K9/60 , F21V23/003 , F21V23/0457 , F21Y2101/00 , F21Y2105/10 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10
摘要： Es wird eine Beleuchtungseinrichtung angegeben mit einem Träger (10) mit einer Montagefläche (10a), einer Vielzahl von Leuchtdioden (1r, 1b, 1g), wobei zumindest zwei der Leuchtdioden (1r, 1b, 1g) geeignet sind, im Betrieb Licht voneinander unterschiedlicher Farbe zu emittieren, zumindest einem Farbsensor (2), der im Betrieb das Licht zumindest einer der Vielzahl von Leuchtdioden (1r, 1b, 1g) detektiert, zumindest einer Lichtmessfläche (3), die vom Licht zumindest einer der Vielzahl von Leuchtdioden (1r, 1b, 1g) beleuchtet wird und zumindest einen Teil dieses Lichts reflektiert und/oder streut, wobei die Vielzahl von Leuchtdioden (1r, 1b, 1g) und der zumindest eine Farbsensor (2) auf der Montagefläche (10a) angeordnet sind, die zumindest eine Lichtmessfläche (3) entfernt vom Träger (10) angeordnet ist, und der zumindest eine Farbsensor (2) größtenteils von der zumindest einen Lichtmessfläche (3) reflektiertes Licht zumindest einer der Vielzahl von Leuchtdioden (1r, 1b, 1g) detektiert.
摘要翻译：它是设置有具有安装面（10a）的一个载体（10）的照明装置中，多个不同的发光二极管（1R，1B，1G），其中至少两个发光二极管的（1R，1B，1G）适于彼此在操作中，光以发射颜色，至少一个颜色传感器（2），其在操作中，光的多个发光二极管中的至少一个（1R，1B，1G）检测到至少一个光测量区域（3）（从光的至少所述多个LED 1R之一，参照图1B，1G）被照射并反射该光的至少一部分和/或散射，其中所述多个发光二极管（1R，1B，1G和布置）的至少一个颜色传感器（2）在安装表面上（10A），所述至少一个从所述支撑件（10）的光测量面（3）被布置，并且所述至少一个颜色传感器（2）主要是由所述至少一个光测量区域（3）的光的多个发光二极管中的至少一个（1R，1B，1G）DET反射学分。

3. 发明申请

WO2012156217A1 MISCHLICHTQUELLE 审中-公开
标题翻译：混合光源
公开(公告)号：WO2012156217A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/EP2012/058302
申请日：2012-05-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KUHN, Gerhard , MARKYTAN, Ales , GÄRTNER, Christian , SCHEUBECK, Manfred , VARGA, Horst
发明人： KUHN, Gerhard , MARKYTAN, Ales , GÄRTNER, Christian , SCHEUBECK, Manfred , VARGA, Horst
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/64
CPC分类号： F21K9/50 , F21K9/60 , H01L24/32 , H01L25/0753 , H01L33/641 , H01L33/645 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine Mischlichtquelle (1) mit einem ersten Halbleiterbauelement (21), das für die Erzeugung eines ersten Strahlungsanteils vorgesehen ist, und mit einem zweiten Halbleiterbauelement (22), das für die Erzeugung von Strahlung eines vom ersten Strahlungsanteil verschiedenen zweiten Strahlungsanteils vorgesehen ist, angegeben, wobei - das erste Halbleiterbauelement mittels einer ersten Befestigungsstelle (61) an einem ersten Kühlkörper mit einem ersten Wärmewiderstand R1 befestigt ist; - das zweite Halbleiterbauelement mittels einer zweiten Befestigungsstelle (62) an einem zweiten Kühlkörper mit einem zweiten Wärmewiderstand R2 befestigt ist; und - die Wärmewiderstände R1 und R2 voneinander verschieden sind.
摘要翻译：它是具有被设置用于生成第一辐射元件的第一半导体器件（21）的混合光源（1），和一个第二半导体器件（22）被设置用于从所述第一辐射元件的第二辐射元件产生不同的辐射，指定，其特征在于， - 所述第一半导体器件是通过在具有第一热电阻R1的第一散热器的第一连接点（61）被固定; - 第二半导体器件是通过在具有第二热电阻R2的第二散热器的第二固定点（62）被固定; 和 - 所述热电阻R1和R2是彼此不同的。

4. 发明申请

WO2012120084A1 LICHT EMITTIERENDE VORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：发光器件
公开(公告)号：WO2012120084A1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：PCT/EP2012/054019
申请日：2012-03-08
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÄRTNER, Christian , MARKYTAN, Ales , MARFELD, Jan
发明人： GÄRTNER, Christian , MARKYTAN, Ales , MARFELD, Jan
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/50 , F21Y113/00
CPC分类号： H01L33/50 , F21Y2113/13 , F21Y2113/17 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L33/0095 , H01L33/504 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine licht emittierende Vorrichtung mit zumindest einem ersten Licht emittierenden Halbleiterbauelement (1), das im Betrieb rotes Licht abstrahlt, zumindest einem zweiten Licht emittierenden Halbleiterbauelement (2) mit einem Wellenlängenkonversionselement und zumindest einem dritten Licht emittierenden Halbleiterbauelement (3) mit einen Wellenlängenkonversionselement angegeben, wobei das zweite und dritte Licht emittierende Halbleiterbauelement (2, 3) jeweils blaues Primärlicht und konvertiertes Sekundärlicht abstrahlen und die jeweilige Überlagerung des Primär- und Sekundärlichts des zweiten und dritten Licht emittierenden Halbleiterbauelements (2, 3) unterschiedliche Farbortkoordinaten aufweist.
摘要翻译：它是在操作期间发出红色光的至少一个第一发光半导体器件（1），与波长转换元件和至少一个第三发光半导体装置（3）设置有波长转换元件的至少一个第二发光半导体装置（2）与发光元件其中，所述第二和第三发光半导体装置（2，3）每个发出蓝色的一次光并转换的二次光，并且第二和第三发光半导体装置（2，3）具有不同的颜色坐标的初级和次级光的各叠加。

5. 发明申请

WO2011131446A1 FLÄCHENLICHTLEITER UND FLÄCHENSTRAHLER 审中-公开
标题翻译： AREA光纤和区域聚光灯
公开(公告)号：WO2011131446A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：PCT/EP2011/054454
申请日：2011-03-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRICK, Peter , KAISER, Stephan , KUHN, Gerhard , MARKYTAN, Ales , MUSCHAWECK, Julius , NEUGIRG, Christian
发明人： BRICK, Peter , KAISER, Stephan , KUHN, Gerhard , MARKYTAN, Ales , MUSCHAWECK, Julius , NEUGIRG, Christian
IPC分类号： G02B6/00
CPC分类号： G02B6/0016 , G02B6/0035 , G02B6/0041 , G02B6/0068 , G02B6/0073 , G02B6/0076
摘要： Es wird ein Flächenlichtleiter (1) angegeben, der eine entlang einer Haupterstreckungsebene des Flächenlichtleiters (1) verlaufende Strahlungsaustrittsfläche (10) aufweist und für eine seitliche Einkopplung von Strahlung vorgesehen ist, wobei - der Flächenlichtleiter (1) Streustellen (4) zur Streuung der eingekoppelten Strahlung aufweist; - der Flächenlichtleiter (1) eine erste Grenzfläche (15) und eine zweite Grenzfläche (16) aufweist, die eine Lichtleitung der eingekoppelten Strahlung in vertikaler Richtung begrenzen; und - zwischen der ersten Grenzfläche (31) und der zweiten Grenzfläche (32) in vertikaler Richtung eine erste Lage (11) und eine zweite Lage (12) aufeinander ausgebildet sind. Weiterhin wird ein Flächenstrahler (100) mit zumindest einem Flächenlichtleiter (1) angegeben.
摘要翻译：本发明提供一种平面光导体（1），其具有延伸的一个沿着引导面的光的主延伸平面（1）辐射出射表面（10）和被设置用于辐射的侧向联接器，其中 - 所述表面光导体（1）的散射位点的耦合的散射（4）具有辐射; - 表面光导（1）具有第一边界表面（15）并限定在垂直方向上注入的辐射的光线的第二接口（16）; 以及 - 第一接口（31）和在垂直方向上的第二接口（32）之间，依次形成的第一层（11）和第二层（12）。此外，表面发射体（100）与所述光导（1）的至少一个表面被指定。

6. 发明申请

WO2012130759A1 ANORDNUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTES UND EINER LICHTLEITERSCHICHT 审中-公开
标题翻译：阶的发光半导体元器件和光纤层的
公开(公告)号：WO2012130759A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/EP2012/055214
申请日：2012-03-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LUCKNER, Hagen , MARKYTAN, Ales , GÄRTNER, Christian
发明人： LUCKNER, Hagen , MARKYTAN, Ales , GÄRTNER, Christian
IPC分类号： F21V8/00 , B60Q1/26
CPC分类号： G02B6/0093 , B60Q1/26 , B60Q1/2665 , B60Q1/268 , B60Q1/302 , B60R1/1207
摘要： Das lichtemittierende Halbleiterbauelement (1) und die Lichtleiterschicht (2) sind derart zueinander angeordnet, dass von dem Halbleiterbauelement emittiertes Licht in die Lichtleiterschicht eingekoppelt wird. Die Lichtleiterschicht weist ein von Glas verschiedenes optisch transparentes Material auf, und das lichtemittierende Halbleiterbauelement ist an einer Kante (6) der Lichtleiterschicht angeordnet.
摘要翻译：发光半导体装置（1）和所述导光层（2）被布置成彼此运动，使得从半导体元件发出的光被耦合到光导层。导光层具有玻璃构成的不同的光学透明材料，并且所述半导体发光元件是在光导层的边缘（6）。

7. 发明申请

WO2011131429A1 FLÄCHENLICHTLEITER, LEUCHTE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES FLÄCHENLICHTLEITERS 审中-公开
标题翻译： AREA导光板，用于生产面积上的光头灯和方法
公开(公告)号：WO2011131429A1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：PCT/EP2011/053992
申请日：2011-03-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BRICK, Peter , HILLER, Uli , KAISER, Stephan , KUHN, Gerhard , MARKYTAN, Ales , MUSCHAWECK, Julius , NEUGIRG, Christian
发明人： BRICK, Peter , HILLER, Uli , KAISER, Stephan , KUHN, Gerhard , MARKYTAN, Ales , MUSCHAWECK, Julius , NEUGIRG, Christian
IPC分类号： F21V8/00 , G02B6/00
CPC分类号： G02B6/006 , G02B6/0041 , G02B6/0065
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Flächenlichtleiters (1) weist dieser zumindest eine als Abstrahlfläche gestaltete Hauptseite (2) sowie mindestens einen ersten Bereich (11) und mindestens einen zweiten Bereich (22) auf. In Draufsicht auf die Hauptseite (1) gesehen sind der erste (11) und der zweite Bereich (22) benachbart angeordnet. Ein mittlerer Lichtauskoppelkoeffizient des zweiten Bereichs (22) ist um mindestens einen Faktor 2 von einem mittleren Lichtauskoppelkoeffizienten des ersten Bereichs (11) verschieden. Für den ersten (11) und den zweiten Bereich (22) beträgt, jeweils in einer Richtung senkrecht zu der Hauptseite (2) gesehen, ein Trübheitswert höchstens 0,15 und ein Transmissionskoeffizient mindestens 0,70.
摘要翻译：在此表面上的光导向装置（1）中的至少一个实施方案中具有至少一个构造为辐射主（2）和至少一个第一区域（11）和至少一个第二区域（22）。第一（11）和在主侧（1）俯视图所见的第二区域（22）相邻布置。 Lichtauskoppelkoeffizient第二区域（22）的介质是通过至少一个从第一区（11）的中间Lichtauskoppelkoeffizienten 2的倍数不同。对于第一个（11）和第二区域（22）在每种情况下在垂直的方向上看到的至多0.15的浊度值和至少0.70的透射系数的主面（2）。

8. 发明申请

WO2013017364A2 OPTOELEKTRONISCHE ANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTOELEKTRONISCHEN ANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：亚光电子设备和方法用于制造光电子安排
公开(公告)号：WO2013017364A2
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：PCT/EP2012/062974
申请日：2012-07-04
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GÄRTNER, Christian , MARKYTAN, Ales
发明人： GÄRTNER, Christian , MARKYTAN, Ales
IPC分类号： H01L33/60 , H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/46 , H01L33/52
CPC分类号： H01L33/52 , H01L25/0753 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L33/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Eine Optoelektronische Anordnung (100) weist einen Träger (102) auf, auf dem ein optoelektronisches Bauelement (104) angeordnet ist. Das optoelektronische Bauelement (104) weist ein Substrat (106) und eine auf dem Substrat (106) angeordnete Licht emittierende Schicht (108) auf. Ein erster, Licht reflektierenden, Verguss (110) bedeckt zumindest bereichsweise den das optoelektronische Bauelement (104) umgebenden Bereich des Trägers (102) und die Seitenflächen (112) des optoelektronischen Bauelements (104).
摘要翻译：的光电子装置（100）包括在其上布置的光电子装置（104）的支撑件（102）。光电子器件（104）包括：基板（106）和上发光层（108）在基板（106）上布置一个。在围绕光电部件（104）的载体（102）和光电部件（104）的侧表面（112）的一部分的区域至少覆盖的第一光反射，封装（110）。

9. 发明申请

WO2012130495A1 OPTISCHES ELEMENT UND STRAHLUNGSEMITTIERENDE VORRICHTUNG MIT EINEM DERARTIGEN OPTISCHEN ELEMENT 审中-公开
标题翻译：光学元件与设备符合这样的光辐射元
公开(公告)号：WO2012130495A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/EP2012/051378
申请日：2012-01-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STREPPEL, Ulrich , MARKYTAN, Ales , GÄRTNER, Christian
发明人： STREPPEL, Ulrich , MARKYTAN, Ales , GÄRTNER, Christian
IPC分类号： F21V5/04 , G02B3/08
CPC分类号： G02B3/0006 , F21V5/002 , F21V5/005 , F21V5/04 , F21V5/045 , F21Y2101/00 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , G02B3/08
摘要： Es wird ein optisches Element (10) mit einem Optikkörper (1) und einer Mehrzahl von Mikrostrukturen (2, 2a) angegeben, wobei der Optikkörper (1) als Halbschale ausgebildet ist und eine Innenfläche (1a) und eine Außenfläche (1b) aufweist. Die Mikrostrukturen (2, 2a) bilden die Innen- und/oder Außenfläche (1a, 1b) des Optikkörpers (1) zumindest stellenweise aus und sind lichtstreuende refraktive Strukturen. Weiter wird eine strahlungsemittierende Vorrichtung mit zumindest einem Halbleiterbauelement (3) und einem derartigen optischen Element (10) angegeben.
摘要翻译：提供了一种具有一个光学体（1）和多个微观结构（2，2a）中，其中，所述光学体（1）被设计成一个外壳和内表面（1a）和具有外表面（1b）中的光学元件（10）。微结构（2，2a）中形成内部和/或外表面（1A，1B）的光学体的（1）至少局部地并且是光散射的折射结构。接着，其包括至少一个半导体部件（3）和这样的光学元件（10）发射辐射的装置被指定。

10. 发明申请

WO2012119812A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2012119812A1
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：PCT/EP2012/051377
申请日：2012-01-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KUHN, Gerhard , MARKYTAN, Ales , GÄRTNER, Christian , STREPPEL, Ulrich
发明人： KUHN, Gerhard , MARKYTAN, Ales , GÄRTNER, Christian , STREPPEL, Ulrich
IPC分类号： H01L33/58 , H01L25/075 , F21V13/10
CPC分类号： H01L33/60 , F21V13/04 , F21Y2113/13 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L33/58 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterbauteils (1) umfasst dieses mindestens zwei optoelektronische Halbleiterchips (2), die sich an einer gemeinsamen Montagefläche (5) befinden. Ein optisches Element (3) ist den Halbleiterchips (2) entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) nachgeordnet und ist von den Halbleiterchips (2) beabstandet. Entlang einer Richtung (L) quer zur Hauptabstrahlrichtung (M) weist das optische Element (3) in einem Übergangsbereich (30) einen Transmissionsgradienten auf. Der Übergangsbereich (30) überdeckt die Halbleiterchips (2), in Draufsicht auf die Montagefläche (5) gesehen, nicht.
摘要翻译：在光电子半导体器件的至少一个实施例中（1），所述至少两个光电子半导体芯片（2），它们位于一共同的安装面（5）。的光学元件（3）沿着主发射方向（M）以及半导体芯片（2）间隔开的设置在半导体芯片（2）的下游。沿一个方向（L）横向于上Transmissionsgradienten主发射方向（M），在过渡区域（30），所述光学元件（3）。所述过渡区域（30）不覆盖所述半导体芯片（2），在所述安装表面（5）的俯视图所示。

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