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2. 发明申请

WO2003019290A2 AN INTEGRATED CIRCUIT USING A REFLECTIVE MASK 审中-公开
标题翻译：使用反射屏蔽的集成电路
公开(公告)号：WO2003019290A2
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：PCT/US2002/024628
申请日：2002-08-02
申请人： MOTOROLA, INC., A CORPORATION OF THE STATE OF DELAWARE
发明人： HAN, Sang-in, , MANGAT, Pawitter, , WASSON, James, R. , HECTOR, Scott, D.
IPC分类号： G03F1/14
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/84
摘要： A desired pattern is formed in a photoresist layer (170, 180) that overlies a semiconductor wafer using a reflective mask. This mask is formed by consecutively depositing a reflective layer (20), an absorber layer (30) and an anti-reflective (ARC) layer (40). The ARC layer (40) is patterned according to the desired pattern. The ARC layer (40) is inspected to find areas in which the desired pattern is not achieved. The ARC layer (40) is then repaired to achieve the desired pattern with the absorber layer (30) protecting the reflective layer (20). The desired pattern is transferred to the absorber layer (30) to reveal the reflective portion of mask. Radiation is reflected off the reflective mask to the semiconductor wafer (160) to expose the photoresist layer (170, 180) overlying the semiconductor wafer (160) with the desired pattern.
摘要翻译：在使用反射掩模覆盖在半导体晶片上的光致抗蚀剂层（170,180）中形成期望的图案。该掩模通过连续沉积反射层（20），吸收层（30）和抗反射（ARC）层（40）而形成。根据期望的图案对ARC层（40）进行图案化。检查ARC层（40）以找到未实现所需图案的区域。然后修复ARC层（40）以使保护反射层（20）的吸收层（30）达到期望的图案。将期望的图案转移到吸收层（30）以露出掩模的反射部分。辐射从反射掩模反射到半导体晶片（160），以期望的图案露出覆盖半导体晶片（160）的光致抗蚀剂层（170,180）。

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