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1. 发明申请

WO2015180759A1 VERFAHREN ZUM KRISTALLISIEREN EINES MATERIALS, HALBLEITERMODUL UND BESTRAHLUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译：结晶的材料时，半导体模块和辐射系统的方法
公开(公告)号：WO2015180759A1
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：PCT/EP2014/060977
申请日：2014-05-27
申请人： MASDAR PV GMBH
发明人： FRIJNTS, Tim , ZOLLONDZ, Hendrik
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02691 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02683 , H01L21/02689 , H01L31/1872 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： Erläutert wird unter anderem ein Verfahren zum Kristallisieren eines Materials: - wobei ein erster Strahl (12a) mit mindestens einer Strahlungsquelle erzeugt wird, - wobei ein zweiter Strahl (12b) mit mindestens einer weiteren Strahlungsquelle oder mit der mindestens einen Strahlungsquelle erzeugt wird, - wobei der erste Strahl (12a) und der zweite Strahl (12b) auf ein zu kristallisierendes Material derart gerichtet werden, dass sich der erste Strahl (12a) und der zweite Strahl (12b) überlappen (U), wobei der erste Strahl (12a) ein Strahl mit linienförmigem (15a) Intensitätsprofil (I) ist, und wobei eine Linie (15a) größter Intensität (I) des ersten Strahls (12a) zu einer relativen Bewegungsrichtung (16) zwischen dem ersten Strahl (12a) und dem zu kristallisierendem Material einen Winkel (W1) bildet, der im Bereich von 91 Winkelgrad bis 165 Winkelgrad oder im Bereich von 100 Winkelgrad bis 135 Winkelgrad liegt.
摘要翻译：进行了说明，除其他外，结晶材料的方法，包括： - 一个第一光束（12A）与至少一个辐射源形成， - 其中第二光束（12b）的制备与至少一种另外的辐射源或所述至少一个辐射源， - 其中第一光束（12A）和第二光束（12b）的被引导到一个结晶材料，使得所述第一光束（12A）和第二光束（12b）的重叠（U），所述第一光束（12A）一个是光束具有线性（15A）的强度分布（I），以及其中，所述第一光束（12A）的第一光束之间的相对移动方向（16）（12a）的最高强度（I）的和结晶材料的线（15A）角（W1），其是在91度角至165度角的或在100度角至135度角的区域的范围内。

2. 发明申请

WO2015169331A1 VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN VON HALBLEITERMATERIAL, HALBLEITERMODUL UND SUBSTRATHERSTELLUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译：此费用包括半导体材料，半导体模块及基板生产厂房
公开(公告)号：WO2015169331A1
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：PCT/EP2014/059070
申请日：2014-05-05
申请人： MASDAR PV GMBH
发明人： FRIJNTS, Tim , ZOLLONDZ, Hendrik , HEIDELBERG, Andreas
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/54 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/34 , C03C17/34 , H01L31/18
CPC分类号： C23C16/24 , C03C17/3602 , C03C17/3607 , C03C17/3626 , C03C17/3636 , C03C17/3649 , C03C17/3678 , C03C2217/262 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/45563 , C23C16/45595 , C23C16/545 , H01L21/02422 , H01L21/02447 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L31/03921 , H01L31/182 , H01L31/1872 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： Erläutert wird unter anderem ein Verfahren zum Aufbringen von Halbleitermaterial (254, 454) auf ein Substratband (11, 430), enthaltend: Schmelzen (302) eines Substratmaterials (11a, 408), Formen (303) des Substratmaterials (11a, 408) zu einem Substratband (11, 430), Aufbringen (306) eines Halbleitermaterials (254, 454) auf das Substratband (11, 430) vor dem Abkühlen des Substratbandes (11, 430) auf eine Temperatur unter 50 Grad Celsius oder unter 500 Grad Celsius oder unter 600 Grad Celsius oder unter 800 Grad Celsius.
摘要翻译：是，除其他外，用于沉积半导体材料（254，454）到衬底条（11，430）的方法，包括描述：一个基底材料的基片材料（11A，408）的熔化（302）（11A，408）中，形成（303）到基板条（11，430），应用（306）的半导体材料（254，454）的衬底条（11，430）之前，在基板条（11，430）的冷却至低于50摄氏度或500摄氏度或温度在摄氏600摄氏度或800摄氏度。

3. 发明申请

WO2015149835A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES HALBLEITERMODULS, HALBLEITERMODUL UND BESTRAHLUNGSANLAGE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产半导体模块，半导体模块和辐射系统
公开(公告)号：WO2015149835A1
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/EP2014/056443
申请日：2014-03-31
申请人： MASDAR PV GMBH
发明人： FRIJNTS, Tim , ZOLLONDZ, Hendrik
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02691 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02683 , H01L21/02686 , H01L31/1872 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： Erläutert wird unter anderem ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Moduls (10b bis 10d, 130, 210 bis 214), - wobei auf ein Trägersubstrat (250) mindestens eine Halbleiterschicht (254) aufgebracht wird, - wobei die mindestens eine Halbleiterschicht (254) mit mindestens einem Strahl (12b bis 12d, 222, 232) bestrahlt wird, - und wobei der Strahl (12b bis 12d, 222, 232) eine Kristallisation der mindestens einen Halbleiterschicht (254) unter Bildung mindestens eines Einkristalls (22b) oder einer Vi-elzahl von Einkristallen, vorzugsweise mit einer Länge größer als 1 Zentimeter oder größer als 10 Zentimeter, bewirkt, - und wobei die mindestens eine Halbleiterschicht (254) mit einem zweiten Strahl (11d, 232) bestrahlt wird, der eine Aufweitung des mindestens einen Einkristalls (22b, 22c) bewirkt.
摘要翻译：进行了说明，除其他事项外，用于制造半导体模块（10B到10D中，130，210〜214）的方法， - 其中，在支撑衬底（250）的至少一个半导体层（254）上被施加， - 其中所述至少一个半导体层（254）与至少一个梁（12B至12d，222，232），照射 - 并且其中，所述光束（12B至12d，222，232）具有至少一个半导体层（254）的形成至少一个单晶结晶（22B）或六单晶-elzahl，优选具有的长度大于1厘米或大于10厘米更大，原因 - 并且其中，所述至少一个半导体层（254）照射，其具有至少一个单晶的加宽第二光束（11D，232）原因（22B，22C）。

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