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    • 1. 发明申请
    • 微細パターン形成用樹脂組成物および微細パターン形成方法
    • 用于形成精细图案的树脂组合物和形成细小图案的方法
    • WO2009041407A1
    • 2009-04-02
    • PCT/JP2008/067143
    • 2008-09-24
    • JSR株式会社安陪 毅由杉浦 誠永井 智樹中村 敦若松 剛史庵野 祐亮
    • 安陪 毅由杉浦 誠永井 智樹中村 敦若松 剛史庵野 祐亮
    • G03F7/40C08L101/04H01L21/027
    • G03F7/40C08F214/18C08F220/58C08F212/14C08F2220/387C08F220/22
    • 熱処理により、レジストパターンを円滑に収縮させることができると共に、その後のアルカリ水溶液処理により容易に除去し得る。樹脂と、架橋成分と、アルコール溶媒とを含み、レジストパターンを微細化するための微細パターン形成用樹脂組成物であって、上記樹脂が下記式(2)で表される側鎖を有する繰り返し単位(I)と、水酸基を側鎖に有する繰り返し単位(II)と、スチレン誘導体である繰り返し単位(III)とを含有する。 R、R'、またはR''は、水素原子、炭素数1~10のアルキル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基、またはフェニル基を表し、Aは、単結合、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基、またはオキシカルボニル基を表し、Bは、単結合、または炭素数1~20の2価の有機基を表し、Rfは少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された炭素数1~8の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を表す。
    • 公开了通过热处理能够使抗蚀剂图案平滑收缩的树脂组合物,并且可以通过用碱水溶液处理容易地除去。 具体公开了用于形成精细图案的树脂组合物,其旨在用于制造精细抗蚀剂图案并且包括树脂,交联组分和醇溶剂,其中树脂具有侧面的重复单元(I) 由式(1)表示的链,具有羟基作为侧链的重复单元(II)和作为苯乙烯衍生物的重复单元(III)。 (1)其中R,R'和R“独立地表示氢原子,具有1-10个碳原子的烷基,羟甲基,三氟甲基或苯基; A表示单键,氧原子,羰基,羰氧基或氧羰基; B表示单键或碳原子数1〜20的2价有机基团。 Rf表示碳原子数1〜8的直链状或支链状的烷基,其中至少一个氢原子被氟原子取代。
    • 3. 发明申请
    • 液浸用上層膜形成用組成物及び液浸用上層膜並びにフォトレジストパターン形成方法
    • 用于形成上层暴露的上层膜的组合物,用于浸没曝光的上层膜和形成光电子图案的方法
    • WO2009041270A1
    • 2009-04-02
    • PCT/JP2008/066351
    • 2008-09-10
    • JSR株式会社杉浦 誠河野 大太杉江 紀彦若松 剛史夏目 紀浩西村 幸生
    • 河野 大太杉江 紀彦若松 剛史夏目 紀浩西村 幸生
    • G03F7/11G03F7/38H01L21/027
    • G03F7/11G03F7/2041
    •  本発明の目的は、ウォーターマーク欠陥や溶け残り欠陥等の液浸露光プロセス由来の欠陥発生を効果的に抑制できる上層膜を形成可能な液浸用上層膜形成用組成物及び液浸用上層膜並びにレジストパターン形成方法を提供することである。本発明の上層膜形成用組成物は、樹脂成分と溶剤とを含むものであり、樹脂成分として、式(1-1)~(1-3)で表される繰り返し単位のうちの少なくとも1種と、式(2-1)及び(2-2)で表される繰り返し単位のうちの少なくとも一方と、を含有する樹脂(A)を含む。 [式中、R 1 は水素原子又はメチル基を示し、R 2 及びR 3 はメチレン基、炭素数2~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基、又は炭素数4~12の脂環式のアルキレン基を示し、R 4 は水素原子又はメチル基を示し、R 5 は単結合、メチレン基、又は炭素数2~6の直鎖状若しくは分岐状のアルキレン基を示す。]
    • 一种用于形成浸渍曝光用上层膜的组合物。 可以通过浸没曝光工艺(如水印缺陷和溶解残留缺陷)形成上层膜,从而有效抑制显影缺陷。 还提供了用于浸渍曝光的上层膜和形成抗蚀剂图案的方法。 用于形成上层膜的组合物包括树脂成分和溶剂。 树脂成分包括含有选自由式(1-1)〜(1-3)表示的重复单元中的至少一种重复单元的树脂(A)和由式 (2-1)和(2-2)。 (1-1)(1-2)(1-3)(2-1)(2-2)[式中,R1表示氢或甲基; R2和R3各自表示亚甲基,直链或支链C 2-6亚烷基或脂环族C 4-12亚烷基; R4代表氢或甲基; 并且R 5表示单键,亚甲基或直链或支链C 2-6亚烷基。]
    • 4. 发明申请
    • レジストパターン形成方法及びレジストパターン微細化樹脂組成物
    • 形成电阻图案和电阻图案的微型树脂组合物的方法
    • WO2009093686A1
    • 2009-07-30
    • PCT/JP2009/051072
    • 2009-01-23
    • JSR株式会社安陪 毅由中村 敦若松 剛史
    • 安陪 毅由中村 敦若松 剛史
    • G03F7/40
    • H01L21/0273G03F7/0046G03F7/0397G03F7/40G03F7/405Y10S430/106
    •  第一のポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて第一のレジストパターンを形成する工程(1)と、第一のレジストパターン上にレジストパターン微細化樹脂組成物を塗布し、ベーク後、現像して第一のレジストパターンを微細化した第二のレジストパターンを形成する工程(2)と、第二のレジストパターン上にレジストパターン不溶化樹脂組成物を塗布し、ベーク後、洗浄して、第二のレジストパターンを、現像液及び第二のポジ型感放射線性樹脂組成物に対して不溶な第三のレジストパターンとする工程(3)と、第二のポジ型感放射線性樹脂組成物を用いて第三のレジストパターン上に第二のレジスト層を形成し、第二のレジスト層を露光及び現像して第四のレジストパターンを形成する工程(4)と、を含むレジストパターン形成方法である。
    • 公开了一种形成抗蚀剂图案的方法,其包括通过使用第一正性辐射敏感性树脂组合物形成第一抗蚀剂图案的步骤(1),其中涂覆抗蚀剂图案小型化树脂组合物的步骤(2) 第一抗蚀剂图案,然后将所得到的图案烘焙和显影,从而使第一抗蚀剂图案小型化为第二抗蚀剂图案,其中将抗蚀剂图案不溶化树脂组合物涂覆在第二抗蚀剂图案上的步骤(3),然后 将所得到的图案烘烤和清洁,从而将第二抗蚀剂图案改变成不溶于显影剂的第三抗蚀剂图案和第二正性辐射敏感性树脂组合物,以及步骤(4),其中第二抗蚀剂层形成在 通过使用第二正性辐射敏感性树脂组合物,然后将第二抗蚀剂层曝光和显影,从而形成第四抗蚀剂图案 st图案。