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    • 5. 发明申请
    • 反射防止膜
    • 抗反射膜
    • WO2006070710A1
    • 2006-07-06
    • PCT/JP2005/023708
    • 2005-12-26
    • JSR株式会社多田羅 了嗣加藤 仁史宮尾 健介山田 康晴八代 隆郎黒澤 孝彦
    • 多田羅 了嗣加藤 仁史宮尾 健介山田 康晴八代 隆郎黒澤 孝彦
    • B32B27/30B32B27/18C08F299/00
    • C08F290/042
    •  基材上に、  ピロール、チオフェン等の単量体を気相重合して形成された導電層、並びに、  下記成分(A)及び(B1):  (A)エチレン性不飽和基含有含フッ素重合体、  (B1)下記式(1)~(2)で表されるケイ素化合物の加水分解物及び/又は加水分解縮合物からなり、平均粒径が5~50nmである多孔質シリカ粒子   R 1 h SiX 4-h  ・・・(1)   R 2 j SiX 4-j  ・・・(2) (R 1 は炭素数1~8のアルキル基、Xはそれぞれ独立に炭素数1~4のアルコキシ基等、hは0~1の整数を示す。R 2 は炭素数2~8のアルケニル基、炭素数4~8のアクリロキシアルキル基又は炭素数5~8のメタクリロキシアルキル基、jは1~3の整数を示す。)、を含む硬化性樹脂組成物の硬化物からなる低屈折率層、を有する反射防止膜。
    • 公开了一种抗反射膜,其包括布置在基底上的导电层和低折射率层。 通过单体如吡咯或噻吩的气相聚合形成导电层,而低折射率层由包含以下组分(A)和(B1)的可固化树脂组合物的固化产物制成。 (A)具有烯属不饱和基团的含氟聚合物。 (B1)由下述式(1)和(2)表示的平均粒径为5-50nm的硅化合物的水解产物和/或水解缩合产物构成的多孔二氧化硅颗粒。 [R 1