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1. 发明申请

WO2007121948A2 VERFAHREN ZUR OBERFLÄCHENBEHANDLUNG EINER ELEKTRISCHEN SUBSTRATOBERFLÄCHE 审中-公开
标题翻译：法电基材表面的表面处理
公开(公告)号：WO2007121948A2
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/EP2007/003497
申请日：2007-04-20
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , QUENZER, Hans-Joachim , ZWICKER, Gerfried
发明人： QUENZER, Hans-Joachim , ZWICKER, Gerfried
IPC分类号： B23H3/00
CPC分类号： B23H3/00 , B81C1/00634 , B81C2201/0146 , C25F3/14
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer elektrisch leitenden Substratoberfläche, bei dem ein festes Ionen leitendes Material aufweisendes Werkzeug wenigstens bereichsweise in Kontakt mit der Substratoberfläche gebracht wird, das Metallionen der Substratoberfläche zu leiten in der Lage ist und an das ein elektrisches Potenzial angelegt wird, so dass zwischen der Substratoberfläche und dem Werkzeug ein elektrisches Potenzialgefälle derart anliegt, dass die Metallionen durch das Werkzeug von der Substratoberfläche abgezogen oder auf die Substratoberfläche abgeschieden werden.
摘要翻译：公开的是用于表面处理的导电性基板表面的，其中，固体离子传导材料是在与基板表面接触具有带工具至少部分的方法，所述基片表面的金属离子，以在一个位置引导和电势被施加到，所以该电势梯度在基板表面和工具之间的这样的方式施用，即，金属离子通过从该衬底表面上的工具中提取，或沉积在基板表面上。

2. 发明申请

WO2009097937A1 PROCESS FOR POLISHING A SILICON SURFACE BY MEANS OF A CERIUM OXIDE-CONTAINING DISPERSION 审中-公开
标题翻译：通过含氧化铈分散剂抛光硅表面的方法
公开(公告)号：WO2009097937A1
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：PCT/EP2008/067422
申请日：2008-12-12
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , KRÖLL, Michael , KRÄMER, Michael , ZWICKER, Gerfried , TORKLER, Michael
发明人： KRÖLL, Michael , KRÄMER, Michael , ZWICKER, Gerfried , TORKLER, Michael
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/3105
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/30625
摘要： Process for polishing silicon surfaces, in which a dispersion which comprises cerium oxide particles, at least one polymeric, anionic dispersing additive and at least one oxidizing agent and which has a pH of 7 to 10.5 is used, said cerium oxide particles having a positive charge and polymeric, anionic dispersing additive and oxidizing agent being soluble in the liquid phase of the dispersion.
摘要翻译：使用其中使用包含二氧化铈颗粒，至少一种聚合物阴离子分散添加剂和至少一种氧化剂并且pH为7至10.5的分散体的硅表面的方法，所述氧化铈颗粒具有正电荷并且聚合物阴离子分散添加剂和氧化剂可溶于分散体的液相中。

3. 发明申请

WO2005102932A1 ZUSAMMENSETZUNG FÜR DAS CHEMISCH-MECHANISCHE POLIEREN (CMP) 审中-公开
标题翻译：组合化学机械抛光（CMP）
公开(公告)号：WO2005102932A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：PCT/EP2005/003850
申请日：2005-04-12
申请人： KERR-MCGEE PIGMENTS GMBH , AUER, Gerhard , HIPLER, Frank , ZWICKER, Gerfried
发明人： AUER, Gerhard , HIPLER, Frank , ZWICKER, Gerfried
IPC分类号： C01G23/053
CPC分类号： H01L21/31053 , C09C1/3607 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C23F3/00 , C23F3/03 , C23F3/06 , H01L21/3212
摘要： Bei einer Zusammensetzung in Form einer Dispersion oder einer Slurry für das chemisch-mechanische Polieren (CMP) bei der Herstellung von elektronischen oder mikroelektronischen Bauelementen, insbesondere Halbleiterelementen, und/oder eines mechanischen Bauelementes, insbesondere eines mikroelektromechanischen Bau- oder Halbleiterelementes (MEMS), soll ein Material bereitgestellt werden, welches eine hohe Abtragsrate bei einem gleichzeitig schonenden Polierverhalten aufweist. Dies wird dadurch erreicht, dass die Zusammensetzung Titanoxidhydratpartikel mit der Näherungsformel Ti0 2 * xH 2 O * yH 2 SO 4 enthält, wobei der H 2 O-Gehalt der Titanoxidhydratpartikel 4 - 25 Gew.-%, bevorzugt 2 - 10 Gew.-%, und der H 2 S0 4- Gehalt 0 - 15 Gew.-%, bevorzugt 0,1 - 10 Gew.-%, beträgt.
摘要翻译：在以分散体或用于化学机械抛光以电子或微电子元件，特别是半导体元件的制造中的淤浆（CMP），和/或机械部件的形式的组合物，特别是微机电结构或半导体元件（MEMS），以提供了一种材料，其具有在同一时间平缓的抛光特性的高移除速率。这得以实现，所述组合物* yH2SO4包含二氧化钛水合物与该近似式的TiO 2 * xH2O的，其中所述钛氧化物水合物4的H 2 O含量 - 25重量％，优选2 - 10重量％，和H 2 SO 4含量0 - 15重量％，优选0.1〜10重量％，是。

4. 发明申请

WO2005104205A1 ZUSAMMENSETZUNG FÜR DAS CHEMISCH-MECHANISCHE POLIEREN (CMP) 审中-公开
标题翻译：组合化学机械抛光（CMP）
公开(公告)号：WO2005104205A1
公开(公告)日：2005-11-03
申请号：PCT/EP2005/003851
申请日：2005-04-12
申请人： KERR-MCGEE PIGMENTS GMBH , AUER, Gerhard , HIPLER, Frank , ZWICKER, Gerfried
发明人： AUER, Gerhard , HIPLER, Frank , ZWICKER, Gerfried
IPC分类号： H01L21/3105
CPC分类号： C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： Bei einer Zusammensetzung in Form einer Dispersion oder einer Slurry für das chemisch-mechanische Polieren (CMP) bei der Herstellung von elektronischen oder mikroelektronischen Bauelementen, insbesondere Halbleiterelementen, und/oder eines mechanischen Bauelementes, insbesondere eines mikroelektromechanischen Bau- oder Halbleiterelementes (MEMS), soll eine Lösung geschaffen werden, die es ermöglicht, eine definiert einstellbare Teilchengrößenverteilung mit verbesserter Uniformität hinsichtlich Größe und Morphologie der Partikel zu erzielen. Dies wird dadurch erreicht, dass die Zusammensetzung reine Titandioxidpartikel oder titandioxidhaltige Partikel enthält, welche vor, insbesondere unmittelbar vor, oder bei Zubereitung der Dispersion oder der Slurry einem Nassmahlungsschritt bzw. einer Nassmahlung ausgesetzt sind.
摘要翻译：在以分散体或用于化学机械抛光以电子或微电子元件，特别是半导体元件的制造中的淤浆（CMP），和/或机械部件的形式的组合物，特别是微机电结构或半导体元件（MEMS），以提供了一种解决方案，它使得能够实现具有改善的均匀性的定义可调节的粒度分布的大小和颗粒的形态而言。这得以实现，所述组合物含有纯二氧化钛颗粒或含二氧化钛的颗粒，这之前，尤其是之前立即，或制备分散体或淤浆的过程中暴露于Nassmahlungsschritt或湿式粉碎。

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