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1. 发明申请

WO2014023798A2 VERFAHREN ZUR ABLATION EINER SCHICHT 审中-公开
标题翻译：消除层的过程
公开(公告)号：WO2014023798A2
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：PCT/EP2013/066623
申请日：2013-08-08
申请人： FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
发明人： NEKARDA, Jan , BRAND, Andreas
IPC分类号： B23K26/36 , B23K26/40
CPC分类号： B23K26/40 , B23K26/361 , B23K2203/172 , B23K2203/50
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ablation zumindest einer Schicht (13) von einem Substrat (10), bei welchem Laserstrahlung (210) von zumindest einem ersten Laser (21) auf zumindest eine Teilfläche (105) der Oberfläche der Schicht (13) einwirkt, wobei der erste Laser (21) gepulste Laserstrahlung (210) mit einer Pulsdauer von weniger als etwa 50 ns erzeugt und zumindest eine zweite Lichtquelle (22) verwendet wird, welche gepulste Laserstrahlung (220) mit einer Pulsdauer von mehr als etwa 1 ns erzeugt oder einen Dauerstrichlaser enthält oder unkohärente Strahlung abgibt, wobei das Licht (210) des ersten Lasers (21) zu einem Zeitpunkt auftrifft, zu dem sich zumindest die Teilfläche (105) der Oberfläche im thermischen Gleichgewicht mit der Umgebung befindet.
摘要翻译：
本发明涉及一种用于在至少一个子区域＆AUML一个衬底（10），其中激光辐射（210）的至少一个第一激光（21）中的至少一个层（13）的消融的方法;枝（105 ）（13）作用于所述层，其中所述第一激光器（21）产生具有小于约50纳秒的脉冲持续时间的脉冲激光辐射（210），和使用至少一个第二光源（22），该脉冲激光辐射的表面BEAR表面的（220 ）与所生成的大于约1纳秒或连续波激光包含的脉冲持续时间保持或unkoh BEAR发射养老金辐射，其中所述第一激光的（光（210）21）入射在一个时间在该至少部分区域＆AUML;枝（ 105）的表面与环境热平衡。

2. 发明申请

WO2014023668A1 LASERBASIERTES VERFAHREN UND BEARBEITUNGSTISCH ZUR LOKALEN KONTAKTIERUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS 审中-公开
标题翻译：针对地方接触半导体元件的基于激光的过程和工作表
公开(公告)号：WO2014023668A1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：PCT/EP2013/066328
申请日：2013-08-02
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
发明人： NEKARDA, Jan , RODOFILI, Andreas , BRAND, Andreas , GRAF, Martin , PREU, Ralf
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , Y02E10/50
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur lokalen Kontaktierung eines Halbleiterbauelements, welches Halbleiterbauelement Teil einer photovoltaischen Solarzelle oder einer Vorstufe im Herstellungsprozess einer photovoltaischen Solarzelle ist, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Aufbringen mindestens einer Metallschicht auf eine Seite des Halbleiterbauelements, B Lokales Erhitzen zumindest der Metallschicht, derart, dass in einem lokalen Bereich kurzzeitig ein Aufschmelzen zumindest der Metallschicht erfolgt. Wesentlich ist, dass als Metallschicht eine Metallfolie verwendet wird und dass nach Verfahrensschritt B in einem Verfahrensschritt C die nicht verschmolzenen Bereiche der Metallfolie entfernt werden. Die Erfindung betrifft weiterhin einen Bearbeitungstisch zur Durchführung solch eines Verfahrens.
摘要翻译：本发明涉及一种用于半导体器件，其半导体器件是光伏太阳能电池或光伏太阳能电池的生产过程的前体的一部分的局部接触的方法，其步骤包括：一个沉积在所述半导体元件的侧面的至少一个金属层，B局部加热至少所述金属层，以这样的方式在局部区域至少熔化金属层在短时间内进行。该金属箔被用作金属层和工艺步骤B之后被除去的方法中的步骤C中的金属箔的非稠合部分是必不可少的。本发明还涉及一种加工台用于执行这样的方法。

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