会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 1. 发明申请
    • SCHALTUNGSANORDNUNG ZUM SCHUTZ EINER AUS EINEM VERSORGUNGSNETZ ZU BETREIBENDEN EINHEIT GEGEN ÜBERSPANNUNGEN
    • 电路保护免受电源单元,以防止电压操作
    • WO2017025202A1
    • 2017-02-16
    • PCT/EP2016/055224
    • 2016-03-11
    • DEHN + SÖHNE GMBH + CO. KG
    • BÖHM, ThomasSCHORK, Franz
    • H03K17/08H03K5/08H02H9/04H01L27/02
    • H03K5/08H01L27/0248H01L27/0255H02H9/04H02H9/041H03K17/08
    • Schaltungsanordnung zum Schutz einer aus einem Versorgungsnetz zu betreibenden Einheit gegen Überspannungen mit einem Eingang mit erstem und zweitem Eingangsanschluss, die mit dem Versorgungsnetz in Verbindung stehen, und einem Ausgang, an dem die zu schützende Einheit anschließbar ist, sowie mit einer Schutzschaltung, die zwischen erstem und zweitem Eingangsanschluss vorgesehen ist, um die an ihr liegende Spannung zu begrenzen, wobei die Schutzschaltung einen Leistungshalbleiter aufweist. Der Leistungshalbleiter weist entweder zwischen Kollektor und Gate mindestens ein Zenerelement auf oder es ist zwischen Kollektor und Gate des Leistungshalbleiters ein Digital-Analog-Wandler vorgesehen, Über eine Vorgabe der Clampingspannung für den Leistungshalbleiter lässt sich in einfacher Weise eine Anpassung des Schutzpegels einer derart realisierten Schutzschaltung bewirken.
    • 一种用于保护从一供应网络电路装置被操作单元对具有一个具有第一和第二输入端的输入过电压,其与在连接供电网络进行通信,并且可以被连接的输出到该单元要被保护,并且与连接在所述第一之间的保护电路 和第二输入端被提供以限制施加到其上的电压,其中所述保护电路包括功率半导体。 功率半导体已经或者集电极和栅极之间,至少一个齐纳元件或提供在收集器和所述功率半导体的栅极之间的数字 - 模拟转换器,可以是经由Clampingspannung的用于功率半导体以简单的方式,例如实现保护电路的保护电平的适应规范 引起。
    • 3. 发明申请
    • ELEKTRONISCHE SICHERUNG FÜR EINE, AN EIN NIEDERVOLT-GLEICHSPANNUNGSNETZ ANSCHLIEßBARE LAST
    • WO2018149649A2
    • 2018-08-23
    • PCT/EP2018/052456
    • 2018-02-01
    • DEHN + SÖHNE GMBH + CO. KG
    • BÖHM, ThomasSCHORK, Franz
    • H02H3/087
    • Die Erfindung betrifft eine elektronische Sicherung für eine, an einem Niedervolt-Gleichspannungsnetz anschließbare Last, bestehend aus zwischen Eingangsklemmen und der Last angeordneten Baugruppen, diese umfassend eine Spannungsüberwachungseinheit, eine Stromüberwachungseinheit sowie Halbleiterschalteinheiten und diesen zugeordnete Steuerungen. Erfindungsgemäß ist an den Eingangsklemmen eine Reihenschaltung aus einer TVS-Diode und einem Widerstand angeschlossen, wobei der Widerstand mit einem ersten Anschluss eines MikroControllers in Verbindung steht und der resultierende Spannungsabfall am Widerstand bei überspannungsbedingtem Erreichen der Durchbruchspannung an der TVS-Diode dem MikroController ein Überspannungserkennungssignal liefert. Ein zweiter Anschluss des MikroControllers steht mit einer ersten Halbleiterschalteinheit in Verbindung, wobei die erste Halbleiterschalteinheit als Längsschalter in Reihe zur Last liegt, wobei der MikroController die erste Halbleiterschalteinheit sperrt, wenn das Überspannungserkennungssignal anliegt. In Reihe zur Last liegt ein Shunt als Stromüberwachungseinheit, wobei der Spannungsabfall am Shunt vom Mikrocontroller über einen dritten Anschluss analysiert und bei erkanntem, einen Schwellwert übersteigenden Überstrom die Last mittels der ersten Halbleiterschalteinheit abgeschalten wird. Weiterhin ist zwischen den Eingangsklemmen ein MOS-GATE-Thyristor angeschlossen, dessen Steuereingang mit einem vierten Anschluss des MikroControllers in Verbindung steht, derart, dass bei anliegendem Überspannungserkennungssignal der MOS-GATE-Thyristor in den Einschaltzustand versetzbar ist.
    • 4. 发明申请
    • VERFAHREN ZUR ERFASSUNG VON BLITZSTROMPARAMETERN AN ANLAGEN MIT EINER ODER MEHREREN FANGEINRICHTUNGEN UND BLITZSTROMABLEITPFADEN
    • 一种用于检测雷击电流参数与一个终端系统和BLITZSTROMABLEITPFADEN或多个装设
    • WO2017036793A1
    • 2017-03-09
    • PCT/EP2016/069465
    • 2016-08-17
    • DEHN + SÖHNE GMBH + CO. KG
    • BIRKL, JosefEICHLER, BernhardBÖHM, ThomasSCHORK, Franz
    • G01R29/08F03D17/00
    • G01R29/0842F03D17/00F03D80/30Y02B10/30Y02E10/72
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erfassung von Blitzstromparametern an Anlagen mit mehreren Fangeinrichtungen und Blitzstromableitpfaden, insbesondere für exponierte und/oder höhere Gebäude, einschließlich Windenergieanlagen mittels Einsatz mehrerer Sensoren an den Blitzstromableitpfaden zur Bestimmung eines Blitzstromereignisses sowie mit anschließender Bewertung des Blitzstromereignisses und dessen Auswirkung auf die jeweilige Anlage. Erfindungsgemäß ist an jeder der Fangeinrichtungen oder jedem Blitzstromableitpfad ein Blitzstromerfassungssensor ausgebildet, weicher bezogen auf die jeweilige Fangeinrichtung oder den jeweiligen Blitzstromableitpfad eine Ja/Nein-Aussage bezüglich eines Blitzstromereignisses liefert. Weiterhin ist an einer zentralen Stelle der Zusammenführung der Blitzstroma bleitpfade in Richtung Erdung mindestens ein Blitzstrommesssensor vorgesehen, welcher sowohl Stoßströme mit einer Dauer von unter 5 ms als auch Langzeitströme mit einer Dauer von mehr als 5 ms detektiert, wobei weiterhin die Höhe der Ladung des jeweiligen aufgetretenen Langzeitstroms bestimmt und zur Ermittlung möglicher Auswirkungen auf die Anlage herangezogen wird.
    • 本发明涉及一种用于检测雷击电流参数与多个捕捉设备和Blitzstromableitpfaden系统的方法,特别是用于暴露和/或较高的建筑物,包括风力涡轮机通过在Blitzstromableitpfaden多个传感器的装置,用于确定的雷电电流的事件,并且与雷电电流事件的后续评估和其上的作用 各个工厂。 根据本发明,对每个捕捉设备或任何Blitzstromableitpfad形成的闪电电流检测传感器,相对于相应的检索装置或相应的Blitzstromableitpfad一个是软/没有语句提供有关的雷电电流事件。 此外,Blitzstroma的组合朝向大地bleitpfade至少一个避雷提供电流测量传感器,其在中央位置检测两个浪涌电流小于5ms和长期流具有大于5毫秒的持续时间的持续时间,电荷相应的进一步其中,所述高度 确定发生长期的电流,并用来确定对植物的任何可能影响。
    • 6. 发明申请
    • SCHALTUNGSANORDNUNG ZUM SCHUTZ EINER AUS EINEM VERSORGUNGSNETZ ZU BETREIBENDEN EINHEIT GEGEN ÜBERSPANNUNGEN
    • 电路保护免受电源单元,以防止电压操作
    • WO2016128225A1
    • 2016-08-18
    • PCT/EP2016/051811
    • 2016-01-28
    • DEHN + SÖHNE GMBH + CO. KG
    • SCHORK, FranzBROCKE, RalphBÖHM, ThomasDONAUER, Dominik
    • H03K5/08H01L27/02H02H9/04H03K17/12
    • H02H9/042H01L27/0248H02H9/04H02H9/041H02H9/044H03K5/08H03K17/12
    • Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Schutz einer aus einem Versorgungsnetz zu betreibenden Einheit gegen Überspannungen mit einem Eingang mit erstem und zweitem Eingangsanschluss, die mit dem Versorgungsnetz in Verbindung stehen, und einem Ausgang mit einem ersten und einem zweiten Ausgangsanschluss, an denen die zu schützende Einheit anschließbar ist, sowie mit einer Schutzschaltung, die zwischen erstem und zweitem Eingangsanschluss vorgesehen ist, um die an ihr anliegende Spannung zu begrenzen. Erfindungsgemäß weist die Schutzschaltung einen Leistungshalbleiter, insbesondere einen IGBT auf, wobei zwischen Kollektor und Gate des Leistungshalbleiters eine Reihenschaltung aus einem Diac, d. h. einer Zweirichtungsdiode, und einem Zenerelement angeschlossen ist, wobei die Summe der Zener- und der Diac-Spannung eine Clampingspannung für den Leistungshalbleiter ergibt, welche oberhalb der Spannung des Versorgungsnetzes liegt und den Schutzpegel definiert.
    • 本发明涉及一种电路装置用于保护从电源单元对具有一个具有第一和第二输入端的输入过电压,其与在连接供电网络进行通信操作,并且其中单元被保护具有第一和第二输出端的输出,以 可连接,并与在所述第一和第二输入端子之间,限制施加到其上的电压的保护电路。 根据本发明,所述保护电路的功率半导体,特别是IGBT,其中,所述收集器和所述功率半导体,两端交流开关元件的串联电路,D的栅极之间。 小时。 连接的双向二极管和一个齐纳元件,其中所述齐纳电压之和的二端交流开关给出Clampingspannung用于功率半导体,它是供给网络的电压以上,并且限定的保护水平。
    • 8. 发明申请
    • SCHALTUNGSANORDNUNG ZUM SCHUTZ EINER AUS EINEM VERSORGUNGSNETZ ZU BETREIBENDEN EINHEIT GEGEN ÜBERSPANNUNGEN
    • 电路保护免受电源单元,以防止电压操作
    • WO2017021013A1
    • 2017-02-09
    • PCT/EP2016/055222
    • 2016-03-11
    • DEHN + SÖHNE GMBH + CO. KG
    • BÖHM, ThomasSCHORK, Franz
    • H03K17/08H03K5/08H02H9/04H01L27/02
    • H03K17/08H01L27/0248H02H9/04H02H9/041H03K5/08
    • Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zum Schutz einer aus einem Versorgungsnetz zu betreibenden Einheit gegen Überspannungen m it einem Eingang mit erstem und zweitem Eingangsanschluss, die mit dem Versorgungsnetz in Verbindung stehen, und einem.Ausgang A mit einem ersten und einem zweiten Ausgangsanschluss, an denen die zu schützende Einheit anschließbar ist, sowie mit einer Schutzschaltung, die zwischen erstem und zweitem Eingangsanschluss vorgesehen Ist, um die an ihr anliegende Spannung zu begrenzen, wobei die Schutzschaltung einen Leistungshalbleiter IGBT und eine Ansteuerung für den Leistungshalbleiter aufweist. Erfindungsgemäß ist die Ansteuerung als Treiber ausgebildet, welcher mittels einer Logikbaugruppe LB Überspannungsereignisse erkennt und bei einem Überspannungsereignis den Leistungshalbleiter IGBT bis zum Abklingen desselben aktiviert sowie hierfür die Ansteuerung des Leistungshalbleiters IGBT mit einer erhöhten Gatespannung von bis zu 100 V bei steiler Schaltflanke erfolgt.
    • 本发明涉及一种电路装置,用于保护一对从电源单元对过电压瓦特第i个输入具有第一和第二输入端口与结合的公用电网,和einem.Ausgang A,与第一和第二输出端子,其通信被操作 可连接单元被保护,以及与在第一和第二输入端之间提供的保护电路,以限制它们的施加的电压,其中所述保护电路包括功率半导体IGBT和用于功率半导体具有一个控制。 根据本发明的驱动器被设计为通过一个逻辑组件LB和功率半导体IGBT的装置检测过电压事件驾驶员激活相同高达过电压事件的衰减,这是用来触发与高达100 V的增加的栅极电压的功率半导体IGBT以陡峭的切换边缘。
    • 9. 发明申请
    • SCHALTUNGSANORDNUNG ZUR ELEKTRONISCHEN ANSTEUERUNG VON TRIGGERBAREN ÜBERSPANNUNGSABLEITERN
    • 电路是否触发避雷器电控
    • WO2017016745A1
    • 2017-02-02
    • PCT/EP2016/063813
    • 2016-06-16
    • DEHN + SÖHNE GMBH + CO. KG
    • BÖHM, ThomasSPIES, JohannesSCHORK, FranzBROCKE, Ralph
    • H01T2/02H01T15/00H02H9/06
    • H02H9/005H01T2/02H01T15/00H02H1/0007H02H9/06H03K5/24
    • Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur elektronischen Ansteuerung von triggerbaren Überspannungsableitern wie Funkenstrecken, Mehrelektroden-Gasableiter oder dergleichen Mittel, wobei mindestens ein Leistungshalbleiter von einer Schaltstufe bei Erkennung eines Überspannungsereignisses aktiviert wird und der Leistungshalbleiter ausgangsseitig mit einem Triggereingang des Überspannungsabieiters in Verbindung steht. Erfindungsgemäß ist die Schaltstufe als Steuer- und Auswerteeinheit für die Erkennung transienter Überspannungsereignisse ausgebildet und besitzt erstens ei ne Impulserkennungsstufe, welche eine Impulserkennung pegelsensitiv oder steilheitsabhängig ermöglicht, sowie zweitens einen Mikrokontroller oder dergleichen Mittel zur Ereignisbewertung Der Mikrokontroller führt ausgangsseitig auf den Steuerungseingang des Leistungshalbleiters. Zwischen dem Ausgang des Leistungshalbleiters und dem Triggereingang des Überspannungsabieiters ist ein schnellschaltender Gleichrichter vorgesehen.
    • 本发明涉及一种用于触发避雷器如火花隙,多电极气体放电管或类似装置的电子控制电路装置,所述至少一个功率半导体由开关电路在检测到过电压事件的与功率半导体是在输出侧在连接电涌放电器的一个触发输入激活。 根据本发明的开关级被设计为用于检测瞬态过电压事件的控制和评估单元和首先具有EI NE脉冲检测电平,这使得脉冲检测电平敏感或斜率依赖性,其次,微控制器或用于事件评估等手段微控制器执行所述输出侧到所述功率半导体的控制输入端。 功率半导体的输出和所述电涌放电器的触发输入之间,提供了一种快速切换整流器。
    • 10. 发明申请
    • ELEKTRONISCHE SICHERUNG FÜR EINE, AN EIN NIEDERVOLT-GLEICHSPANNUNGSNETZ ANSCHLIEßBARE LAST
    • WO2018149649A3
    • 2018-08-23
    • PCT/EP2018/052456
    • 2018-02-01
    • DEHN + SÖHNE GMBH + CO. KG
    • BÖHM, ThomasSCHORK, Franz
    • H02H3/087H02H3/20H02H3/38H02H9/04
    • Die Erfindung betrifft eine elektronische Sicherung für eine, an einem Niedervolt-Gleichspannungsnetz anschließbare Last (RL), bestehend aus zwischen Eingangsklemmen und der Last angeordneten Baugruppen, diese umfassend eine Spannungsüberwachungseinheit (TVS1, R1), eine Stromüberwachungseinheit (Shunt, OPV) sowie Halbleiterschalteinheiten (MOSFET) und diesen zugeordnete Steuerungen (uC). Erfindungsgemäß ist an den Eingangsklemmen eine Reihenschaltung aus einer TVS-Diode (TVS1) und einem Widerstand (R1) angeschlossen, wobei der Widerstand mit einem ersten Anschluss (2) eines MikroControllers (uC) in Verbindung steht und der resultierende Spannungsabfall am Widerstand bei überspannungsbedingtem Erreichen der Durchbruchspannung an der TVS-Diode dem MikroController ein Überspannungserkennungssignal liefert. Ein zweiter Anschluss (2) des MikroControllers steht mit einer ersten Halbleiterschalteinheit (MOSFET) in Verbindung, wobei die erste Halbleiterschalteinheit als Längsschalter in Reihe zur Last (RL) liegt, wobei der Mikrocontroller die erste Halbleiterschalteinheit sperrt, wenn das Überspannungserkennungssignal anliegt. In Reihe zur Last liegt ein Shunt als Stromüberwachungseinheit, wobei der Spannungsabfall am Shunt vom Mikrocontroller über einen dritten Anschluss (3) analysiert und bei erkanntem, einen Schwellwert übersteigenden Überstrom die Last mittels der ersten Halbleiterschalteinheit abgeschalten wird. Weiterhin ist zwischen den Eingangsklemmen ein MOS-GATE-Thyristor (MGT) angeschlossen, dessen Steuereingang mit einem vierten Anschluss (4) des MikroControllers in Verbindung steht, derart, dass bei anliegendem Überspannungserkennungssignal der MOS-GATE-Thyristor in den Einschaltzustand versetzbar ist.