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    • 1. 发明申请
    • DISPOSITIF IMAGEUR CMOS À GÉOMÉTRIE OPTIMISÉE ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN TEL DISPOSITIF PAR PHOTOCOMPOSITION.
    • 具有优化形状的CMOS成像装置,以及通过光刻技术生产这样的器件的方法
    • WO2014006214A1
    • 2014-01-09
    • PCT/EP2013/064320
    • 2013-07-05
    • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVESTRIXELL
    • ROHR, PierreMARTIN, Jean-LucBOSSET, BrunoDUPONT, Bertrand
    • H01L27/146
    • H01L27/14607H01L27/14603H01L27/14663H01L27/14687H01L31/0272H01L31/0296H01L31/02966H01L31/0304H01L31/032H04N5/3696H04N5/3742H04N5/376H04N5/378
    • L'invention se situe dans le domaine des dispositifs imageurs numériques, notamment des dispositifs destinés à l'imagerie médicale par rayons X. Elle concerne un dispositif imageur comprenant des pixels adressés individuellement par des circuits d'adressage et un procédé de réalisation d'un tel dispositif imageur par photolithographie. Le dispositif imageur comporte un capteur (61 ) de superficie supérieure ou égale à 10 cm2 et comprenant : ■ une zone image (23) réalisée sur un seul substrat (22) et comportant un ensemble de pixels (24) agencés selon des lignes et des colonnes, le nombre de pixels par colonne n'étant pas uniforme pour toutes les colonnes de pixels, chaque pixel (24) collectant des charges électriques générées par un élément photosensible, ■ des conducteurs de ligne reliant les pixels ligne par ligne, ■ des conducteurs de colonne reliant les pixels colonne par colonne, ■ des blocs (12) d'adressage de lignes reliés aux conducteurs de lignes pour adresser individuellement chaque ligne de pixels, et ■ des blocs de lecture de colonnes reliés aux conducteurs de colonne pour lire les charges électriques collectées par les pixels (24) de la ligne sélectionnée par les blocs (12) d'adressage de lignes, les blocs (13) de lecture de colonnes étant situés à la périphérie de la zone image (23), les blocs (12) d'adressage de lignes et les blocs (13) de lecture de colonnes étant réalisés sur le même substrat (22) que la zone image.
    • 本发明涉及数字成像装置的领域,特别是涉及用于X射线医学成像的装置。 本发明涉及包括由寻址电路单独寻址的像素的成像装置以及通过光刻制造这种成像装置的方法。 成像装置包括其表面积大于或等于10cm 2的传感器(61),其包括:在单个基板(22)上产生并包括一组像素(24)的图像区域(23) ),对于所有像素列,每列的像素数不均匀,每个像素(24)收集由感光元件产生的电荷; 线状导线,逐行连接像素; 列导柱逐列连接像素; 线路寻址单元(12),其连接到线路导体,以单独寻址每个像素线; 以及连接到列导体的列读取单元,以便读取由行寻址单元(12)选择的行的像素(24)收集的电荷,列读取单元位于图像区域的周边( 23),行寻址单元(12)和列读取单元在与图像区域相同的基板(22)上产生。
    • 3. 发明申请
    • DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE MATRICIEL PRESENTANT UNE ELECTRODE SUPERIEURE TRANSPARENTE
    • 具有透明超级电极的矩阵光电子器件
    • WO2017108670A1
    • 2017-06-29
    • PCT/EP2016/081699
    • 2016-12-19
    • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVESISORGTRIXELL
    • BENWADIH, MohammedCHARLOT, SimonVERILHAC, Jean-MarieJOIMEL, JérômeROHR, Pierre
    • H01L27/30H01L51/44H01L27/146
    • H01L27/308H01L27/14636H01L51/441H01L51/445Y02E10/549
    • Dispositif optoélectronique matriciel comprenant un substrat (S) sur lequel est déposée une matrice (MEI) d'électrodes (EI) dites inférieures; une structure active (STA), de préférence continue et organique, agencée au dessus de ladite matrice d'électrodes inférieures, adaptée pour détecter un rayonnement lumineux; et au moins une électrode dite supérieure (ES) s'étendant au-dessus de ladite structure active, ladite électrode supérieure étant transparente au rayonnement lumineux émis ou détecté par la structure active; ainsi qu'au moins un élément conducteur (C2) porté par le substrat sans interposition de ladite structure active et relié à ladite électrode supérieure par au moins une interconnexion verticale (IV), ledit élément conducteur présentant une conductivité électrique supérieure à celle de ladite électrode supérieure. Le dispositif peut comprendre également une couche en matériau scintillateur (SC) fixée à ladite électrode supérieure, de manière à constituer un imageur à rayons X.
    • 包含具有DéPOSéËDé电极的矩阵(MEI)(EI)的基板(S)装置光电é矩阵电子所述下éEXTERIORFEATURES; 具有连续和有机预测的有源结构(STA),布置在所述下电极矩阵之上,适于检测光辐射; 和所述至少一个称为SUPé更高(ES)S'é以上趋向所述活性结构é电极,DE电极SUPéé为透明的,以光E辐射更高;设定或DE TECTDé 由积极的结构; 以及至少一名驾驶员(C2) 通过衬底而不插入所述有源和连接结构 À 所述上电极通过至少一个垂直互连(IV),所述导电元件具有导电性; 更高的电气& 所述上电极的厚度。 该装置还可以包括连接到该装置的闪烁体材料层(SC)。 所述上电极以这种方式 构成一个影像和雕刻; X射线。

    • 6. 发明申请
    • MISE EN COMMUN DE DEUX COLONNES DE PIXELS D'UN DETECTEUR D'IMAGES
    • 图像检测器像素的两个柱的沉积
    • WO2015071140A1
    • 2015-05-21
    • PCT/EP2014/073764
    • 2014-11-05
    • TRIXELL
    • WIRTH, ThibautBOSSET, BrunoMARECAUX, SimonVENIN, ClaudeROHR, Pierre
    • H04N5/378H01L27/146
    • H04N5/378H01L27/14603H01L27/14634H01L27/14636H01L27/14643H04N5/374
    • Selon l'invention, le détecteur d'images (100; 110; 120; 130; 200; 300; 400; 500) comprend un capteur (101; 111; 121; 131; 201; 301; 401; 501 ) réalisé sur un premier substrat monolithique (12) comprenant un ensemble de pixels (P(i,j)) organisé en matrice (13) selon des lignes (Li) et des colonnes (Cj) et configuré de façon à générer des signaux en fonction d'un rayonnement frappant le détecteur (100; 200; 300; 400), des conducteurs de colonne (Yj), chacun reliant les pixels (Pi,j) d'une même colonne (Cj) et destinés à transporter les signaux générés par les pixels, au moins un plot de contact (14, 140) situé à la périphérie du premier substrat (12) et en dehors de la matrice (13) de pixels (P(i,j)) et relié aux conducteurs de colonne (Cj). Au moins deux conducteurs de colonne (Yj) sont connectés ensemble sur le premier substrat (12) en dehors de la matrice (13) de pixels (P(i,j)) et les conducteurs de colonne (Yj) connectés ensemble convergent vers le au moins un plot de contact (14, 140).
    • 根据本发明,图像检测器(100; 110; 120; 130; 200; 300; 400; 500)包括一个传感器(101; 111; 121; 131; 201; 301; 401; 501) 基板(12),其包括以行(Li)和列(Cj)组织在矩阵(13)中的一组像素(P(ij)),并且被配置为基于发射到所述检测器(100; 200)上的信号 ; 300; 400); 列导体(Yj),每个连接相同列(Cj)的像素(Pi,j)并被设计成传输由像素产生的信号; 以及至少一个接触柱(14,140),其位于所述第一基板(12)的外围并且位于像素(P(i,j))的矩阵(13)外部并连接到所述列导体(Cj)。 在像素(P(i,j))的矩阵(13)外部的第一基板(12)上至少两列列导体(Yj)彼此连接,并且彼此连接的列导体(Yj)朝向 所述至少一个接触螺柱(14,140)。