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    • 1. 发明申请
    • PROCÉDÉ POUR LA RÉALISATION D'UNE CAPACITÉ
    • 生产电容器的方法
    • WO2014016147A2
    • 2014-01-30
    • PCT/EP2013/064863
    • 2013-07-12
    • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVESSTMICROELECTRONICS SA
    • LAMY, YannGUILLER, OlivierJOBLOT, Sylvain
    • H01G4/33H01L49/02H01L21/02
    • H01G4/306H01G4/33H01G4/38H01L28/87H01L28/91H05K1/181
    • L'invention a trait à un procédé pour la réalisation d'une capacité comprenant une formation d'un empilement capacitif dans une portion d'un substrat (112), le procédé comportant : la formation d'une cavité (165) suivant l'épaisseur de la portion du substrat (112) à partir d'une face supérieure dudit substrat (112), le dépôt d'une pluralité de couches participant à l'empilement capacitif sur la paroi de la cavité (165) et sur la surface de la face supérieure et un enlèvement de la matière des couches jusqu'à la surface de la face supérieure, caractérisé en ce que la formation de la cavité (165) comporte la formation d'au moins une tranchée (164) et, associé à chaque tranchée (164), d'au moins un caisson (163), ladite au moins une tranchée (164) comportant une embouchure de tranchée débouchant dans le caisson (163), ledit caisson (163) comportant une embouchure de caisson débouchant au niveau de la surface de la face supérieure, l'embouchure de caisson étant formée plus grande que l'embouchure de tranchée.
    • 本发明涉及一种用于制造电容器的方法,包括在衬底(112)的一部分中形成电容器堆叠,所述方法包括:沿着衬底(112)的部分的厚度形成空腔(165) )从所述衬底(112)的上表面沉积有助于所述电容器叠层的多个层到所述空腔(165)的壁上并沉积到所述上表面的表面上,并且从所述层中去除物质 直到达到上表面的表面,其特征在于,空腔(165)的形成包括形成至少一个槽(164),并且与至少一个箱(163)的每个沟槽(164)相关联, ,所述至少一个沟槽(164)包括通向所述盒(163)的沟槽出口,所述盒(163)包括在所述上表面的所述表面处开口的盒出口,所述盒出口被成形为 大于沟渠出口。