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    • 1. 发明申请
    • DEPOT SELECTIF DE NANOPARTICULES
    • 选择性纳米沉积物
    • WO2011058238A1
    • 2011-05-19
    • PCT/FR2010/000731
    • 2010-11-03
    • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVESDIJON, JeanJOYEUX, XavierPINSON, Jean
    • DIJON, JeanJOYEUX, XavierPINSON, Jean
    • C25D13/04H01L21/768
    • C25D13/04B82Y30/00B82Y40/00H01L21/28556H01L21/76814H01L21/76876H01L21/76879H01L2221/1094
    • L'invention concerne un procédé de dépôt de nanoparticules en un matériau isolant, semi-conducteur ou conducteur sur des zones déterminées, en un matériau conducteur ou semi-conducteur, d'un substrat ainsi qu'un procédé de fabrication d'électrodes. Le procédé de l'invention comprend les étapes de a) création autour des zones Z, de zones I en un matériau isolant, lorsque ces zones I ne sont pas déjà présentes, b) dépôt, par électrogreffage, sur le matériau conducteur ou semi-conducteur constituant les zones Z d'un polymère P préparé à partir d'un sel de diazonium ou de monomères vinyliques ou d'un mélange de ceux-ci, c) enrobage des nanoparticules avec un matériau d'enrobage comprenant une molécule bifonctionnelle apte à créer une liaison avec les nanoparticules et une liaison avec le polymère P, d) mise en suspension des nanoparticules enrobées obtenues à l'étape c) dans un solvant, de préférence une solution du matériau d'enrobage utilisée à l'étape c), e) immersion du substrat S obtenu à l'étape b) dans la suspension obtenue à l'étape d), et f) élimination du polymère P. L'invention trouve application pour la fabrication d'électrodes, en particulier.
    • 本发明涉及一种用于将由绝缘,半导体或导电材料制成的纳米颗粒沉积到由位于基底上的导电或半导体材料制成的预定区域上的方法。 本发明还涉及一种用于制造电极的方法。 本发明的方法包括以下步骤:a)当所述区域I不存在时,在区域Z周围产生绝缘材料区域I; b)通过电移植将由重氮盐或乙烯基单体盐或其混合物制备的聚合物P沉积在形成区域Z的导电或半导体材料上; c)用包括能够与纳米颗粒形成键和与聚合物P的键的双官能分子的涂层材料涂覆纳米颗粒; d)将步骤c)中得到的涂覆的纳米颗粒悬浮在溶剂,优选步骤c)中使用的涂料溶液中; e)将步骤b)中获得的基材S浸入步骤d)中获得的悬浮液中; 和f)除去聚合物P.本发明特别适用于制造电极。