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    • 5. 发明申请
    • PROCEDE DE PREPARATION D'UN REVETEMENT MULTICOUCHE DE CERAMIQUES CARBURES SUR, ET EVENTUELLEMENT DANS, UNE PIECE EN UN MATERIAU CARBONE, PAR UNE TECHNIQUE D'INFILTRATION REACTIVE A L'ETAT FONDU RMI
    • 使用RMI反应性熔融渗透技术制备多层碳化硅陶瓷涂层的方法,并且可能地使用碳材料的一部分
    • WO2014135700A1
    • 2014-09-12
    • PCT/EP2014/054507
    • 2014-03-07
    • COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVESCENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
    • ALLEMAND, AlexandreGUILLERMIN, EdouardLE PETITCORPS, Yann
    • C04B41/89
    • C23C24/10C01B32/956C04B41/009C04B41/52C04B41/89C04B35/522C04B35/83C04B41/4523C04B41/4556C04B41/5059C04B41/5057C04B41/5061C04B41/522C04B41/5096
    • Procédé de préparation d'un revêtement multicouche de carbures de métaux sur au moins une surface d'une première couche en carbone d'un substrat, et éventuellement sous ladite surface à l'intérieur de ladite première couche en carbone, par une technique d'infiltration réactive à l'état fondu, dans lequel on réalise les étapes a) à d) successives suivantes : a) on met en contact la surface avec un disiliciure de métal MSi 2 solide dans lequel M est choisi parmi l'Hafnium, le Titane, et le Tantale; b) on chauffe le substrat, et le disiliciure de métal jusqu'à une température T P supérieure à la température de fusion du disiliciure de métal; c) on observe un palier à la température T P pendant une durée suffisante pour que le disiliciure de métal réagisse avec le carbone et forme un premier revêtement multicouche comprenant une couche dense et continue constituée par du SiC, intégralement recouverte par une couche dense et continue constituée de MC; d) on refroidit la pièce pourvue du premier revêtement multicouche; puis, à l'issue de l'étape d), on réalise en outre éventuellement l'étape e) suivante : e) on dépose à la surface du premier revêtement multicouche une deuxième couche de carbone; à l'issue de l'étape d) ou de l'étape e), on réalise en outre des étapes f) à i) successives analogues aux étapes a) à d); ou bien, à l'issue de l'étape d) ou de l'étape e), on réalise en outre éventuellement une étape j) analogue à l'étape e); puis on dépose éventuellement une couche de SiC.
    • 本发明涉及一种使用反应性熔体渗透法在基材的第一碳层的至少一个表面上以及可能在第一碳层内的所述表面下制备金属碳化物多层涂层的方法,其中以下连续步骤 a)至(d):(a)使表面与其中M选自铪,钛和钽的固体金属二硅化物MSi2接触; (b)将基材和金属二硅化物加热到大于金属二硅化物熔融温度的温度TP; (c)在温度TP下观察到足够使金属二硅化物与碳反应的持续时间的水平,并形成第一多层涂层,该第一多层涂层包括由SiC组成的致密连续层,完全被由MC组成的致密连续层 ; (d)冷却第一多层涂层的部件; 那么在步骤(d)结束时,可选地执行以下步骤(e):(e)在第一多层涂层的表面上沉积第二碳层; 在步骤(d)或步骤(e)结束时,进行类似于步骤(a)至(d)的进一步的连续步骤(f)至(i),或者在步骤(d)或步骤 (e)进一步任选地执行类似于步骤(e)的步骤(j),然后可选地沉积一层SiC。