会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 1. 发明申请
    • ELEMENT MAGNETIQUE INSCRIPTIBLE.
    • 可写磁元件
    • WO2012056348A1
    • 2012-05-03
    • PCT/IB2011/054480
    • 2011-10-11
    • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUECOMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVESUNIVERSITE JOSEPH FOURIERINSTITUT CATALÀ DE NANOTECNOLOGIA (ICN)INSTITUCIO CATALANA DE RECERCA I ESTUDIS AVANCATS (ICREA)GAUDIN, Gilles LouisMIRON, Ioan MihaiGAMBARDELLA, PietroSCHUHL, Alain
    • GAUDIN, Gilles LouisMIRON, Ioan MihaiGAMBARDELLA, PietroSCHUHL, Alain
    • G11C11/14G11C11/16H01L27/22
    • H01L43/08G11C11/161G11C11/1675G11C11/18H01F10/325H01F10/3254
    • L'Invention est relative à un élément magnétique inscriptible comportant un empilement de couches présentant une couche magnétique d'écriture, caractérisé en ce que l'empilement comporte une couche centrale (13, 53, 100) en au moins un matériau magnétique présentant une aimantation ayant une direction d'aimantation parallèle au plan de la couche centrale (13, 53, 100), celle-ci étant prise en sandwich entre une première (12, 52, 101) et une deuxième (14, 54, 102) couches externes en matériaux non magnétiques, la première couche externe (12, 52, 101) comportant un premier matériau non magnétique et la deuxième couche externe (14, 54, 102) comportant un deuxième matériau non magnétique différent du premier matériau non magnétique, au moins le deuxième matériau non magnétique étant électriquement conducteur, en ce qu'il comporte un dispositif pour faire passer un courant d'écriture à travers la deuxième couche externe (14, 54, 102) et la couche centrale (13, 53, 100) dans une direction de courant parallèle au plan de la couche centrale (13, 53, 100) et faisant un angle a de 90° ± 60°, notamment de 90° ± 30° et plus particulièrement 90° ± 15° avec ladite direction d'aimantation, pour générer dans la couche centrale (13, 53, 100) un champ magnétique effectif, ce courant étant appliqué soit dans un premier sens, soit dans un deuxième sens opposé au premier sens, pour orienter la direction d'aimantation dans un premier sens d'aimantation ou dans un deuxième sens d'aimantation opposé au premier sens d'aimantation.
    • 本发明涉及一种包括含有写磁膜的薄膜多层的可写磁性元件,其特征在于,所述多层包括由至少一种磁性材料制成的中心薄膜(13,53,100),该磁性材料的磁化强度方向平行于 中间膜(13,53,100)的平面被夹在由非磁性材料制成的第一外部膜(12,52,101)和第二外部膜(14,54,102)之间, 包括第一非磁性材料的第一外部膜(12,52,101)和包括与第一非磁性材料不同的第二非磁性材料的第二外部膜(14,54,102)至少 所述第二非磁性材料是导电的,并且所述元件包括用于使写入电流流过第二外部膜(14,54,102)和中央膜(13,53,100)的装置, 方向平行于中心f的平面 (13,53,100),并且与所述磁化方向成90°±60°,特别是90°±30°,特别是90°±15°的角度a,以便在中心膜(13,53)中产生有用的磁场 ,100),使该电流在与第一方向相反的第一方向或第二方向上流动,以便沿着与第一磁化方向相反的第一磁化方向或第二磁化方向定向磁化方向 方向。
    • 2. 发明申请
    • ELEMENT MAGNETIQUE INSCRIPTIBLE
    • 可写磁元件
    • WO2012014132A1
    • 2012-02-02
    • PCT/IB2011/053259
    • 2011-07-21
    • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUECOMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVESUNIVERSITE JOSEPH FOURIERINSTITUT CATALÀ DE NANOTECNOLOGIA (ICN)INSTITUCIO CATALANA DE RECERCA I ESTUDIS AVANCATS (ICREA)GAUDIN, Gilles LouisMIRON, Ioan MihaiGAMBARDELLA, PietroSCHUHL, Alain
    • GAUDIN, Gilles LouisMIRON, Ioan MihaiGAMBARDELLA, PietroSCHUHL, Alain
    • H01L43/08G11C11/16H01F10/32
    • H01L43/08B82Y25/00G11C11/161G11C11/1675G11C11/18H01F10/123H01F10/325H01F10/3254H01F10/3286
    • L'invention est relative à un élément magnétique inscriptible comportant un empilement de couches présentant une couche magnétique d'écriture,caractérisé en ce que l'empilement comporte une couche centrale (13, 53, 90) en au moins un matériau magnétique présentant une direction d'aimantation perpendiculaire au plan de la couche centrale, celle-ci, qui constitue une dite couche magnétique d'écriture, étant prise en sandwich entre une première (12, 52, 91) et une deuxième (14, 54, 92) couches externes en matériaux non magnétiques, la première couche externe (12, 52, 91) comportant un premier matériau non magnétique et la deuxième couche externe (14, 54, 92) comportant un deuxième matériau non magnétique différent du premier matériau non magnétique au moins le deuxième matériau non magnétique étant électriquement conducteur, en ce qu'il comporte d'une part un dispositif pour faire passer un courant d'écriture seulement à travers la deuxième couche externe et la couche centrale, et éventuellement à travers la première couche externe seulement dans le cas où celle-ci est conductrice, ce courant d'écriture circulant dans une direction de courant parallèle au plan de la couche centrale, et d'autre part un dispositif pour appliquer en présence dudit courant d'écriture un champ magnétique d'écriture selon une direction de champ magnétique perpendiculaire au plan de la couche centrale (13, 53, 90), la mémoire étant écrite dans un sens d'aimantation ou dans l'autre en agissant sur le sens du champ magnétique d'écriture qui est appliqué.
    • 本发明涉及一种可写磁性元件,其包括具有磁性写入层的一叠层,其特征在于,所述堆叠包括由至少一种磁性材料制成的中心层(13,53,90),该磁性材料具有磁化方向 平行或垂直于中心层的平面,其中形成这种磁性书写层的所述中心层被夹在由非金属制成的第一(12,52,91)和第二(14,54,92)外层之间 - 磁性材料,包括第一非磁性材料的第一外层(12,52,91)和包括第一非磁性材料以外的第二非磁性材料的第二外层(14,54,92) 其中至少所述第二非磁性材料是导电的,其特征在于,所述元件包括用于仅通过所述第二外层和所述中心层使写入电流通过的装置,并且可选地仅在所述ev中通过所述第一外层 所述写入电流在与所述中心层的平面平行的电流方向上循环的写入电流以及用于在所述写入电流存在下施加磁场中的写入磁场的装置 方向,其垂直于中心层(13,53,90)的平面,通过控制施加的写入磁场的方向,将存储器写入磁化方向之一。
    • 3. 发明申请
    • ELEMENT DE MEMOIRE MAGNETIQUE
    • 磁记忆元件
    • WO2012014131A1
    • 2012-02-02
    • PCT/IB2011/053258
    • 2011-07-21
    • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUECOMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVESUNIVERSITE JOSEPH FOURIERINSTITUT CATALÀ DE NANOTECNOLOGIA (ICN)INSTITUCIO CATALANA DE RECERCA I ESTUDIS AVANCATS (ICREA)GAUDIN, Gilles, LouisMIRON, Ioan MihaiGAMBARDELLA, PietroSCHUHL, Alain
    • GAUDIN, Gilles, LouisMIRON, Ioan MihaiGAMBARDELLA, PietroSCHUHL, Alain
    • G11C11/16
    • G11C11/1675G11C11/161G11C11/1659G11C11/1673G11C11/18
    • L'invention est relative à un élément magnétique inscriptible comportant un empilement de couches présentant une couche magnétique d'écriture, caractérisé en ce que l'empilement comporte une dite couche magnétique d'écriture, à savoir une couche centrale (13, 53, 70, 23, 63, 80) en au moins un matériau magnétique présentant une direction d'aimantation parallèle ou perpendiculaire au plan de la couche centrale, qui est prise en sandwich entre une première (12, 52, 71, 22, 62) et une deuxième (14, 54, 72, 24, 64, 82,) couches externes en matériaux non magnétiques, la première couche externe (12, 52, 71, 22, 62) comportant un premier matériau non magnétique et la deuxième couche externe (14, 54, 72, 24, 64, 82) comportant un deuxième matériau non magnétique différent du premier matériau non magnétique au moins le deuxième matériau non magnétique étant électriquement conducteur, en ce qu'il comporte d'une part un dispositif pour faire passer un courant d'écriture seulement à travers la deuxième couche externe et la couche centrale et éventuellement à travers la première couche externe seulement dans le cas où celle-ci est conductrice, ce courant d'écriture circulant dans une direction de courant parallèle au plan de la couche centrale, et d'autre part, un dispositif pour appliquer un champ magnétique ayant une composante selon une direction de champ magnétique soit parallèle, soit perpendiculaire au plan de la couche centrale (13, 53, 70, 23, 63, 80) et à la direction de courant, et en ce que la direction d'aimantation et la direction de champ magnétique, sont perpendiculaires entre elles.
    • 本发明涉及一种可写磁性元件,包括具有磁写层的一叠层,其特征在于,所述叠层包括这样的磁写层,即中心层(13,53,70,23,63,80) 由至少一个磁性材料制成,该磁性材料具有平行或垂直于中心层的平面的磁化方向,该磁性材料被夹在第一(12,52,72,22,62)和第二(14,54,72)之间 ,24,64,82)由非磁性材料制成的外层,所述第一外层(12,52,72,22,62)包括第一非磁性材料和所述第二外层(14,54,72, 包括除第一非磁性材料之外的第二非磁性材料,其中至少第二非磁性材料是导电的,其特征在于,所述元件包括用于仅通过写入电流的装置 通过第二外层和中心层,并且可选地通过第一外层 外层仅在后者导通的情况下,所述写入电流在平行于中心层的平面的电流方向上循环,以及用于施加具有在一个磁场方向上的分量的磁场的装置, 平行或垂直于中心层(13,53,70,23,63,80)的平面并且与电流方向平行或垂直,并且磁化方向和磁场方向相互垂直。