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1. 发明申请

WO2021140157A1 VERFAHREN ZUR KOMPENSATION EINER BEWEGUNG UND PROJEKTIONSBELICHTUNGSANLAGE FÜR DIE HALBLEITERLITHOGRAPHIE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021140157A1
公开(公告)日：2021-07-15
申请号：PCT/EP2021/050196
申请日：2021-01-07
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH
发明人： JANSSEN, Frank , BOOM, Joris, Van, Den , TUDOROVSKIY, Timur , SCHNEIDER, Eva , KEMP, Alexander
IPC分类号： G02B7/18 , G03F7/20 , G02B7/181 , G03F7/70258 , G03F7/705 , G03F7/70825 , G03F7/7085 , G03F7/70891
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Korrektur der Lagebestimmung mindestens eines optischen Elementes (38) in einer Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithographie, wobei eine Transformation eines temporären Koordinatensystems eines Sensorrahmens (30) auf ein Originalkoordinatensystem vorgenommen wird, umfassend folgende Schritte - Definition eines Originalkoordinatensystems des Sensorrahmens (30) - Bestimmung des temporären Koordinatensystems für einen bestimmten Zeitpunkt - Bestimmung mindestens eines Korrekturwertes zur Lagebestimmung unter Verwendung einer durch die vorangegangenen Schritte ermittelten Transformationsvorschrift. Weiterhin betrifft die Erfindung eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithographie, umfassend ein optisches Element (38), einen Tragrahmen (33) zur Aufnahme des optischen Elementes (38) und einen Sensorrahmen (30) zur Aufnahme eines Sensors (40) zur Positionsmessung des optischen Elementes (38), wobei der Tragrahmen (33) und der Sensorrahmen (30) mechanisch voneinander entkoppelt sind. Weiterhin umfasst die Projektionsbelichtungsanlage ein Deformationskompensationsmodul (41) mit einem Sensor (37) zur Erfassung eines physikalischen Zustandes an dem Sensorrahmen (30). Erfindungsgemäß ist das Deformationskompensationsmodul (41) dazu eingerichtet, einen Korrekturwert zur Kompensation der Bewegung des Sensors (40) insbesondere durch eine thermische Erwärmung des Sensorrahmens (30) zu generieren.

2. 发明申请

WO2022156875A1 A METHOD OF SETTING UP A PROJECTION EXPOSURE SYSTEM, A PROJECTION EXPOSURE METHOD AND A PROJECTION EXPOSURE SYSTEM FOR MICROLITHOGRAPHY 审中-公开
公开(公告)号：WO2022156875A1
公开(公告)日：2022-07-28
申请号：PCT/EP2021/050977
申请日：2021-01-19
申请人： CARL ZEISS SMT GMBH , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人： SCHNEIDER, Eva , GRUNER, Toralf , TUDOROVSKIY, Timur
IPC分类号： G03F7/20
摘要： In a method of setting up a projection exposure system for exposing a radiation sensitive substrate with at least one image of a pattern, the projection exposure system comprises an illumination system (ILL) configured to generate illumination radiation (ILR) directed onto the pattern in an illumination field; a projection lens (PO) comprising a plurality of optical elements configured to project a part of the pattern lying in the illumination field onto an image field at the substrate with projection radiation; a measuring system (MS) capable of measuring at least one property of the projection radiation representing an aberration level at a plurality of spaced apart measuring points distributed in the image field; and an operating control system comprising at least one manipulator operatively connected to an optical element of the projection exposure system to modify imaging properties of the projection exposure system based on measurement results generated by the measuring system. The method comprises the step of determining, in a measuring point distribution calculation (MPDC), a measuring point distribution defining a number and positions of measuring points to be used in a measurement, wherein the measuring point distribution calculation (MPDC) is performed under boundary conditions representing at least: (i) manipulation capacities of the operating control system; (ii) measuring capacities of the measuring system; and (iii) predefined use case scenarios defining a set of representative use cases, wherein each use case corresponds to a specific aberration pattern generated by the projection exposure system under a predefined set of use conditions.

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