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1. 发明申请

WO03001601A3 SPACER ETCH MASK FOR SONOS MEMORY 审中-公开
标题翻译：用于SONOS存储器的间隔蚀刻掩模
公开(公告)号：WO03001601A3
公开(公告)日：2003-03-13
申请号：PCT/US0148825
申请日：2001-12-14
申请人： ADVANCED MICRO DEVICES INC
发明人： RAMSBEY MARK T , DERHACOBIAN NARBEH , WANG JANET , HUI ANGELA , PHAM TUAN , SUNKAVALLI RAVI , RANDOLPH MARK
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11568 , H01L27/105 , H01L27/11573
摘要： One aspect of the present invention relates to a method of forming spacers (56) in a SONOS type nonvolatile semiconductor memory device, involving providing a substrate (40) having a core region (42) and periphery region (44), the core region (42) containing SONOS type memory cells (48) and the periphery region (44) containing gate transistors (50); implanting a first implant into the core region (42) and a first implant into the perifery region (44) of the substrate (40); forming a spacer material (52) over the substrate (40); masking the core region (42) and forming spacers (56) adjacent the gate transistors (50) in the perifery region (44); and implanting a second implant into the perifery region (44) of the substrate (40).
摘要翻译：本发明的一个方面涉及一种在SONOS型非易失性半导体存储器件中形成间隔物（56）的方法，包括提供具有芯区（42）和周边区（44）的基底（40），芯区（ 42），包含SONOS型存储单元（48）和包含栅极晶体管（50）的外围区域（44）; 将第一植入物植入所述芯区域（42）中并将第一植入物植入所述基底（40）的所述外围区域（44）中; 在衬底（40）上形成间隔物（52）; 掩蔽所述芯区域（42）并在所述外形区域（44）中形成与所述栅极晶体管（50）相邻的间隔物（56）。以及将第二植入物植入到所述基底（40）的外围区域（44）中。

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