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2. 发明申请

WO2012023662A1 멀티셀 구조를 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법 审中-公开
标题翻译：具有多细胞结构的发光二极管及其制造方法
公开(公告)号：WO2012023662A1
公开(公告)日：2012-02-23
申请号：PCT/KR2010/007668
申请日：2010-11-02
申请人： 한국광기술원 , 김상묵 , 백종협 , 이광철 , 오화섭 , 유은미 , 박재우 , 박준모
发明人： 김상묵 , 백종협 , 이광철 , 오화섭 , 유은미 , 박재우 , 박준모
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/08 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016
摘要： 본 발명은 다수의 단위셀을 포함하는 멀티 셀 구조를 갖는 발광다이오드에 관한 것으로써, 기존의 n형 반도체층의 전극형성을 위한 메사식각 영역과 p형 반도체층과의 컨택을 위해 형성되는 본딩 패드로 인한 발광다이오드면의 광손실을 줄이고, 광 효율을 높이는 발광다이오드에 관한 것이다. 또한, 종래기술과 동일한 칩(chip) 제작공정을 거치더라도 칩 사이즈(Chip size)의 조절이 가능하여, 서로 다른 사이즈의 칩을 제작 할 수 있는 발광다이오드에 관한 것이다. 보다 더 구체적으로 본 발명의 일측면에 의하면, 투광성 기판(Substrate); 상기 투광성 기판상에 순차적으로 형성되는 제 1반도체층, 활성층 및 제 2반도체층; 상기 제 2반도체층 및 활성층의 일부영역이 제거되어 서로 이격되어 형성되는 복수의 홀(hole); 상기 복수의 홀(hole) 중 일부의 홀(hole)을 통해 상기 제 1반도체층과 컨택(contact)되며, 그 상면이 외부로 노출되도록 형성되는 제 1전극; 상기 제 1전극의 측면 둘레를 감싸서 상기 제 1반도체층과 제 2반도체층의 쇼트(short)를 방지하는 제 1보호막; 상기 복수의 홀(hole) 중 상기 제 1전극이 형성되지 아니한 홀의 측면 및 하부면에 형성되는 제 2보호막; 상기 제 2보호막 및 상기 제 2반도체층 상에 형성되는 반사층 또는 전류확산층; 및 상기 반사층 또는 전류확산층상에 형성되는 제 2전극;을 구비하는 단위셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티셀(Muti-Cell) 구조를 갖는 발광다이오드를 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种具有多单元结构的发光二极管，该多单元结构包括多个单位单元，由于形成用于在现有的单元单元之间的接触形成的接合焊盘，减少了光损耗并提高了发光二极管表面的光学效率用于形成n型半导体层的电极和p型半导体层的台面蚀刻区域。另外，即使使用与现有技术相同的芯片制造工艺，本发明允许调整芯片尺寸，从而制造不同尺寸的芯片。更具体地，本发明的一个方面提供了具有包括单元电池的多单元结构的发光二极管，包括：透明基板; 依次形成在透明基板上的第一半导体层，有源层和第二半导体层; 通过去除所述第二半导体层和所述有源层的一部分而彼此分开形成的多个孔; 第一电极，其通过所述多个孔中的一些孔与所述第一半导体层接触，并且其上表面暴露于所述外部; 第一保护层，其围绕所述第一电极的横向周边以防止所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的短路; 形成在不形成第一电极的孔的侧面和下表面的第二保护层; 形成在第二保护层和第二半导体层上的反射层或电流扩散层; 以及形成在反射层或电流扩散层上的第二电极。

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