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1. 发明申请

WO2011046372A2 3족 질화물 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：WO2011046372A2
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：PCT/KR2010/007032
申请日：2010-10-14
申请人： 주식회사 에피밸리 , 김창태 , 김현석 , 남기연 , 이태희 , 안현수 , 김종혁
发明人： 김창태 , 김현석 , 남기연 , 이태희 , 안현수 , 김종혁
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/38 , H01L2933/0091
摘要： 본 개시는 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층과 활성층의 상,하부에 각각 배치되는 3족 질화물 반도체층을 포함하는 복수의 3족 질화물 반도체층; 복수의 3족 질화물 반도체층 위에 위치하며, 상면과 하면을 가지는 투광성 전극으로, 상면이 제거되되 하면이 들어나지 않도록 홈이 형성되어 있는 투광성 전극; 그리고, 홈의 저면에 형성되고 활성층에서 생성된 빛을 스캐터링하는 돌기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
摘要翻译：
本公开的多个III族氮化物半导体层，其包括即上部和设置在所述有源层和所述有源层的下部分中使用的电子和空穴的复合来产生光的III族氮化物半导体层构成; 多个位于上方III族氮化物半导体层的，具有一顶表面和底表面，当形成槽，以防止它从含有doedoe上表面被去除的透明电极的透光性电极; 并且在凹槽的底表面上形成突起并且散射在有源层中产生的光。

2. 发明申请

WO2010064870A2 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：WO2010064870A2
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/KR2009/007236
申请日：2009-12-04
申请人： 주식회사 에피밸리 , 김창태 , 남기연 , 이태희
发明人： 김창태 , 남기연 , 이태희
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20
摘要： 본 개시는 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 발생하는 반도체 발광소자에 있어서, 전자와 정공의 재결합을 위한 전류를 공급하는 제1 본딩 전극 및 제2 본딩 전극; 제1 본딩 전극으로부터 뻗어 있는 제1 가지 전극 및 제2 가지 전극; 제2 본딩 전극으로부터 뻗어 있고, 제1 가지 전극과 제2 가지 전극 사이에서 제1 가지 전극에 대하여 제1 간격을 두며 제2 가지 전극에 대하여 제1 간격 보다 좁은 제2 간격을 두고 위치하는 제3 가지 전극;을 포함하며, 제2 가지 전극은 제1 가지 전극 보다 발광소자의 중심에서 멀리 위치하며, 제3 가지 전극은 제2 가지 전극 보다 발광소자의 중심에서 더 멀리 위치하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
摘要翻译：半导体发光器件技术领域本发明涉及一种半导体发光器件，并且更具体地涉及一种通过电子和空穴的复合产生光的半导体发光器件，第一接合电极和第二接合电极; 从第一接合电极延伸的第一分支电极和第二分支电极; 2从接合电极，所述第一分支电极和第二分支dumyeo到延伸第一距离相对于权利要求3的电极之间的第一分支电极，其离开比相对于所述第二指状电极的第一间隙位置的窄第二间隙其中第二分支电极位于比第一分支电极更远离发光元件中心的位置，第三分支电极位于比第二分支电极更远离发光元件中心的位置。发射装置。

3. 发明申请

WO2011010881A2 3족 질화물 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译： III类氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：WO2011010881A2
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/KR2010/004823
申请日：2010-07-22
申请人： 주식회사 에피밸리 , 남기연 , 김현석 , 김창태
发明人： 남기연 , 김현석 , 김창태
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/22
摘要： 본 개시의 일 예에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자는 기판; 상기 기판 위에 구비되고, 순차로 적층되는 복수의 반도체층을 가지며, 상기 복수의 반도체층에 의해 정의되는 측면과 상면 및 상기 기판과 접하는 하면을 가지는 다층구조 반도체층; 상기 측면에 의해 정의되는 제1 스캐터링면; 및 상기 상면과 상기 측면이 만나는 부분에 형성되는 단차(step)에 의해 정의되는 제2 스캐터링면;을 포함한다. 본 개시에 따른 3족 질화물 반도체 발광소자의 일 예에 의하면, 광추출효율과 전기적인 특성을 향상시킬 수 있다.
摘要翻译：根据本公开的一个实施例，III族氮化物半导体发光器件包括：衬底; 形成在所述基板上的多层结构半导体层，包括多个顺序层叠的半导体层，所述多个半导体层的侧表面和顶表面由所述多个半导体层限定，并且其底表面与所述基板接触; 由侧面限定的第一散射面; 以及由在顶表面和侧表面相交的部分处形成的台阶限定的第二散射面。根据本公开实施例的III族氮化物半导体发光器件实现了提高的光提取效率和电特性。

4. 发明申请

WO2009154409A2 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2009154409A2
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：PCT/KR2009/003267
申请日：2009-06-18
申请人： 주식회사 에피밸리 , 김창태 , 남기연 , 김현석
发明人： 김창태 , 남기연 , 김현석
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38
摘要： 본 발명은 하면과 상면을 구비하며, 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 반도체층; 복수개의 반도체층의 하면 측에 위치하는 기판; 복수개의 반도체층의 상면 측에서 복수개의 반도체층에 전기적으로 연결되고, 재결합을 위한 전류를 공급하는데 사용되는 본딩 와이어; 그리고, 복수개의 반도체층의 상면 측에 위치하는 본딩 와이어의 부분에 대응하는 영역에 형성되며, 이 영역에서 빛의 생성을 억제하는 오목부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体发光器件，包括：具有上表面和下表面的多个半导体层和用于通过使用复合产生光的有源层; 设置在半导体层的下表面侧的基板; 电连接到半导体层的上表面一侧的半导体层并用于提供用于复合的电流的接合线; 以及形成在与位于半导体层的上表面侧的接合线的部分相对应的区域处的凹部，使得凹部抑制所述区域中的光的产生。

5. 发明申请

WO2010064872A2 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2010064872A2
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/KR2009/007241
申请日：2009-12-04
申请人： 주식회사 에피밸리 , 김창태 , 남기연
发明人： 김창태 , 남기연
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20
摘要： 본 개시는 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 전도성을 지니는 제1 반도체층, 제1 전도성과 다른 제2 전도성을 지니는 제2 반도체층, 그리고 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 위치하며, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 반도체층; 복수개의 반도체층과 전기적으로 연결되는 본딩 패드; 복수개의 반도체층에 펼쳐지는 제1 전극; 그리고, 본딩 패드로부터 제1 전극으로 연장되며, 본딩 패드와 제1 전극을 전기적으로 접속시키는 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体发光器件，更具体地说，涉及一种半导体发光器件，包括：具有第一导电性的第一半导体层的多个半导体层，具有第二导电性的第二导电性的第二半导体层第一导电性和介于第一半导体层和第二半导体层之间并通过电子 - 空穴复合产生光的有源层; 电连接到所述多个半导体层的接合焊盘; 第一电极，分布在多个半导体层上; 以及第二电极，其从所述接合焊盘延伸到所述第一电极，并且使所述焊盘和所述第一电极电连接。

6. 发明申请

WO2011008038A2 3족 질화물 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体发光器件
公开(公告)号：WO2011008038A2
公开(公告)日：2011-01-20
申请号：PCT/KR2010/004628
申请日：2010-07-15
申请人： 주식회사 에피밸리 , 김창태 , 남기연
发明人： 김창태 , 남기연
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/02
CPC分类号： H01L33/38
摘要： 본 개시는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서, 전자와 정공의 재결합을 위한 전류를 공급하는 제1 전극 및 제2 전극; 제1 전극에서 뻗어 나온 제1 가지 전극; 및 제2 전극에서 뻗어 나온 가지 전극으로서, 그 두께의 적어도 일부가 제1 가지 전극의 두께와 다른 제2 가지 전극;을 포함하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
摘要翻译： III族氮化物半导体发光器件技术领域本发明涉及III族氮化物半导体发光器件，并且更具体地涉及通过电子和空穴的复合产生光的III族氮化物半导体发光器件，第一电极和第二电极，用于为第一电极提供电流; 从第一电极延伸的第一分支电极; 和指状电极与所述第二电极，至少所述第一厚度的厚度和所述第二电极中的另一个电极的一部分延伸;涉及一种III族氮化物半导体发光器件，包括：。

7. 发明申请

WO2011142619A2 3족 질화물 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：第III组氮化物半导体发光元件
公开(公告)号：WO2011142619A2
公开(公告)日：2011-11-17
申请号：PCT/KR2011/003545
申请日：2011-05-13
申请人： 주식회사 에피밸리 , 남기연 , 정현민
发明人： 남기연 , 정현민
IPC分类号： H01L33/38
CPC分类号： H01L33/20 , H01L33/38
摘要： 본 개시는 제1 도전성을 가지는 제1 질화물 반도체층과, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 질화물 반도체층과, 제1 질화물 반도체층과 제2 질화물 반도체층 사이에 위치하며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층과, 적어도 제2 질화물 반도체층이 일부가 제거되어 형성된 홈과, 제거되어 노출된 제1 질화물 반도체층 위에 형성된 제1 전극과, 제2 질화물 반도체층 위에 형성된 제2 전극과, 제2 질화물 반도체층 및 제2 전극에 전기적으로 연결된 가지 전극으로서 일부가 홈에 위치하는 가지 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 3족 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种III族氮化物半导体发光元件，包括：具有第一类导电性的第一氮化物半导体层; 具有不同于第一类型导电性的第二类型的导电性的第二氮化物半导体层; 位于第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层之间的有源层，并通过电子 - 空穴复合产生光; 通过至少去除所述第二氮化物半导体层的一部分而形成的凹部; 形成在通过去除而暴露的第一氮化物半导体层上的第一电极; 形成在所述第二氮化物半导体层上的第二电极; 以及与第二氮化物半导体层和第二电极电连接并且部分位于凹部的分支电极。

8. 发明申请

WO2011031098A2 반도체 발광소자 审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2011031098A2
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：PCT/KR2010/006191
申请日：2010-09-10
申请人： 주식회사 에피밸리 , 남기연
发明人： 남기연
IPC分类号： H01L33/10
CPC分类号： H01L33/46
摘要： 본 개시는 기판; 기판의 상면에 형성되며 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 방출하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 기판의 하면에 형성되며 기판을 투과한 빛을 반사시키는 금속층; 기판의 하면과 금속층 사이에 위치되며 SiO 2 로 형성된 제1 물질층; 제1 물질층과 금속층 사이에 위치되며 TiO 2 로 형성된 제2 물질층; 및 제2 물질층과 금속층 사이에 위치되며 SiO 2 로 형성된 제3 물질층;을 포함하며, 제1,2,3 물질층은 기판의 하면에서 하방으로 차례로 적층되고 서로 다른 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제공한다.
摘要翻译：公开了一种半导体发光器件。半导体发光器件包括：衬底; 多个半导体层，其形成在所述基板的上表面上并且包括通过重新组合电子和空穴来发射所述光的有源层; 金属层，其形成在所述基板的下表面上以反射穿过所述基板的光; 位于所述基板的下表面和所述金属层之间并且形成有SiO 2的第一材料层; 第二材料层，其位于第一材料层和金属层之间，并且形成有TiO 2; 以及第三材料层，其位于第二材料层和金属层之间，并且由SiO 2形成。半导体发光器件的特征在于，第一，第二和第三材料层从衬底的下表面沿向下的方向顺序堆叠并且具有不同的厚度。

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