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1. 发明申请

WO2012005418A1 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물, 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 이를 이용하는 소자의 패턴 형성 방법 审中-公开
标题翻译：包含用于耐下层的芳族环的复合物，包括其的抗粘附性组合物以及使用其形成装置的图案的方法
公开(公告)号：WO2012005418A1
公开(公告)日：2012-01-12
申请号：PCT/KR2010/008854
申请日：2010-12-10
申请人： 제일모직 주식회사 , 오승배 , 김민수 , 송지윤 , 전환승 , 조성욱
发明人： 오승배 , 김민수 , 송지윤 , 전환승 , 조성욱
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/11
摘要： 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 화합물, 이 화합물을 포함하는 레지스트 하층막 조성물 및 소자의 패턴 형성 방법을 제공한다. 상기 방향족 고리 함유 화합물은 화학식 1-1로 표시되는 반복단위와 화학식 1-2로 표시되는 반복단위를 포함한다.
摘要翻译：提供一种含有抗蚀剂底层用芳环，含有抗蚀剂底层组合物的化合物，以及使用其形成装置的图案的方法。含有芳环的化合物包括由化学式1-1表示的重复单元和由化学式1-2表示的重复单元。

2. 发明申请

WO2011081285A2 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 审中-公开
标题翻译：用于抗蚀剂下层膜的含芳香环的聚合物和含有其的抗蚀剂下层膜组合物
公开(公告)号：WO2011081285A2
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/KR2010/006948
申请日：2010-10-11
申请人： 제일모직 주식회사 , 김민수 , 전환승 , 조성욱 , 오승배 , 송지윤
发明人： 김민수 , 전환승 , 조성욱 , 오승배 , 송지윤
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , C08F12/22 , C08F212/32 , C08F232/08
摘要： 레지스트 하층막용 방향족 고리 함유 중합체　및　이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물을 제공한다.　상기 방향족 고리 함유　중합체는 화학식 1로 표시되는 단위구조를　포함한다.
摘要翻译：提供用于抗蚀剂下层膜的含芳环的聚合物和包含其的抗蚀剂下层膜组合物。含芳环的聚合物包括由式（1）表示的单元结构

3. 发明申请

WO2013100341A1 웨이퍼 식각장치 및 이를 이용한 웨이퍼 식각방법 审中-公开
标题翻译：波形蚀刻装置和使用相同的波形蚀刻方法
公开(公告)号：WO2013100341A1
公开(公告)日：2013-07-04
申请号：PCT/KR2012/008719
申请日：2012-10-23
申请人： 로체 시스템즈(주) , 류기룡 , 박생만 , 김영준 , 박진현 , 오승배
发明人： 류기룡 , 박생만 , 김영준 , 박진현 , 오승배
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32357 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/6833 , H01L21/68735
摘要： Si 웨이퍼를 드라이 방식으로 고속으로 식각할 수 있는 웨이퍼 식각장치 및 이를 이용한 웨이퍼 식각방법이 개시된다. 상기 웨이퍼 식각장치 및 이를 이용한 웨이퍼 식각방법은 용량 결합형 플라즈마 유닛 또는 유도 결합형 플라즈마 유닛과 리모트 플라즈마 유닛을 동시에 장착하여 웨이퍼를 고속으로 식각하여 상기 웨이퍼의 식각 작업 시간을 대폭 단축시킬 수 있음은 물론, 척의 상부면이 불균일한 표면을 가지도록 거칠기 가공되어 상부면과 웨이퍼 사이에 미세 공간이 형성되도록 하여 상기 미세 공간을 통해 냉각가스인 헬륨가스를 공급하여 상기 웨이퍼를 냉각할 수 있도록 함으로써 상기 그루브에 의하여 발생되는 원치 않는 미세 공간에 의한 플라즈마가 발생되는 현상을 방지하여 불필요한 플라즈마에 의하여 웨이퍼가 손상되는 현상을 방지할 수 있다.
摘要翻译：公开了一种用于高速干蚀刻Si晶片的晶片蚀刻装置和使用该晶片蚀刻方法的晶片蚀刻方法，其中同时安装电容耦合等离子体单元或电感耦合等离子体单元和远程等离子体单元以蚀刻晶片从而显着地减少了蚀刻晶片的操作时间。此外，卡盘的上表面被粗糙化以具有不平坦表面，使得在顶表面和晶片之间形成微空间，并且通过微空间将氦气作为冷却气体供应以冷却晶片，由此防止由凹槽产生的不期望的微空间产生等离子体，并从不需要的等离子体损坏晶片。

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