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1. 发明申请

WO2012064001A1 금속막 식각용 조성물 审中-公开
标题翻译：用于蚀刻金属膜的组合物
公开(公告)号：WO2012064001A1
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/KR2011/003427
申请日：2011-05-09
申请人： 오씨아이 주식회사 , 장욱 , 박종희 , 김지찬 , 한지현 , 양세인
发明人： 장욱 , 박종희 , 김지찬 , 한지현 , 양세인
IPC分类号： C23F1/44 , C23F1/10
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/32134 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66742
摘要： 본 발명은 금속막 식각용 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산화제, 식각 조정제, 킬레이트제, 언더컷 방지제, 구리식각 억제제, 잔사 제거제 및 잔량의 물을 포함하는 평판디스플레이용 박막트랜지스터내 게이트 전극 및 데이터 전극으로 사용되는 금속막, 특히 구리, 몰리브덴, 티타늄 및 몰리브텐-티타늄 합금 중에서 선택한 1 종 이상을 포함한, 단일막 또는 다중막을 일괄 습식 식각하는 식각용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 식각 공정에 적용시 새로운 킬레이트제를 활용하여 산화제와 구리 이온과의 급격한 반응을 억제함으로서 식각액의 수명과 안정성이 우수하며, 식각된 금속막의 경사각이 완만하고 CD 손실을 적절히 제어하며, 하부 몰리브덴, 티타늄 또는 몰리브덴-티타늄 합금막의 잔사를 억제하는 좋은 식각 프로파일을 얻을 수 있다. 또한, 휘발 억제제를 추가로 포함할 경우 식각 장비내 석출물 및 이물이 잘 발생되지 않기 때문에 식각 장비 운용에 대한 생산성 향상과 불량율 감소가 가능하다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于蚀刻金属膜的组合物，更具体地，涉及一种蚀刻剂组合物，其包含氧化剂，蚀刻控制剂，螯合剂，底切抑制剂，铜腐蚀抑制剂，残余物去除剂及其余量的水，用于在用于平板显示器的薄膜晶体管中用作栅电极的金属膜和数据电极，特别是单层膜或由选自铜，钼，钛的一种或多种材料组成的多层膜，以及钼钛合金。本发明的组合物通过使用新的螯合剂施加到蚀刻工艺时，抑制氧化剂和铜离子的快速反应，从而提供具有优异的寿命和稳定性的蚀刻剂，具有缓慢斜率的蚀刻金属膜角度，CD损失的适当控制，以及抑制钼，钛或钼钛合金薄膜残留物的良好蚀刻曲线。此外，如果进一步添加挥发抑制剂，则蚀刻设备中的沉淀物和异物生成大大减少，因此可以提高相对于蚀刻设备操作的生产率并降低故障率。

2. 发明申请

WO2015099334A1 질화규소 분말 제조장치 및 제조방법 审中-公开
标题翻译：用于制造氮化硅粉末的装置和方法
公开(公告)号：WO2015099334A1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：PCT/KR2014/012227
申请日：2014-12-11
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 정용권 , 구재홍 , 김신아 , 지은옥 , 한지현
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/64
CPC分类号： C01B21/0682
摘要： 질화규소 분말 제조장치 및 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘 디이미드 합성과 분해가 동일 반응기 내에서 이루어질 수 있도록 하는 질화규소 분말 제조장치 및 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 내부에 반응 공간을 형성하는 반응기 몸체; 원료가스가 상기 반응 공간에서 상향식 흐름을 가지도록 원료가스를 반응기 내부에 각각 공급하는 원료가스 공급부; 상기 반응기 몸체에서 배출되는 부산물을 포집하기 위한 부산물 포집부; 및 상기 반응기 내부에 생성된 생성물인 실리콘 디이미드를 열분해 온도까지 가열하기 위한 가열수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화규소 분말 제조장치를 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造氮化硅粉末的装置和方法，更具体地，公开了一种在同一反应器中制造能够进行硅二酰亚胺合成和分解的氮化硅粉末的装置和方法。本发明提供了一种用于制造氮化硅粉末的设备，包括：在其中形成反应空间的反应器主体; 原料气体供给部，用于在反应器内供给原料气体，使得各原料气体在反应空间内具有向上的流动; 用于捕获从反应器主体排出的副产物的副产物捕获部分; 以及将作为在反应器内产生的产物的硅二酰亚胺加热至热解温度的加热装置。

3. 发明申请

WO2015099333A1 연속식 질화규소 제조장치 및 제조방법 审中-公开
标题翻译：用于连续制造氮化硅的装置和方法
公开(公告)号：WO2015099333A1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：PCT/KR2014/012225
申请日：2014-12-11
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 정용권 , 구재홍 , 김신아 , 지은옥 , 한지현
IPC分类号： B01J19/26 , B01J12/00 , C01B21/082
CPC分类号： C01B21/0682
摘要： 질화규소 제조장치 및 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 연속적으로 질화규소를 제조할 수 있는 연속식 질화규소 제조장치 및 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 염화실란(SiCl 4 ) 가스와 암모니아(NH 3 ) 가스를 각각의 노즐을 통해 공급받아 생성물인 실리콘 디이미드(Si(NH) 2 )와 부산물인 염화암모늄(NH 4 Cl)을 제조하는 합성 장치; 상기 합성 장치로부터 상기 생성물과 상기 부산물의 혼합물을 공급받아 100~1200℃ 온도로 가열하여 상기 부산물을 열분해하고 상기 생성물을 비정질 질화규소(Amorphous Si 3 N 4 )와 암모니아로 열분해하여 상기 비정질 질화규소 제조하는 열분해 반응기; 및 상기 열분해 반응기에서 제조되는 비정질 질화규소를 1200~1700℃ 온도로 가열하여 결정형 질화규소(Crystal Si 3 N 4 )로 결정화시키는 결정화 반응기;를 포함하는 연속식 질화규소 제조장치를 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于连续制造氮化硅的装置和方法，更具体地说，涉及连续制造氮化硅连续制造的装置和方法。本发明提供了一种用于连续制造氮化硅的设备，包括：合成装置，其通过单独的喷嘴接收氯硅烷（SiCl 4）气体和氨（NH 3）气体，并产生产物硅二酰亚胺（Si（NH）2）和副产物，氯铵（NH 4 Cl）; 用于接收来自合成装置的产物和副产物的混合物的热解反应器，并通过在100-1200℃的温度下加热混合物并将产物热解为非晶氮化硅（Si 3 N 4），进行副产物的热解，和氨，从而制造非晶氮化硅; 以及用于在1200-1700℃的温度下加热在热解反应器中制造的非晶氮化硅以使其结晶成晶体氮化硅（Si 3 N 4）的结晶反应器。

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