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    • 2. 发明申请
    • 光導波路の製造方法、及び光学部品
    • 光波导制造方法与光学部分
    • WO2009116591A1
    • 2009-09-24
    • PCT/JP2009/055335
    • 2009-03-18
    • 株式会社 村田製作所熊取谷 誠人藤井 高志平尾 一之三浦 清貴
    • 熊取谷 誠人藤井 高志平尾 一之三浦 清貴
    • G02B6/13
    • G02B6/138
    •  LiTiO 3 からなる基板(LT基板)2に対し、該LT基板2の表面から50μm以内の深さを集光位置Fとし、超短パルスのパルス幅(好ましくは、100fs以下)を有しかつ所定の繰り返し周波数(好ましくは、100~250kHz)波で出射するレーザ光を1.5μJ以上のパルスエネギーで前記基板に照射すると共に、前記レーザ光で前記基板を走査し、前記基板よりも屈折率の高い光伝播部を前記集光位置に形成する。また、レーザの照射源としてフェムト秒レーザを使用する。これにより超短パルスのレーザ光を使用した場合であっても、偏光依存性のない光導波路を容易に製造できるようにする。
    • 将具有超短脉冲宽度(优选不大于100fs)并以预定重复频率(优选为100至250kHz)发射的激光束以1.5μJ以上的脉冲能量施加到基板(一 LT基板)(2),使得聚焦位置F距离LT基板(2)的表面不大于50μm的深度,由LiTiO 3形成。 激光束用于扫描衬底并形成具有比聚焦位置上的衬底更高的折射率的光传播单元。 此外,使用毫微微第二激光器作为激光发射源。 因此,即使当使用超短脉冲激光束时,也可以容易地制造没有偏振依赖性的光波导。
    • 3. 发明申请
    • タンタル酸リチウム単結晶の製造方法
    • 生产钛酸锂单晶的方法
    • WO2007145110A1
    • 2007-12-21
    • PCT/JP2007/061430
    • 2007-06-06
    • 株式会社村田製作所熊取谷 誠人
    • 熊取谷 誠人
    • C30B29/30
    • C30B29/30C30B15/00G02F2202/20
    •  不活性ガスを主成分として含むとともに酸素を0.04体積%以上0.08体積%以下含む第1雰囲気ガス中において原料融液(15)から育成結晶(17)を形成する工程と、不活性ガスを主成分として含み、酸素濃度が0.01体積%以下の第2雰囲気ガス中において育成結晶(17)を冷却する工程と、冷却後の育成結晶(17)をキュリー温度以上に加熱する工程と、加熱後の育成結晶(17)に電流を流しながら育成結晶(17)を冷却する工程と、を含み、育成結晶(17)における(酸化リチウムのモル数)/(酸化リチウムのモル数+酸化タンタルのモル数)が0.49以上0.50以下であるタンタル酸リチウム単結晶の製造方法である。
    • 一种生产锂钽铁矿单晶的方法包括以下步骤:在第一环境气体中以材料熔体(15)形成生长晶体(17),所述第一环境气体包括惰性气体为主要成分,氧为0.04%以上, 不大于0.08%(体积); 在包含以惰性气体为主要成分的第二环境气体和0.01体积%以下的氧气中冷却生长晶体(17); 将冷却的生长晶体(17)加热到居里温度或更高; 并且在加热后允许电流流过生长晶体(17)的同时冷却生长晶体(17)。 在该方法中,生长晶体(17)中氧化锂的摩尔数与氧化锂和氧化钽的摩尔数之和为0.49以上且不大于0.50。
    • 4. 发明申请
    • タンタル酸リチウム単結晶および光学撮像系デバイス
    • 钛酸锂单晶和光学图像拾取器件
    • WO2006123740A1
    • 2006-11-23
    • PCT/JP2006/309934
    • 2006-05-18
    • 株式会社村田製作所熊取谷 誠人
    • 熊取谷 誠人
    • G02B1/02C30B29/30
    • G02B1/02C30B29/30
    •  従来のタンタル酸リチウム単結晶は、光学撮像系デバイスの材料に適用するには波長によって生じる複屈折量の差異が大きく、その分野に導入することは困難と考えられていた。そこで当該課題を解決すべく、LiとTaとMgからなるタンタル酸リチウム単結晶であって、Li/(Li+Ta)のモル比を横軸(x軸)にとり、Mg/Taのモル比を縦軸(y軸)にとった場合、Li/(Li+Ta)のモル比およびMg/Taのモル比を、(0.4937,0.0308)、(0.4937,0.0362)、(0.4970,0.0384)、(0.4970,0.0309)の4点で囲まれる範囲内の値とし、光学撮像系デバイスの材料に用いることを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶を提供する。
    • 本发明提供了一种钽酸锂单晶,其可以解决传统的钽酸锂单晶的问题,即波长之间的双折射水平差异大到将单晶引入光学图像拾取器件的材料领域已经被 被认为是困难的。 本发明的用作光学图像拾取装置的材料的钽酸锂单晶包括Li,Ta和Mg,其特征在于当Li /(Li + Ta)的摩尔比被绘制为横坐标(x轴) )相对于纵坐标(y轴)的Mg / Ta的摩尔比,Li /(Li + Ta)的摩尔比和Mg / Ta的摩尔比分别为包围四点的值(0.4937 ,0.0308),(0.4937,0.0362),(0.4970,0.0384)和(0.4970,0.0309)。
    • 5. 发明申请
    • NTCサーミスタ磁器、及びNTCサーミスタ磁器の製造方法、並びにNTCサーミスタ
    • NTC热敏电阻器,生产NTC热敏电阻器的工艺和NTC热敏电阻器
    • WO2009119681A1
    • 2009-10-01
    • PCT/JP2009/055989
    • 2009-03-25
    • 株式会社 村田製作所古戸 聖浩熊取谷 誠人
    • 古戸 聖浩熊取谷 誠人
    • H01C7/04H01C17/22
    • H01C7/043H01C17/06533H01C17/06553H01C17/30
    •  磁器本体1は、(Mn,Ni) 3 O 4 系、又は(Mn,Co) 3 O 4 系のセラミック材料からなる。第1の相2はスピネル構造を有し、第2の相3は高抵抗の板状結晶からなる。第2の相3は、第1の相中2に分散して存在する。磁器本体1の表面は、レーザ照射により熱印加されて所定パターンの熱印加路4を形成している。この熱印加路4では、第2の相3が消滅し第1の相1と結晶構造的に一体化されている。第2の相3の板状結晶は、焼成工程の降温過程で800°C又はそれ以下の温度域で析出する。熱印加路4を形成することによりNTCサーミスタの抵抗値の調整が容易になる。これにより焼結後においても抵抗値を容易に低く調整することが可能なNTCサーミスタ磁器、その製造方法、及びNTCサーミスタを実現する。
    • 公开了一种NTC热敏电阻瓷器。 还公开了制造NTC热敏电阻瓷器和NTC热敏电阻的工艺。 NTC热敏电阻瓷器包括由(Mn,Ni)3 O 4型或(Mn,Co)3 O 4型的陶瓷材料形成的瓷体(1)。 构成瓷体(1)的陶瓷材料具有尖晶石结构的第一相(2)和具有高电阻的板状晶体的第二相(3)。 第二相(3)在第一相(2)中以分散状态存在。 瓷体(1)的表面具有通过施加由激光束照射产生的热量而形成的具有预定图案的热施加路径(4)。 在热施加路径(4)中,第二相(3)消失,并且与第一相(2)的晶体结构相结合。 第二阶段(3)中的平板晶体在烧制步骤中的降温过程中在800℃或更低的温度区域中沉淀。 热施加路径(4)的形成有助于调节NTC热敏电阻的电阻值。 上述结构可以实现即使在烧结之后也可以容易地将电阻调节到低值的NTC热敏电阻瓷。