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    • 1. 发明申请
    • 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ
    • 半导体激光元件和半导体激光元件阵列
    • WO2006030778A1
    • 2006-03-23
    • PCT/JP2005/016833
    • 2005-09-13
    • 浜松ホトニクス株式会社王 ゆう宮島 博文渡邉 明佳菅 博文
    • 王 ゆう宮島 博文渡邉 明佳菅 博文
    • H01S5/22
    • H01S5/10H01S5/0655H01S5/101H01S5/1085H01S5/4031
    •  半導体レーザ素子3は、n型クラッド層13と、活性層15と、p型クラッド層17とを備える。p型クラッド層17は、活性層15に導波路4を形成するリッジ部9を有する。導波路4は、略一定の曲率(曲率半径R)で湾曲している中心軸線Bに沿って延びている。このような導波路4においては、導波路4内で共振する光のうち空間横モードの次数が高い光ほど損失が大きくなる。従って、横低次モードのレーザ発振を維持しつつ、横高次モードのレーザ発振を抑制することができる。これにより、比較的大きな強度のレーザ光を出射可能であって、横高次モードを抑制できる半導体レーザ素子、及び半導体レーザ素子アレイが実現される。
    • 半导体激光元件(3)设置有n型覆盖层(13),有源层(15)和p型覆盖层(17)。 p型覆盖层(17)具有在有源层(15)上形成波导(4)的脊部(9)。 波导(4)沿着以基本恒定的曲率(曲率半径(R))弯曲的中心轴线(B)延伸。 在这种波导(4)中,在波导(4)中共振的光中,具有较高阶空间横模的光具有较大的损耗。 因此,在以低阶横模保持激光振荡的同时,能够抑制高阶横模的激光振荡。 因此,提供了能够投射具有较高强度并抑制高阶横模的激光束的半导体激光元件和半导体激光元件阵列。