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    • 2. 发明申请
    • ESD保護デバイスおよびその製造方法
    • ESD保护装置及其制造方法
    • WO2012043534A1
    • 2012-04-05
    • PCT/JP2011/072015
    • 2011-09-27
    • 株式会社村田製作所稗圃久美子鷲見高弘足立淳浦川淳築澤孝之
    • 稗圃久美子鷲見高弘足立淳浦川淳築澤孝之
    • H01T4/10H01C7/12H01T1/20H01T2/02
    • H02H9/046H01C7/12H01T1/20H01T2/02H01T4/10
    • 繰り返して静電気を印加しても特性の劣化を生じない、安定した特性を備えたESD保護デバイスおよびその製造方法を提供する。セラミック基材(1)の表面に、対向するように形成された一方側対向電極(2a)と他方側対向電極(2b)とを備えてなる対向電極(2)と、一方側対向電極と他方側対向電極のそれぞれと接し、一方側対向電極から他方側対向電極にわたるように配設された放電補助電極(3)とを具備し、放電補助電極は、金属粒子と、半導体粒子と、ガラス質とを含み、かつ、金属粒子間、半導体粒子間、および金属粒子と半導体粒子の間が、ガラス質を介して結合しているとともに、金属粒子の平均粒子径Xが1.0μm以上であり、放電補助電極の厚みYと、金属粒子の平均粒子径Xとの関係が、0.5≦Y/X≦3の要件を満たす構成とする。
    • 提供了即使在重复施加静电时也具有不劣化的稳定特性的ESD保护装置,以及ESD保护装置的制造方法。 ESD保护装置设置有:相对电极(2),包括第一侧对置电极(2a)和第二侧相对电极(2b),所述第一侧对置电极(2a)和第二侧相对电极(2b)形成为在 陶瓷基材(1); 以及排列辅助电极(3),其布置成与所述第一侧对置电极和所述第二侧相对电极接触,并且从所述第一侧对置电极跨越到所述第二侧 对置电极。 放电辅助电极(3)包括金属颗粒,半导体颗粒和玻璃质材料,并且金属颗粒彼此结合,半导体颗粒彼此结合,金属颗粒和半导体颗粒与每个 其他玻璃质材料插入其间。 金属粒子的平均粒径(X)为1.0μm以上,放电辅助电极的厚度(Y)与金属粒子的平均粒径(X)的关系为 满足0.5 = Y / X = 3的要求。
    • 3. 发明申请
    • ESD保護デバイスおよびその製造方法
    • ESD保护装置及其制造方法
    • WO2011040437A1
    • 2011-04-07
    • PCT/JP2010/066905
    • 2010-09-29
    • 株式会社村田製作所稗圃久美子鷲見高弘足立淳浦川淳築澤孝之
    • 稗圃久美子鷲見高弘足立淳浦川淳築澤孝之
    • H01C7/12H01T4/10H01T4/12
    • H01T4/12H01C7/108H01C7/12H01L23/60H01L27/0288H01L2924/0002H01L2924/09701H01L2924/12044H01T1/20H01T21/00H01L2924/00
    •  繰り返して静電気を印加しても特性の劣化を生じない、安定した特性を備えたESD保護デバイスおよびその製造方法を提供する。 セラミック基材1の内部に、対向するように形成された一方側対向電極2aと他方側対向電極2bとを備えてなる対向電極2と、一方側対向電極と他方側対向電極のそれぞれと接し、一方側対向電極から他方側対向電極にわたるように配設された放電補助電極3とを具備し、放電補助電極は、金属粒子と、半導体粒子と、ガラス質とを含み、かつ、金属粒子間、半導体粒子間、および金属粒子と半導体粒子の間が、ガラス質を介して結合しているとともに、金属粒子の平均粒子径Xが1.0μm以上であり、放電補助電極の厚みYと、金属粒子の平均粒子径Xとの関係が、0.5≦Y/X≦3の要件を満たす構成とする。
    • 公开了一种静电保护装置,即使在重复施加静电的情况下也具有不劣化的稳定特性。 还公开了一种用于制造ESD保护装置的方法。 具体公开了一种ESD保护装置,其特征在于,在陶瓷基体(1)中,具有面对电极(2)的ESD保护装置,所述面对电极由一个面对电极(2a)和另一个面对电极(2b)组成, 以及与对置电极(2a)和另一个面对电极(2b)连接并配置在面对电极和另一个面对电极上的辅助放电电极(3)。 辅助放电电极包含金属颗粒,半导体颗粒和玻璃质材料,并且金属颗粒,半导体颗粒和金属颗粒以及半导体颗粒通过玻璃质材料彼此分别结合。 金属颗粒的平均粒径(X)不小于1.0μm,辅助放电电极的厚度(Y)和金属颗粒的平均粒径(X)满足以下关系:0.5 = Y / X = 3。
    • 5. 发明申请
    • ESD保護デバイス及びその製造方法
    • ESD保护装置及其制造方法
    • WO2010061519A1
    • 2010-06-03
    • PCT/JP2009/005463
    • 2009-10-19
    • 株式会社 村田製作所足立淳浦川淳
    • 足立淳浦川淳
    • H01T4/10H01T2/02H01T4/12
    • H01T4/12H01T1/20H01T21/00
    •  ESD特性の調整や安定化が容易であるESD保護デバイス及びその製造方法を提供する。  (a)絶縁性基板12と、(b)絶縁性基板の内部に形成された空洞部13と、(c)空洞部13内に露出する露出部分を有する、少なくとも一対の放電電極16,18と、(d)絶縁性基板12の表面に形成され、放電電極16,18と接続された外部電極22,24とを有する。放電電極16,18の露出部分の間の空洞部13を形成する底面13s及び天面13pに沿って、絶縁性基板12を形成する絶縁材料中に導電粉末が分散された補助電極14s,14pが形成されている。
    • 公开了ESD保护装置,其中ESD特性可以容易地调节或稳定。 还公开了一种用于制造ESD保护装置的方法。 ESD保护装置包括:(a)绝缘基板(12); (b)形成在所述绝缘基板内的空腔(13); (c)至少一对放电电极(16,18),每个放电电极具有暴露于腔体(13)的暴露部分; 和(d)形成在绝缘基板(12)的表面上并连接到放电电极(16,18)的外部电极(22,24)。 沿着底表面(13s)和顶表面(13p),所述构成空腔(13)的表面形成通过将导电粉末分散在形成绝缘基板(12)的绝缘材料中而获得的辅助电极(14s,14p) 在放电电极(16,18)的暴露部分之间。