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1. 发明申请

WO2009041160A1 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ审中-公开
标题翻译：电介质陶瓷和层压陶瓷电容器
公开(公告)号：WO2009041160A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：PCT/JP2008/064006
申请日：2008-08-05
申请人：株式会社村田製作所 , 大塚正博
发明人：大塚正博
IPC分类号： C04B35/468 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC分类号： H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3279 , C04B2235/3418 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/85 , H01B3/12
摘要：　積層セラミックコンデンサに用いられる誘電体セラミック材料であって、１.２５ｋＶ／ｍｍ程度のＤＣバイアスが印加されても、高い誘電率を示す誘電体セラミックを提供する。チタン酸バリウム系化合物を主成分とし、副成分としてＲ１（Ｒ１はＬａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙから選ばれる少なくとも１種）、およびＲ２（Ｒ２はＹ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂから選ばれる少なくとも１種）を含む組成を有する誘電体セラミックにおいて、上記の主成分１００モル部に対するＲ１の総含有量をαモル部、Ｒ２の総含有量をβモル部とするとき、上記の結晶粒子の断面を観察したとき、結晶粒子の表面から結晶粒子内部に向かって１０ｎｍ以上離れた点におけるＲ１の濃度がα／２以上、Ｒ２の濃度がβ／５未満（０を含む）である結晶粒子が全体の６０％以上である。
摘要翻译：本发明提供一种用于层叠陶瓷电容器的电介质陶瓷材料，其即使在施加约1.25kV / mm的DC偏压时也能提供具有高介电常数的电介质陶瓷。电介质陶瓷具有主要由钛酸钡化合物组成的组成，并且含有作为附加成分的R1（其为选自La，Nd，Sm，Gd和Dy中的至少一种元素）和R2（其为至少一种元素选自Y，Ho，Er和Yb）。观察结晶粒子的截面时，不少于60％的晶体颗粒是由表面上离开不少于10nm的点的R1浓度和R2浓度的颗粒构成的的晶体粒子分别不小于a / 2且小于β/ 5（包括0），其中a表示基于100重量份主成分的R1的总含量，摩尔比 ß代表基于100份摩尔主要组分的摩尔份数的R2的总含量。

2. 发明申请

WO2004110298A1 根尖位置検出装置审中-公开
标题翻译： ROOT APEX位置传感器
公开(公告)号：WO2004110298A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/007046
申请日：2004-05-18
申请人：藤栄電気株式会社 , 庄司茂 , 大塚正博
发明人：庄司茂 , 大塚正博
IPC分类号： A61C19/04
CPC分类号： A61C19/04 , A61C19/042
摘要：測定電極の先端が根管の根尖位置に位置した状態での、測定電極と口腔電極間の電気的特性値に関する根尖位置モデルデータを記憶部に記憶しておく。根管内に挿入される測定電極１０と口腔電極１１の間に、電源１から５００Ｈｚと２ＫＨｚの測定用信号を印加する。測定電極と口腔電極との間に流れる２種類の電流値を検出し、これらの電流値を記憶部９に記憶された根尖位置モデルデータと比較し、根尖位置モデルデータ中に一致したデータがある場合、測定電極の先端が根尖位置に位置したことを検出する。
摘要翻译：在测量电极的尖端处于根管的根尖的位置处的测量电极和安装电极之间的电特性值的根顶位置模型数据被存储在存储部中。在插入根管（10）的测量电极（10）和电极（1）之间施加频率为500Hz至2KHz的测量信号。测量在测量电极和嘴电极之间流动的两个电流的值，并将其与存储在存储部分（9）中的根顶点位置模型数据进行比较。如果值与根顶点位置模型数据中的任何数据一致，则测量电极的尖端被判断为根顶点的位置。

3. 发明申请

WO2006003753A1 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ审中-公开
标题翻译：电介质陶瓷和层压陶瓷电容器
公开(公告)号：WO2006003753A1
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：PCT/JP2005/008446
申请日：2005-05-09
申请人：株式会社村田製作所 , 平松隆 , 穐吉哲平 , 大塚正博
发明人：平松隆 , 穐吉哲平 , 大塚正博
IPC分类号： C04B35/468
CPC分类号： C04B35/4682 , B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/62685 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3262 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , C04B2235/785 , C04B2235/96 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要：　誘電体セラミック層が１μｍ程度まで薄層化した場合には積層セラミックコンデンサとしての信頼性を確保することが難しい。　本発明の誘電体セラミックは、組成式が１００（Ｂａ１－ｘＣａｘ）ｍＴｉＯ３＋ａＭｎＯ＋ｂＣｕＯ＋ｃＳｉＯ２＋ｄＭｇＯ＋ｅＲＯ（但し、係数１００、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅはモル比を表し、ｍは（Ｂａ１－ｘＣａｘ）のＴｉに対するモル比を表し、ＲＯはＹ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、２ＣｅＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、Ｔｍ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３から選択される少なくとも一種の希土類元素酸化物）で表される誘電体セラミックであって、上記組成式のｍ、ｘ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ及びｅは、それぞれ、０．９９８≦ｍ≦１．０３０、０．０４≦ｘ≦０．１５、０．０１≦ａ≦５、０．０５≦ｂ≦５、０．２≦ｃ≦８、０．０５≦ｄ≦３．０、０．０５≦ｅ≦２．５の関係を満足し、且つ平均粒径が０．３μｍ以上、０．７μｍ以下である。
摘要翻译：难以将电介质陶瓷层薄到约1μm的层压陶瓷电容器作为层叠陶瓷电容器确保可靠性。本发明的电介质陶瓷具有由100表示的经验式（Ba

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