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1. 发明申请

WO2009128542A1 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置审中-公开
标题翻译：导线结构，薄膜晶体管基板，制造薄膜晶体管基板的方法和显示装置
公开(公告)号：WO2009128542A1
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：PCT/JP2009/057791
申请日：2009-04-17
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 川上信之 , 越智元隆 , 三木綾 , 森田晋也 , 横田嘉宏 , 福間信也 , 後藤裕史
发明人：川上信之 , 越智元隆 , 三木綾 , 森田晋也 , 横田嘉宏 , 福間信也 , 後藤裕史
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/2236 , H01L21/76829 , H01L21/76838 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/66575 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金配線と半導体層との間のバリアメタル層を省略することが可能なダイレクトコンタクト技術であって、幅広いプロセスマージンの範囲においてＡｌ系合金配線を半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。本発明は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、純ＡｌまたはＡｌ合金のＡｌ系合金膜とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ａｌ系合金膜との間に、基板側から順に、窒素、炭素、およびフッ素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層と、ＡｌおよびＳｉを含むＡｌ－Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、且つ、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ）層に含まれる窒素、炭素、およびフッ素の少なくとも一種の元素は、前記半導体層に含まれるＳｉと結合している配線構造に関する。
摘要翻译：提供一种直接接触技术，通过该技术可以消除由纯Al或Al合金构成的Al合金布线与半导体层之间的阻挡金属层，并且Al合金布线可以在宽的范围内直接且可靠地连接到半导体层过程保证金在布线结构中，半导体层和由纯Al或Al合金构成的Al合金膜从基板侧依次设置在基板上。包含选自由氮，碳和氟组成的组中的至少一种元素和包含Al和Si的Al-Si扩散层的（N，C，F）层的多层结构按此顺序包括从衬底侧在半导体层和Al合金膜之间。在（N，C，F）层中包含的至少一种元素即氮或碳或氟与包含在半导体层中的Si键合。

2. 发明申请

WO2009081992A1 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：反射电极，显示装置和制造显示装置的方法
公开(公告)号：WO2009081992A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/JP2008/073655
申请日：2008-12-25
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 越智元隆 , 後藤裕史
发明人：越智元隆 , 後藤裕史
IPC分类号： G09F9/30 , G02B5/08 , G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC分类号： H01L51/5203 , G02B5/0833 , G02F1/133553 , G02F1/133555 , H01L27/3244
摘要：　この発明の反射電極（２）は、基板上に形成されたアルミニウム合金層（２ａ）とアルミニウム酸化物層（２ｂ）とを備えており、バリアメタル層を介することなく、透明画素電極（３）と直接接続される。前記アルミニウム合金層は、０．１～２原子％のニッケル又はコバルトと、０．１～２原子％のランタンを含有する。前記アルミニウム酸化物層に含まれる酸素原子の数及びアルミニウム原子の数をそれぞれ［Ｏ］及び［Ａｌ］とすると、その比［Ｏ］／［Ａｌ］は、０．３０以下である。前記アルミニウム酸化物層の最も薄い部分の厚みは、１０ｎｍ以下である。この発明の反射電極は、１００℃以上３００℃以下の低い温度で熱処理を施しても、高い反射率及び低い接触抵抗を有する。また、耐熱性に優れ、ヒロックなどの欠陥を生じることがない。
摘要翻译：反射电极（2）设置有铝合金层（2a）和氧化铝层（2b），其形成在基板上并直接连接到透明像素电极（3），而不具有阻挡金属层之间。铝合金层含有0.1-2原子％的镍或钴，镧含有0.1-2atm％。当氧化铝层中含有的氧原子数和铝原子数分别表示为[O]和[Al]时，[O] / [Al]的比例为0.30以下。氧化铝层的最薄部分的厚度为10nm以下。即使在100℃以上且不高于300℃的低温下进行热处理，反射电极也具有高的反射率和低的接触电阻率。此外，反射电极具有优异的耐热性，并且不产生诸如小丘的缺陷。

3. 发明申请

WO2009123217A1 表示装置、その製造方法およびスパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：显示装置，用于制造显示装置的方法和喷射目标
公开(公告)号：WO2009123217A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056719
申请日：2009-03-31
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 後藤裕史 , 南部旭 , 中井淳一 , 奥野博行 , 越智元隆 , 三木綾
发明人：後藤裕史 , 南部旭 , 中井淳一 , 奥野博行 , 越智元隆 , 三木綾
IPC分类号： G02F1/1343 , C22C21/00 , C22F1/04 , G09F9/30 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/458 , C22C21/00 , C22C21/10 , C23C14/3414 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/4908 , Y10T428/12049
摘要：　本発明は、表示装置に用いられる薄膜トランジスタ基板の配線構造において、アルミニウム合金薄膜と透明画素電極を直接コンタクトさせることができるとともに、低電気抵抗率と耐熱性を両立し、薄膜トランジスタの製造プロセス中に用いられるアミン系剥離液やアルカリ性現像液に対する腐食性を改善できるアルミニウム合金膜を開発し、それを備えた表示装置の提供をする。本発明は、酸化物導電膜とＡｌ合金膜とが直接接触しており、前記Ａｌ合金膜の接触表面にＡｌ合金成分の少なくとも一部が析出して存在する表示装置であって、前記Ａｌ合金膜が、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ及びＣｏよりなる群から選ばれる元素（元素Ｘ１）の少なくとも１種、且つ前記元素Ｘ１と金属間化合物を形成することのできる元素（元素Ｘ２）の少なくとも１種を含み、最大径１５０ｎｍ以下のＸ１－Ｘ２及びＡｌ－Ｘ１－Ｘ２のうち少なくとも一方で示される金属間化合物が形成されている表示装置に関する。
摘要翻译：公开了一种包括铝合金膜的显示装置。在用于显示装置的薄膜晶体管基板的布线结构中，铝合金膜可以实现铝合金薄膜和透明像素电极之间的直接接触，同时可以实现低电阻和耐热性，并且可以通过在薄膜晶体管制造方法中使用的胺系剥离液和碱性显影液来提高耐腐蚀性。在显示装置中，氧化物导电膜与Al合金膜直接接触，Al合金成分的至少一部分析出在Al合金膜的接触面上。 Al合金膜包括选自Ni，Ag，Zn和Co中的至少一种元素（元素X1）和与元素X1一起可以形成金属间化合物的至少一种元素（元素X2）。在Al合金膜中形成具有最大直径不大于150nm并由至少一个X1-X2和Al-X1-X2表示的金属间化合物。

4. 发明申请

WO2009081993A1 表示装置の製造方法审中-公开
标题翻译：生产显示器的方法
公开(公告)号：WO2009081993A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/JP2008/073656
申请日：2008-12-25
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 越智元隆 , 後藤裕史
发明人：越智元隆 , 後藤裕史
IPC分类号： G09F9/30 , C22C21/00 , G02F1/1335 , G02F1/1343 , G09F9/00
CPC分类号： C22C21/00 , G02F1/133553 , G02F1/133555
摘要：　この発明は、酸化物透明導電膜の上に反射電極用のアルミニウム合金膜が直接接続された構造を備えた表示装置の製造方法を提供する。この発明の製造方法は、基板の上に酸化物透明導電膜を形成する第１の工程と、当該酸化物透明導電膜の上にアルミニウム合金膜を形成する第２の工程と、当該アルミニウム合金膜を所定温度に加熱する第３の工程とを含む。前記アルミニウム合金膜は、０．１～４原子％のＮｉ又はＣｏと、０．１～２原子％のＬａとを含有する。前記第３の工程における所定温度は、Ｎｉ又はＣｏの含有量と、前記第２の工程においてアルミニウム合金膜が形成されるときの基板の温度とに応じて決定される。この発明の製造方法によって形成されたアルミニウム合金膜は、ＴＭＡＨ水溶液などのアルカリ現像液による腐食が生じにくい。
摘要翻译：一种制造显示器的方法，该显示器具有包括透明导电氧化物膜和铝合金膜的结构，该铝合金膜用作反射电极并已经设置在氧化膜上并直接连接到氧化膜上。该方法包括：在基板上形成透明导电氧化物膜的第一步骤; 在透明导电氧化物膜上形成铝合金膜的第二步骤; 以及将铝合金膜加热至规定温度的第3工序。铝合金膜含有0.1-4原子％的钴和0.1-2原子％的镧。根据第二步骤中的镍或钴含量和形成铝合金膜的基板的温度来确定第三步骤中的给定温度。在该方法中形成的铝合金膜不易被碱性显影溶液如TMAH水溶液腐蚀。

5. 发明申请

WO2008066030A1 表示デバイス用Ａｌ合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット审中-公开
标题翻译：用于显示装置的铝合金膜，显示装置和喷射目标
公开(公告)号：WO2008066030A1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：PCT/JP2007/072832
申请日：2007-11-27
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 後藤裕史 , 富久勝文 , 日野綾 , 奥野博行 , 中井淳一 , 川上信之 , 越智元隆
发明人：後藤裕史 , 富久勝文 , 日野綾 , 奥野博行 , 中井淳一 , 川上信之 , 越智元隆
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC分类号： H01L23/53219 , C23C14/185 , H01L21/2855 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　本発明は、基板上にて、導電性酸化膜に直接接続する表示デバイス用Ａｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．０５～０．５原子％含有し、Ｇｄおよび／またはＬａを合計で０．０５～０．４５原子％含有する表示デバイス用Ａｌ合金膜、これを用いた表示デバイスおよび表示デバイス用のスパッタリングターゲットを提供する。本発明のＡｌ合金膜は、バリアメタルを設けず、導電性酸化膜とＡｌ合金膜を直接接続させても、導電性酸化膜とＡｌ合金膜との間の密着性が高く、コンタクト抵抗率が低く、好ましくは、ドライエッチング性にも優れる。
摘要翻译：公开了一种用于显示装置的Al合金膜，其与基板上的导电氧化膜直接连接。这种用于显示装置的Al合金膜包含0.05-0.5原子％的Ge和0.05-0.45原子％的Gd和/或La。还公开了使用这种Al合金膜的显示装置和显示装置的溅射靶。即使当Al合金膜与导电氧化物膜直接连接而不使用阻挡金属时，用于显示装置的Al合金膜对导电氧化物膜具有高粘合性和低接触电阻。优选地，用于显示装置的Al合金膜的干蚀刻性能优异。

6. 发明申请

WO2009091004A1 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管基板和显示器件
公开(公告)号：WO2009091004A1
公开(公告)日：2009-07-23
申请号：PCT/JP2009/050482
申请日：2009-01-15
申请人：株式会社神戸製鋼所 , 越智元隆 , 川上信之 , 富久勝文 , 後藤裕史
发明人：越智元隆 , 川上信之 , 富久勝文 , 後藤裕史
IPC分类号： H01L29/786 , C22C21/00 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/458
摘要：　本発明は、ソース電極とドレイン電極のドライエッチングレートの低下や、エッチング残さを引き起こすことがなく、半導体層と、ソース電極やドレイン電極といった配線金属の間からバリアメタルを省略することができる薄膜トランジスタ基板および表示デバイスを提供する。本発明は、半導体層１、ソース電極２、ドレイン電極３、透明導電膜４を有する薄膜トランジスタ基板において、ソース電極２とドレイン電極３は、ドライエッチング法によるパターニングで形成されたＳｉ及び／又はＧｅ：０．１～１．５原子％、Ｎｉ及び／又はＣｏ：０．１～３．０原子％、Ｌａ及び／又はＮｄ：０．１～０．５原子％を含有するＡｌ合金薄膜より成り、半導体層１と直接接続している薄膜トランジスタに関する。
摘要翻译：提供一种薄膜晶体管基板，其中不会产生源电极和漏电极的干蚀刻速率的劣化和蚀刻残留物，并且半导体层和诸如源电极和漏电极的布线金属之间的阻挡金属，可以消除。还提供了显示装置。薄膜晶体管基板设置有半导体层（1），源极（2），漏极（3）和透明导电膜（4）。源电极（2）和漏电极（3）由Al合金薄膜构成，其通过图案形成，其中使用干蚀刻并含有0.1-1.5atm％的Si和/或Ge，Ni和 /或Co为0.1-3.0atm％，La和/或Nd为0.1-0.5atm％，薄膜晶体管直接连接到半导体层（1）。

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