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1. 发明申请

WO2005099089A1 弾性表面波デバイス审中-公开
标题翻译：表面声学设备
公开(公告)号：WO2005099089A1
公开(公告)日：2005-10-20
申请号：PCT/JP2005/003998
申请日：2005-03-08
申请人：東洋通信機株式会社 , 森田孝夫 , 大脇卓弥
发明人：森田孝夫 , 大脇卓弥
IPC分类号： H03H9/145
CPC分类号： H03H9/02551
摘要：　水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、従来構造よりデバイスサイズが小型で、Ｑ値が高く、周波数温度特性に優れたＳＡＷデバイスを提供することを目的とする。そのために、圧電基板１上に、それぞれ互いに間挿し合う複数本の電極指からなるＩＤＴ２と、該ＩＤＴ２の両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。前記圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板であり、励振する弾性表面波はＳＨ波である。また、ＩＤＴ２及びグレーティング反射器３ａ、３ｂはＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなり、弾性表面波の波長をλとした時、波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２に設定する。
摘要翻译：一种SAW器件，采用具有比常规结构小的器件尺寸的石英衬底，并具有高Q值和优异的频率 - 温度特性。由多个交叉指状电极指构成的IDT（2）安装在压电基板（1）上，并且在IDT（2）的两侧配置有光栅反射器（3a，3b）。压电基板（1）是平面石英板，旋转Y切石英基板的切角θ从晶体Z轴沿逆时针方向设定在-64.0°<-49.3°的范围内表面声波的传播方向相对于晶体X轴设定在90°±5°，激发声波为SH波。 IDT（2）和反射器（3a，3b）由Al或主要包含Al的合金组成，并且由波长H /λ标准化的电极膜厚度设置在0.04

2. 发明申请

WO2007004661A1 弾性表面波デバイス审中-公开
标题翻译：表面声波设备
公开(公告)号：WO2007004661A1
公开(公告)日：2007-01-11
申请号：PCT/JP2006/313365
申请日：2006-06-28
申请人：エプソントヨコム株式会社 , 大脇卓弥 , 森田孝夫
发明人：大脇卓弥 , 森田孝夫
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/25
CPC分类号： H03H9/02551
摘要：課題　ＳＨ波型表面波を用いたＳＡＷデバイスのＱ値を改善する手段を得る。解決手段　カット角θをＺ軸より反時計方向に−６４.０°＜θ＜−４９.３°とした回転Ｙカット水晶基板の結晶軸Ｘの垂直方向（Ｚ’軸方向）沿って、少なくとも１つのＩＤＴ電極を配置すると共に、その両側にグレーティング反射器を配設し、該電極の膜厚Ｈを前記ＩＤＴ電極の電極周期λで基準化して０.０４＜Ｈ／λ＜０.１２とし、前記ＩＤＴ電極の交差幅をＷとした弾性表面波デバイスにおいて、前記ＩＤＴ電極の電極周期λで基準化した基準化交差幅Ｗ／λを２０≦Ｗ／λ≦５０として弾性表面波デバイスを構成する。
摘要翻译： [问题]提供一种改善使用SH波型表面声波的SAW器件的Q值的方法。解决问题的手段旋转的Y切割晶体基板在Z轴的逆时针方向上具有满足-64.0°<α<49.3°的不等式的切割角（θ）。在声表面波装置中，沿晶体基板的晶轴（X）的垂直方向（Z'轴方向）配置至少一个IDT电极，并且在两侧设置光栅反射器。电极的膜厚（H）通过IDT电极的电极周期（λ）进行标准化，以满足0.04

3. 发明申请

WO2006137464A1 弾性表面波デバイス、モジュール、及び発振器审中-公开
标题翻译：弹性表面波装置，模块和振荡器
公开(公告)号：WO2006137464A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：PCT/JP2006/312464
申请日：2006-06-15
申请人：エプソントヨコム株式会社 , 大脇卓弥 , 森田孝夫
发明人：大脇卓弥 , 森田孝夫
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/25
CPC分类号： H03H9/02551 , H03H9/14538
摘要：課題　水晶基板を用いたＳＡＷデバイスにおいて、ＩＤＴの放射コンダクタンスのピーク周波数と反射器の反射係数のピーク周波数のずれによるＱ値の劣化を防止する。解決手段　圧電基板１上に、ＩＤＴ２と、該ＩＤＴ２の両側にグレーティング反射器３ａ、３ｂを配置する。前記圧電基板１は、回転Ｙカット水晶基板のカット角θを結晶Ｚ軸より反時計方向に−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°にした水晶平板である。そして、弾性表面波の波長をλとし、ＩＤＴの電極ピッチをＬｔ、前記反射器の電極ピッチをＬｒとした時、波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０５≦Ｈ／λ≦０．０７とし、ＩＤＴと反射器の電極ピッチ比Ｌｔ／Ｌｒを３１．５００×(Ｈ／λ)２−４．４３５×(Ｈ／λ)＋１．１３３≦Ｌｔ／Ｌｒ≦−３．０００×(Ｈ／λ)２＋０．５０００×(Ｈ／λ)＋０．９７９６の範囲に設定する。
摘要翻译： [问题]为了防止由IDT的辐射电导的峰值频率与反射器的反射系数的峰值频率之间的差导致的Q值的劣化。解决问题的手段在压电基板（1）上，配置IDT（2）和夹着IDT（2）的光栅反射器（3a，3b）。压电基板（1）是具有切割角度θ的晶体平板，的旋转Y切割晶体基板设置在-64.0度< 在逆时针方向上<-49.3度，弹性表面波传播方向相对于晶体X轴设定为90度±5度。什么时候？是弹性表面波的波长，Lr是IDT电极间距为Lt，Lt为反射器电极间距，电极膜厚度基于波长H /λ 设定在0.05 = H / = 0.07，IDT与反射体Lt / Lr的电极间距比设定在31.500×（H /λ）2 -4.435×（H /λ）+ 1.133 = Lt / Lr = -3.000×（H / ）2 + 0.5000×（H /λ）+0.9796。

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