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1. 发明申请

WO2006135043A1 金属部材の保護膜構造及び保護膜構造を用いた金属部品並びに保護膜構造を用いた半導体又は平板ディスプレイ製造装置审中-公开
标题翻译：金属部件的保护膜结构，使用保护膜结构的金属部件以及生产使用保护膜结构的半导体或平板显示器的设备
公开(公告)号：WO2006135043A1
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：PCT/JP2006/312110
申请日：2006-06-16
申请人：国立大学法人東北大学 , 三菱化学株式会社 , 株式会社日本セラテック , 大見忠弘 , 白井泰雪 , 森永均 , 河瀬康弘 , 北野真史 , 水谷文一 , 石川誠 , 岸幸男
发明人：大見忠弘 , 白井泰雪 , 森永均 , 河瀬康弘 , 北野真史 , 水谷文一 , 石川誠 , 岸幸男
IPC分类号： C23C28/00 , C23C8/10 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/16 , C25D11/18 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C4/02 , C23C8/80 , C23C28/00 , C23C28/042 , C25D11/02 , C25D11/04 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/16 , C25D11/18 , Y10T428/26 , Y10T428/265 , Y10T428/31678
摘要：　半導体又は平板ディスプレイ等の製造装置の処理室内壁等への反応生成物堆積、内壁等の腐食による金属汚染，放出ガスによるプロセスのゆらぎなどを抑制した複数のプロセスを可能にする多機能製造装置システムおよびそれに用いる保護皮膜構造を提供する。　金属材料の表面に、下地層として母材の直接酸化により形成した１μ以下の膜厚の酸化物皮膜を有する第１皮膜層を有し、さらに200μm程度の第２皮膜層を形成する。これらの構成によって、イオンやラジカルの照射に対する耐食性を第２層目の保護膜に持たせ、分子やイオンが２層目保護膜中を拡散することにより母材金属表面を腐食させることを防ぐ保護層の効果を第１層目の酸化物皮膜に持たせることができ、各金属部材，プロセスチャンバ内表面からの発生する基板への金属汚染を低減させる。母材と２層目の保護膜界面の腐食による２層目保護膜密着力の低下による２層目保護膜の剥離を抑えることができる。
摘要翻译：多功能生产设备能够实现多个工艺，其中在用于制造半导体或平板显示器的设备的处理室的内壁上沉积反应产物，由于内壁的腐蚀而引起的金属污染等，以及排出气体的处理的波动被抑制，以及用于其中的保护膜结构。在金属材料的表面上，形成通过母材的直接氧化形成作为下层的1μm厚以下的氧化物被膜的第一被覆层和约200μm厚的第二被覆层。通过这样的布置，可以对第二层保护膜赋予对离子或自由基的照射的耐腐蚀性，以及用于防止母体金属表面由于扩散分子或离子而导致的第二层保护层的腐蚀的保护层的效果可以将膜施加到第一层氧化物膜。因此，由金属构件和处理室的内表面产生的金属对衬底的污染减少，并且由于第二层保护膜的粘附性的降低而导致的第二层保护膜的剥离可以抑制母材和第二层保护膜。

2. 发明申请

WO2006134737A1 金属酸化物膜、積層体、金属部材並びにその製造方法审中-公开
标题翻译：金属氧化物膜，层压板，金属构件及其制造方法
公开(公告)号：WO2006134737A1
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：PCT/JP2006/309327
申请日：2006-05-09
申请人：国立大学法人東北大学 , 三菱化学株式会社 , 大見忠弘 , 白井泰雪 , 森永均 , 河瀬康弘 , 北野真史 , 水谷文一 , 石川誠
发明人：大見忠弘 , 白井泰雪 , 森永均 , 河瀬康弘 , 北野真史 , 水谷文一 , 石川誠
IPC分类号： C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/18 , H01L21/3065
CPC分类号： C25D11/06 , C25D11/18 , Y10T428/265
摘要：　アルミニウムを主成分とする金属の保護に適した金属酸化物膜を提供する。アルミニウムを主成分とする金属の酸化物からなる膜であって、膜厚が１０ｎｍ以上であり、前記膜からの放出水分量が１Ｅ１８分子／ｃｍ２以下である金属酸化物膜、及びアルミニウムを主成分とする金属をｐＨ４～１０の化成液中で陽極酸化して金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法。
摘要翻译：适用于主要由铝组成的金属保护金属氧化物膜。提供了一种金属氧化物膜，其为厚度为10nm以上的主要由铝构成的金属的氧化物的膜，并且具有1E18摩尔/ cm 2·SUP>2·/ SUP的膜的湿度释放速率 >以下。另外，提供一种金属氧化物膜的制造方法，其特征在于，在pH值为4〜10的化学溶液中进行主要由铝组成的金属的阳极氧化，得到金属氧化物膜。

3. 发明申请

WO2008081748A1 半導体又は平面デイスプレイの製造装置に使用される構造部材とその製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造半导体或平面显示器的装置中使用的结构构件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008081748A1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：PCT/JP2007/074636
申请日：2007-12-21
申请人：国立大学法人東北大学 , 三菱化学株式会社 , 大見忠弘 , 田原稔 , 河瀬康弘
发明人：大見忠弘 , 田原稔 , 河瀬康弘
IPC分类号： C25D11/04 , C23C28/00
CPC分类号： C23C8/02 , C23C14/165 , C23C14/5853 , C23C16/20 , C23C16/56 , C23C28/322 , C23C28/345 , C25D11/04 , C25D11/06 , C25D11/18 , H05K1/053 , H05K2203/0315
摘要：　アルミニウムを主成分とする金属ベース部材と、前記金属ベース部材の表面に成膜した高純度アルミニウム膜と、前記高純度純アルミニウム膜を陽極酸化して形成した無孔性非晶質膜アルミニウム酸化物不動態膜を有する製造装置の構造部材。アルミニウムを主成分とする金属ベース部材の表面に高純度アルミニウム膜を成膜し、前記高純度アルミニウム膜を誘電率が水より小さくかつ水を溶解する非水溶媒を含むｐＨ４～１０の化成液中で陽極酸化してその少なくとも表面部分を無孔性非晶質膜アルミニウム酸化物不動態膜に変換し製造装置の構造部材を製造する方法。
摘要翻译：公开了一种制造装置的结构构件，其包括主要由铝构成的金属基底构件，在金属基底构件的表面上形成的高纯度铝膜和通过阳极氧化形成的无孔非晶态氧化铝钝化膜高纯度的铝膜。还公开了一种用于制造用于制造装置的结构件的方法，其中在主要由铝构成的金属基底构件的表面上形成高纯度铝膜，然后将高纯度铝膜以化学转化液的pH为4-10，含有介电常数低于水溶解水的非水溶剂，从而将高纯度铝膜的至少表面部分转化成无孔非晶态氧化铝钝化剂电影。

4. 发明申请

WO2003065433A1 半導体デバイス用基板の洗浄液および洗浄方法审中-公开
标题翻译：用于半导体器件衬底的液体清洗剂和清洁方法
公开(公告)号：WO2003065433A1
公开(公告)日：2003-08-07
申请号：PCT/JP2003/000714
申请日：2003-01-27
申请人：三菱化学株式会社 , 池本慎 , 河瀬康弘 , 森永均
发明人：池本慎 , 河瀬康弘 , 森永均
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： C11D3/042 , C11D1/72 , C11D3/2075 , C11D11/0047
摘要： A liquid detergent for semiconductor device substrates which comprises the following ingredients (A), (B), and (C); and a method of cleaning with the detergent. Ingredient (A): an ethylene oxide type surfactant which comprises a hydrocarbon group optionally having a substituent (excluding phenyl) and a polyoxyethylene group, and in which the ratio of the number of carbon atoms in the hydrocarbon group (m) to that of oxyethylene groups in the polyoxyethylene group (n), m/n, is from 1 to 1.5, the number of the carbon atoms (m) is 9 or larger, and the number of the oxyethylene groups (n) is 7 or larger. Ingredient (B): water. Ingredient (C): an alkali or an organic acid. By cleaning with the detergent, fine particles or organic pollutants adherent to a substrate surface are removed without corroding the substrate surface. Thus, the substrate surface is cleaned to a high degree.
摘要翻译：一种用于半导体器件衬底的液体洗涤剂，其包含以下成分（A），（B）和（C）; 以及用洗涤剂清洗的方法。成分（A）：包含任选具有取代基的烃基（不包括苯基）和聚氧乙烯基的环氧乙烷型表面活性剂，其中烃基（m）中的碳原子数与氧化乙烯的比例聚氧乙烯基（n）中的基团m / n为1〜1.5，碳原子数（μm）为9以上，氧化乙烯基数（n）为7以上。成分（B）：水。成分（C）：碱或有机酸。通过用洗涤剂清洁，去除粘附到基底表面上的细颗粒或有机污染物而不腐蚀基底表面。因此，基板表面被高度清洁。

5. 发明申请

WO2008143187A1 半導体デバイス用基板洗浄液、及び半導体デバイス用基板の製造方法审中-公开
标题翻译：用于半导体器件的衬底清洁解决方案及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2008143187A1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：PCT/JP2008/059072
申请日：2008-05-16
申请人：三菱化学株式会社 , 河瀬康弘 , 池本慎 , 伊藤篤史 , 石川誠
发明人：河瀬康弘 , 池本慎 , 伊藤篤史 , 石川誠
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/0206 , C11D3/2075 , C11D11/0047 , H01L21/02074
摘要：　基板表面に付着したパーティクルや有機物の汚染、金属汚染及び有機物と金属による複合汚染の除去性と再付着防止性に優れ、基板表面を腐食することなく、高度に清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。特に、疎水性のため薬液をはじき易く、パーティクル除去性が悪い低誘電率（Ｌｏｗ－ｋ）材料の洗浄性に優れた洗浄液を提供する。　（Ａ）有機酸及び（Ｂ）ＨＬＢ値が５以上１３未満の非イオン型界面活性剤を含有することを特徴とする半導体デバイス用基板洗浄液。
摘要翻译：本发明提供一种半导体器件用基板清洗液。该解决方案在除去和防止由于有机材料和金属引起的颗粒和有机材料，金属污染和复合污染的基板表面污染的再附着方面是优异的，并且进行高质量的清洁而不会腐蚀基板的表面。特别地，提供了一种具有优异的清洁低介电（Low-k）材料特性的清洗液，其容易排斥化学品为疏水性并且不容易除去颗粒。该溶液的特征在于含有（A）有机酸和（B）HLB值为5以上且小于13的非离子表面活性剂。

6. 发明申请

WO2005017230A1 チタン含有層用エッチング液およびチタン含有層のエッチング方法审中-公开
标题翻译：用于含钛的层的蚀刻解决方案和用于蚀刻含钛的层的方法
公开(公告)号：WO2005017230A1
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/JP2004/011336
申请日：2004-08-06
申请人：三菱化学株式会社 , 石川誠 , 河瀬康弘 , 斉藤範之
发明人：石川誠 , 河瀬康弘 , 斉藤範之
IPC分类号： C23F1/26
CPC分类号： C23F1/26 , C03C17/2456 , C03C17/256 , C03C2217/212 , C03C2218/33 , C09K13/08 , C23G1/106 , H01L21/32134
摘要：　シリコン基板または珪酸系ガラス基板上に形成された、チタン、チタン酸化物、チタン窒化物およびチタン酸窒化物よりなる群から選ばれる１種または２種以上を主成分とするチタン含有層を、速いエッチング速度で、しかも、基板を侵すことなく選択的にエッチングする。　シリコン基板または珪酸系ガラス基板上に形成された、チタン、チタン酸化物、チタン窒化物およびチタン酸窒化物よりなる群から選ばれる１種または２種以上を主成分とするチタン含有層をエッチングするためのエッチング液であって、珪フッ化水素酸を含有するチタン含有層用エッチング液。このエッチング液を用いて、シリコン基板または珪酸系ガラス基板上のチタン含有層をエッチングするエッチング方法。珪フッ化水素酸はフッ酸と珪素または酸化珪素との反応で生成する物質であって、シリコン又は珪酸系ガラスに対しては不活性であるが、チタン、チタン酸化物、チタン窒化物またはチタン酸窒化物に対しては十分なエッチング性能を持ち、シリコン基板または珪酸系ガラス基板上のチタン含有層のエッチングに関して、十分な選択性を有する。
摘要翻译：在硅衬底或硅酸盐玻璃衬底上形成的主要含有选自钛，钛氧化物，氮化钛和氮氧化钛中的一种或多种物质的含钛层以高蚀刻速率被选择性地蚀刻而不侵蚀底物。公开了一种用于蚀刻含钛层的蚀刻溶液，其形成在硅衬底或硅酸盐玻璃衬底上，主要含有选自钛，钛氧化物，氮化钛和氮氧化钛中的一种或多种物质。该蚀刻溶液含有硅氟酸。还公开了使用这种蚀刻溶液来蚀刻在硅衬底或硅酸盐玻璃衬底上形成的含钛层的方法。硅氟酸是通过氢氟酸和硅或氧化硅之间的反应产生的物质。虽然硅氟酸对硅或硅酸盐玻璃无活性，但对钛，钛氧化物，氮化钛和氮氧化钛表现出足够的蚀刻性能。因此，蚀刻溶液在蚀刻形成在硅衬底或硅酸盐玻璃衬底上的含钛层时显示出足够的选择性。

7. 发明申请

WO2006040939A1 電解液とこれを用いた酸化物皮膜の形成方法、積層体及びその製造方法、並びに金属酸化物膜审中-公开
标题翻译：电解质溶液，使用其形成氧化硅涂层膜的方法，多层体及其生产方法和金属氧化物膜
公开(公告)号：WO2006040939A1
公开(公告)日：2006-04-20
申请号：PCT/JP2005/018022
申请日：2005-09-29
申请人：三菱化学株式会社 , 水谷文一 , 榊原利明 , 河瀬康弘 , 石川誠
发明人：水谷文一 , 榊原利明 , 河瀬康弘 , 石川誠
IPC分类号： C25D11/06
CPC分类号： C25D11/02 , C25D11/06 , C25D11/10 , C25D11/26
摘要：　金属を主成分とする被処理材の表面に、陽極酸化によりピンホールや表面荒れがなく平滑な高品質酸化物皮膜を形成する。　陽極酸化により、金属を主成分とする被処理材の表面に酸化物皮膜を形成するために用いる電解液であって、アルコール性水酸基を含む炭素数４以上の非水溶媒を主溶媒とする酸化物皮膜形成用電解液。この非水溶媒は、２以上のアルコール性水酸基を含むものが好ましく、特に、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、及びポリエチレングリコールよりなる群から選ばれる１種又は２種以上が好ましい。この電解液中で、金属を主成分とする被処理材を陽極酸化する工程を含む酸化物皮膜の形成方法。
摘要翻译：通过阳极氧化，在主要由金属构成的被处理物的表面上形成没有针孔或粗糙面的光滑高品质氧化皮膜。具体公开了一种电解质溶液，其用于通过阳极氧化在主要由金属构成的被处理物的表面上形成氧化物被覆膜。用于形成氧化物涂膜的电解液包含含有醇羟基并且具有4个或更多个碳原子的非水溶剂作为主要溶剂。非水溶剂可优选含有两个或更多个醇羟基。特别地，非水溶剂优选由一种或多种选自二甘醇，三甘醇和聚乙二醇的溶剂组成。还公开了一种形成氧化物涂膜的方法，其包括在这种电解质溶液中阳极氧化主要由金属组成的被处理物的步骤。

8. 发明申请

WO2003076695A1 金メッキ液および金メッキ方法审中-公开
标题翻译：镀金解决方案和镀金方法
公开(公告)号：WO2003076695A1
公开(公告)日：2003-09-18
申请号：PCT/JP2003/002857
申请日：2003-03-11
申请人：三菱化学株式会社 , 水谷文一 , 鷹羽寛 , 石川誠 , 河瀬康弘
发明人：水谷文一 , 鷹羽寛 , 石川誠 , 河瀬康弘
IPC分类号： C25D3/48
CPC分类号： C25D3/48
摘要： A gold plating solution, characterized in that it comprises an iodide ion, a gold iodide complex ion and a nonaqueous solvent. The gold plating solution exhibits performance capabilities comparable to a cyanide based gold plating solution and also is low in toxicity and highly stable.
摘要翻译：一种镀金溶液，其特征在于其包含碘离子，碘化金离子和非水溶剂。镀金液表现出与氰化物镀金液相当的性能，毒性低，稳定性好。

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