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1. 发明申请

WO2007077957A1 多結晶シリコンの製造方法审中-公开
标题翻译：多晶硅生产工艺
公开(公告)号：WO2007077957A1
公开(公告)日：2007-07-12
申请号：PCT/JP2006/326358
申请日：2006-12-26
申请人：住友化学株式会社 , 山林稔治 , 秦雅彦
发明人：山林稔治 , 秦雅彦
IPC分类号： C01B33/033 , H01L31/04
CPC分类号： C01B33/033 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a process for the production of polycrystalline silicon which comprises the following steps (A), (B) and (C): the step (A) of reducing a chlorosilane represented by the general formula (1): SiH n Cl 4-n (1) (wherein n is an integer of 0 to 3) with a metal at a temperature T1 into a silicon compound, the step (B) of transferring the silicon compound to a section having a temperature T2 (wherein T1 > T2), and the step (C) of depositing polycrystalline silicon in the section having a temperature T2, with the provisos that T1 is at least 1.29 times the melting point (absolute temperature) of the metal and that T2 is higher than the subliming or boiling point of chloride of the metal. The process enables the production of high-purity polycrystalline silicon in high yield. Further, the invention includes solar batteries provided with the polycrystalline silicon obtained the process and equipment for manufacturing polycrystalline silicon.
摘要翻译：本发明涉及一种生产多晶硅的方法，其包括以下步骤（A），（B）和（C）：还原由通式（1）表示的氯硅烷的步骤（A）：SiH _{T2）的部分和在具有温度T2的部分中沉积多晶硅的步骤（C），条件是T1至少为熔点的1.29倍（绝对值温度），T2高于金属氯化物的升华或沸点。该方法能够以高产率生产高纯度多晶硅。此外，本发明包括提供有多晶硅的太阳能电池，获得用于制造多晶硅的工艺和设备。}

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