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1. 发明申请

WO2008078660A1 ハイパーブランチポリマーの合成方法、ハイパーブランチポリマー、レジスト組成物、半導体集積回路および半導体集積回路の製造方法审中-公开
标题翻译：高分子聚合物，高分子聚合物，耐蚀组合物，半导体集成电路的合成方法和半导体集成电路的制造方法
公开(公告)号：WO2008078660A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/JP2007/074579
申请日：2007-12-20
申请人：ライオン株式会社 , 田中結子 , 宇野彰記 , 椛島真一郎 , 田村実 , 久保善靖 , 佐々木悠介 , 堀部峰子 , 金子行裕 , 鈴木薫
发明人：田中結子 , 宇野彰記 , 椛島真一郎 , 田村実 , 久保善靖 , 佐々木悠介 , 堀部峰子 , 金子行裕 , 鈴木薫
IPC分类号： C08G61/02 , B82B3/00 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , C08G83/005
摘要：　高い分岐度を維持したまま目的とする分子量を有するハイパーブランチポリマーを安定的に得ることを目的とし、金属触媒の存在下においてモノマーをリビングラジカル重合させることによってハイパーブランチポリマーを合成する際に、下記（１）または（２）の少なくとも一方をおこなう。　（１）Ｒ１－ＡまたはＲ２－Ｂ－Ｒ３で示される化合物の少なくとも一種類を添加する。　ただし、上記化合物中、Ｒ1は水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基または炭素数７～１０のアラルキル基、Ａはシアノ基、水酸基またはニトロ基、Ｒ２およびＲ３は水素、炭素数１～１０のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基、炭素数７～１０のアラルキル基または炭素数２～１０のジアルキルアミノ基、Ｂはカルボニル基またはスルホニル基をあらわす。　（２）反応系に対するモノマーの１回当たりの混合量を、当該反応系に混合するモノマーの全量未満とする。
摘要翻译：本发明的目的是制备具有所需分子量的超支化聚合物，同时以稳定的方式保持高度的支化度。在金属催化剂存在下通过单体的活性自由基聚合合成超支化聚合物时，进行以下步骤（1）和（2）中的至少一个：（1）至少一种由R 1表示的化合物加入-A或R2-B-R3 [其中R1表示氢，碳原子数1〜10的烷基，碳原子数6〜10的芳基或碳原子数7〜10的芳烷基] A表示氰基，羟基或硝基; R2和R3独立地表示氢，碳原子数1〜10的烷基，碳原子数6〜10的芳基，碳原子数7〜10的芳烷基或碳原子数2〜10的二烷基氨基。 B表示羰基或磺酰基]。和（2）每分一部分加入到反应体系中的单体的量小于加入到反应体系中的单体的总量。

2. 发明申请

WO2008081746A1 ハイパーブランチポリマーの合成方法、ハイパーブランチポリマー、レジスト組成物、半導体集積回路および半導体集積回路の製造方法审中-公开
标题翻译：高分子聚合物，高分子聚合物，耐腐蚀组合物，半导体集成电路的合成方法以及半导体集成电路的制造方法
公开(公告)号：WO2008081746A1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：PCT/JP2007/074580
申请日：2007-12-20
申请人：ライオン株式会社 , 宇野彰記 , 久保善靖 , 佐々木悠介 , 堀部峰子 , 金子行裕 , 鈴木薫 , 田村実 , 椛島真一郎 , 田中結子
发明人：宇野彰記 , 久保善靖 , 佐々木悠介 , 堀部峰子 , 金子行裕 , 鈴木薫 , 田村実 , 椛島真一郎 , 田中結子
IPC分类号： C08G61/02 , B82B3/00 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , C08F6/02 , C08F12/18 , C08F12/22 , C08F212/14 , C08F220/06 , C08F293/005 , C08F2220/1825 , C08F2438/01 , C08G83/005
摘要：　合成に際して排出される廃液量の低減を図りつつ、安定的かつ大量にコアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成することを目的とし、金属触媒の存在下におけるモノマーのリビングラジカル重合を経てコアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成する際に、リビングラジカル重合によって合成されたハイパーブランチポリマーをコア部とし、コア部に酸分解性基を導入することにより形成されたシェル部における酸分解性基の一部を酸触媒を用いて分解して酸基を形成したコアシェル型ハイパーブランチポリマーを形成する。その後、コアシェル型ハイパーブランチポリマーを有機溶媒に溶解させた溶液と当該溶液における有機溶媒の量に対して所定割合となる量の超純水とを混合することにより、溶液と超純水との混合溶液中にコアシェル型ハイパーブランチポリマーを析出させ、析出されたコアシェル型ハイパーブランチポリマーを混合溶液から抽出するようにした。
摘要翻译：稳定地大量合成核 - 壳型超支化聚合物的方法，其中在合成中排出的废液的量减少。具体而言，是在金属催化剂的存在下，通过单体的活性自由基聚合合成核 - 壳型超支化聚合物的方法，该方法包括通过活性自由基聚合合成超支化聚合物以形成核，将酸可离解基团引入到核心形成壳，部分地用酸催化剂解离壳的酸解离基，形成含有酸基团的核 - 壳型超支化聚合物，将核 - 壳型超支化聚合物在有机溶剂中的溶液与超纯水，其量为规定的超纯水/有机溶剂量比，以使溶液与超纯水的混合溶液中的核 - 壳型超支化聚合物析出，从混合溶液中提取析出的核 - 壳型超支化聚合物解。

3. 发明申请

WO2008081832A1 コアシェル型ハイパーブランチポリマー、レジスト組成物、半導体装置の製造方法、半導体装置审中-公开
标题翻译：核心型超分散聚合物，耐蚀组合物，半导体器件的制造方法和半导体器件
公开(公告)号：WO2008081832A1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：PCT/JP2007/075008
申请日：2007-12-26
申请人：ライオン株式会社 , 鈴木薫 , 宇野彰記 , 田村実 , 久保善靖 , 堀部峰子 , 椛島真一郎 , 佐藤昌裕
发明人：鈴木薫 , 宇野彰記 , 田村実 , 久保善靖 , 堀部峰子 , 椛島真一郎 , 佐藤昌裕
IPC分类号： C08F291/00 , C08F297/00 , G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： C08F291/00 , C08F297/00 , C08L51/003 , C08L53/00 , G03F7/0392 , C08L2666/02
摘要：　光リソグラフィーを中心としたナノファブリケーション、特に電子線、ＥＵＶリソグラフィーに好適な、密着性、感度、及び表面平滑性を向上させたコアシェル型ハイパーブランチポリマーをベースポリマーとして含み、超ＬＳＩ等の半導体装置製造用の微細パターンを形成することが可能なレジスト組成物を得ることを目的として、コアシェル型ハイパーブランチポリマーにおけるシェル部に、下記式（ａ）又は（ｂ）で表される極性基を有するモノマーから誘導される繰り返し単位の少なくとも１種を含有するようにした。
摘要翻译：公开了一种抗蚀剂组合物，其包含核 - 壳型超支化聚合物作为基础聚合物，并且可以形成用于制造诸如大型LSI的半导体器件的精细图案，其中核 - 壳 - 其特征在于适用于主要通过光刻，特别是电子束/ EUV光刻实现的纳米制造，并具有改进的粘附性，灵敏度和表面平滑度。在核 - 壳型超支化聚合物中，壳部分包含至少一种衍生自具有由式（a）或（b）表示的极性基团的单体的重复单元。

4. 发明申请

WO2007020734A1 ナノ平滑性とエッチング耐性を有するフォトレジストポリマーならびにレジスト組成物审中-公开
标题翻译：具有纳米光滑性和耐蚀性和耐腐蚀性的组合物的光聚合聚合物
公开(公告)号：WO2007020734A1
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：PCT/JP2006/308634
申请日：2006-04-25
申请人：ライオン株式会社 , 兵庫県 , 久保善靖 , 金子行裕 , 鈴木薫 , 田村実 , 堀部峰子 , 宇野彰記 , 木下博雄 , 渡邊健夫
发明人：久保善靖 , 金子行裕 , 鈴木薫 , 田村実 , 堀部峰子 , 宇野彰記 , 木下博雄 , 渡邊健夫
IPC分类号： C08F291/00 , C08F297/00 , G03F7/039
CPC分类号： C08F297/00 , C08G83/005 , G03F7/0392
摘要：　本発明により、リソグラフィーを中心としたナノファブリケーションのためのポリマー素材として利用可能な、ドライエッチング耐性、感度及び、表面平滑性を向上させた、コアシェル構造を有し、シェル部がビニル安息香酸ｔｅｒｔブチルエステル等の酸分解性の繰り返し単位を有するハイパーブランチポリマー、及び該ハイパーブランチポリマーを含有するレジスト組成物を提供する。
摘要翻译：超支化聚合物可用作以光刻为中心的纳米制备的聚合物材料，并且其耐干蚀刻性，灵敏度和表面光滑度得到了提高，该超支化聚合物具有核壳结构，其外壳部分具有酸分解的叔丁基苯乙酸苯酯的重复单元此外，提供了包含上述超支化聚合物的抗蚀剂组合物。

5. 发明申请

WO2005061566A1 ハイパーブランチポリマー及びその製造方法、並びに該ハイパーブランチポリマーを含有するレジスト組成物审中-公开
标题翻译：高分子聚合物，其制备方法和含有超级聚合物的耐酸性组合物
公开(公告)号：WO2005061566A1
公开(公告)日：2005-07-07
申请号：PCT/JP2004/019689
申请日：2004-12-22
申请人：ライオン株式会社 , 金子行裕 , 鈴木薫 , 田村実 , 久保善靖
发明人：金子行裕 , 鈴木薫 , 田村実 , 久保善靖
IPC分类号： C08F212/14
CPC分类号： C08F212/14 , G03F7/0392 , G03F7/0395
摘要：　本発明により、光リソグラフィを中心としたナノファブリケーションのための高分子素材として好適なハイパーブランチポリマーを提供する。本発明のハイパーブランチポリマーは、クロロメチルスチレン等のリビングラジカル重合により形成されるコア部に結合した、ｐ-ｔｅｒｔ-ブトキシスチレン等の酸分解性基をポリマー分子末端に有することを特徴とする。
摘要翻译：适用于纳米加工的聚合物材料的超支化聚合物，其前导部分通过光刻法进行。提供了一种超支化聚合物，其特征在于在其聚合物分子端具有与氯代甲基苯乙烯的活性自由基聚合形成的核心部分键合的可酸分解基团，例如对叔丁氧基苯乙烯。

6. 发明申请

WO2008081895A1 ハイパーブランチポリマーの合成方法审中-公开
标题翻译：高分子聚合物合成方法
公开(公告)号：WO2008081895A1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：PCT/JP2007/075186
申请日：2007-12-27
申请人：ライオン株式会社 , 堀部峰子 , 宇野彰記 , 鈴木薫
发明人：堀部峰子 , 宇野彰記 , 鈴木薫
IPC分类号： C08F291/00 , C08F2/00 , C08F297/00 , G03F7/039
CPC分类号： C08F4/00 , C08F2/38 , C08F257/00 , C08F257/02 , C08F293/005 , C08F2438/02 , C08G83/005 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0758
摘要：　光リソグラフィーを中心としたナノファブリケションのためのポリマー素材として利用可能なコアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成することを目的として、モノマーのリビングラジカル重合を経てコアシェル型ハイパーブランチポリマーを合成する際に、リビングラジカル重合を開始させる開始剤モノマーを用いたリビングラジカル重合によって合成された重合物をコア部とし、コア部の末端に酸分解性基および酸基を含むシェル部を形成するようにした。また、モノマーのリビングラジカル重合を経てスターポリマーを合成する際に、リビングラジカル重合によって合成された重合物をアーム部とし、アーム部を重合中、あるいは重合後にビニル基を２つ以上有する化合物を添加することにより、アーム部同士をカップリングさせ、コア部を形成するコア部形成工程を含むことを特徴とするようにした。
摘要翻译：目的是合成核 - 壳型超支化聚合物，其可以用作主要通过光学光刻实现的纳米制造中的聚合物材料。公开了通过单体的活性自由基聚合合成核 - 壳型超支化聚合物的方法，其中芯部分包含通过使用引发活性自由基聚合的引发单体通过活性自由基聚合合成的聚合物，壳部分形成在核心部分的边缘并具有酸可降解基团和酸性基团。还公开了通过单体的活性自由基聚合合成星形聚合物的方法，其包括通过活性自由基聚合合成聚合物的芯形成步骤作为每个臂部分并加入具有两个或更多个乙烯基的化合物在臂部分聚合过程中或之后的反应体系中引起臂部分的偶联，由此形成核心部分。

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