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1. 发明申请

WO2010146770A1 不揮発性メモリ审中-公开
标题翻译：非易失性存储器
公开(公告)号：WO2010146770A1
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：PCT/JP2010/003415
申请日：2010-05-21
申请人：パナソニック株式会社 , 冨田泰弘
发明人：冨田泰弘
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/02
CPC分类号： G11C16/0475 , G11C16/10
摘要：　不揮発性メモリにおいて、バッファ６に、対向ビットがプログラム状態である外部ビットデータを格納して、プログラムを行う。プログラムレベルはパルス毎にステップアップする。プログラムレベルがしきい値に到達すると、前記バッファ６に未プログラムデータを格納し、プログラムを継続する。従って、対向ビットのプログラム状態によりプログラム特性が変動し、プログラムパルス数の増加やプログラム時のしきい値分布が広がることを抑制し、低コストで高速かつ高信頼性のプログラムを実現する。
摘要翻译：公开了一种非易失性存储器，其中相对的位表示程序的执行状态的外部位数据被存储在缓冲器（6）中，并且执行程序。程序执行级别在每个脉冲上加大。当程序执行级别达到阈值时，默认数据存储在缓冲区（6）中，程序继续执行。以这种方式，可以抑制由相对位的程序执行状态引起的程序执行特性的变化，程序执行脉冲的数量的增加和执行程序时的阈值分布的扩展，以及程序可高速执行，可靠性高，成本低廉。

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