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    • 2. 发明申请
    • 成膜方法、金型及び金型の製造方法
    • 薄膜成型方法,模具和制造模具的方法
    • WO2007139015A1
    • 2007-12-06
    • PCT/JP2007/060699
    • 2007-05-25
    • コニカミノルタオプト株式会社細江 秀松田 裕之
    • 細江 秀松田 裕之
    • C23C16/42C03B11/00C23C16/32
    • C23C16/325C23C16/042C23C16/56
    •  欠陥の少ない被膜を得ることができる成膜方法、及びその成膜方法を用いて得られる金型並びに金型の製造方法を提供する。キャリアガスである水素ガスを減少すると遊離炭素が増加し、その結果、成形転写面加工においては凹抉部が発生増大する原因となることを見出したのである。熱CVDに用いる水素ガスは2モルが常識であったのが、本発明者の研究により、3モル以上にすることで凹抉部の発生を顕著に抑制できることが判明したのである。ただし、あまり水素ガスを多くすると、全体に原料ガスが希釈されたことになるので反応速度が低下し、成膜速度が遅くなるので、8モル程度までが実用的な見地から好ましい。
    • 本发明提供一种成膜方法,其可以形成没有明显缺陷的膜,通过使用该成膜方法制造的模具及其制造方法。 已经发现,作为载气的氢气的还原增加了自由碳,这是造成模制转印面的加工中凹部发生的增加的原因。 与在热CVD中使用的氢气量为2摩尔的现有技术不同,本发明人进行的研究表明,当氢气量不少于3摩尔时,出现凹部 可以显着抑制。 从实用的观点出发,氢气的量优选为约8摩尔,因为当氢气量过大时,起始气体总体上被稀释,因此反应速度降低,导致 降低成膜速率。