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    • 1. 发明申请
    • 検査装置用センサ及び検査装置
    • 检验仪器和检验仪器传感器
    • WO2003019210A1
    • 2003-03-06
    • PCT/JP2002/008599
    • 2002-08-27
    • オー・エイチ・ティー株式会社藤井 達久門田 和浩笠井 幹也石岡 聖悟山岡 秀嗣
    • 藤井 達久門田 和浩笠井 幹也石岡 聖悟山岡 秀嗣
    • G01R31/02
    • G01R31/312
    • A sensor for an inspection instrument for minutely inspecting the shape of a conductor pattern. A sensor element (12a) comprises a MOSFET and an aluminum electrode (AL) as a passive element (80). The aluminum electrode (80), i.e., the passive element (80) is connected to the gate of a MOSFET (81) and the source of a MOSFET (82). A voltage VDD from a power supply circuit part (18) is applied to the drain of the MOSFET (81). The source of the MOSFET (81) is connected to the drain of a MOSFET (83). A reset signal from a column selecting part (14) is inputted to the gate of the MOSFET (82). The voltage VDD from the power supply circuit part (18) is applied to the drain of the MOSFET (82). A selection signal from the column selection part (14) is inputted into the gate of the MOSFET (83), and the output from the source of the MOSFET (83) is inputted into the row selection part (13). An inspection instrument using such a sensor is also disclosed.
    • 用于检查导体图形形状的检查仪的传感器。 传感器元件(12a)包括MOSFET和作为无源元件(80)的铝电极(AL)。 铝电极(80)即无源元件(80)连接到MOSFET(81)的栅极和MOSFET(82)的源极。 来自电源电路部分(18)的电压VDD被施加到MOSFET(81)的漏极。 MOSFET(81)的源极连接到MOSFET(83)的漏极。 来自列选择部分(14)的复位信号被输入到MOSFET(82)的栅极。 来自电源电路部分(18)的电压VDD被施加到MOSFET(82)的漏极。 来自列选择部分(14)的选择信号被输入到MOSFET(83)的栅极中,并且来自MOSFET(83)的源极的输出被输入到行选择部分(13)。 还公开了使用这种传感器的检验仪器。