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1. 发明申请

WO2011159625A2 ADVANCED PROCESS CONTROL OPTIMIZATION 审中-公开
标题翻译：高级过程控制优化
公开(公告)号：WO2011159625A2
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/US2011/040216
申请日：2011-06-13
申请人： KLA-TENCOR CORPORATION , CHOI, DongSub , WIDMANN, Amir , KANDEL, Daniel , TIEN, David
发明人： CHOI, DongSub , WIDMANN, Amir , KANDEL, Daniel , TIEN, David
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70525
摘要： A method for automatic process control (APC) performance monitoring may include, but is not limited to: computing one or more APC performance indicators for one or more production lots of semiconductor devices; and displaying a mapping of the one or more APC performance indicators to the one or more production lots of semiconductor devices.
摘要翻译：用于自动过程控制（APC）性能监控的方法可以包括但不限于：计算一个或多个生产批次的半导体器件的一个或多个APC性能指标; 以及显示所述一个或多个APC性能指示符到所述一个或多个半导体器件的生产批次的映射。

2. 发明申请

WO2013033322A1 METHOD AND SYSTEM FOR DETECTING AND CORRECTING PROBLEMATIC ADVANCED PROCESS CONTROL PARAMETERS 审中-公开
标题翻译：用于检测和校正问题的高级过程控制参数的方法和系统
公开(公告)号：WO2013033322A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/US2012/053028
申请日：2012-08-30
申请人： KLA-TENCOR CORPORATION , CHOI, DongSub , TIEN, David
发明人： CHOI, DongSub , TIEN, David
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G05B19/41875 , G05B13/04 , G05B2219/32018 , G05B2219/32191 , G05B2219/42001 , G05B2219/45031 , Y02P90/22
摘要： The invention may be embodied in a system and method for monitoring and controlling feedback control in a manufacturing process, such as an integrated circuit fabrication process. The process control parameters may include translation, rotation, magnification, dose and focus applied by a photolithographic scanner or stepper operating on silicon wafers. Overlay errors are used to compute measured parameters used in the feedback control process. Statistical parameters are computed, normalized and graphed on a common set of axes for at-a-glance comparison of measured parameters and process control parameters to facilitate the detection of problematic parameters. Parameter trends and context relaxation scenarios are also compared graphically. Feedback control parameters, such as EWMA lambdas, may be determined and used as feedback parameters for refining the APC model that computes adjustments to the process control parameters based on the measured parameters.
摘要翻译：本发明可以体现在用于在诸如集成电路制造工艺的制造过程中监视和控制反馈控制的系统和方法中。过程控制参数可以包括通过在硅晶片上操作的光刻扫描器或步进器施加的平移，旋转，放大，剂量和聚焦。叠加误差用于计算反馈控制过程中使用的测量参数。对统计参数进行计算，归一化和绘制在一组共同的轴上，以便一目了然地比较测量参数和过程控制参数，以便于检测有问题的参数。参数趋势和上下文放松场景也进行了图形比较。可以确定反馈控制参数，例如EWMA羊皮纸，并将其用作反馈参数，以便根据测量参数来计算对过程控制参数进行调整的APC模型。

3. 发明申请

WO2011159625A3 ADVANCED PROCESS CONTROL OPTIMIZATION 审中-公开
标题翻译：高级过程控制优化
公开(公告)号：WO2011159625A3
公开(公告)日：2012-04-05
申请号：PCT/US2011040216
申请日：2011-06-13
申请人： KLA TENCOR CORP , CHOI DONGSUB , WIDMANN AMIR , KANDEL DANIEL , TIEN DAVID
发明人： CHOI DONGSUB , WIDMANN AMIR , KANDEL DANIEL , TIEN DAVID
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70525
摘要： A method for automatic process control (APC) performance monitoring may include, but is not limited to: computing one or more APC performance indicators for one or more production lots of semiconductor devices; and displaying a mapping of the one or more APC performance indicators to the one or more production lots of semiconductor devices.
摘要翻译：用于自动过程控制（APC）性能监控的方法可以包括但不限于：计算一个或多个半导体器件生产批次的一个或多个APC性能指标; 以及将所述一个或多个APC性能指示符的映射显示给所述一个或多个半导体器件的生产批次。

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