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2. 发明申请

WO2010112339A1 MIT SIC BESCHICHTETE KÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG SIC-BESCHICHTETER KÖRPER 审中-公开
标题翻译：与SIC涂覆体，及其制造方法SIC-覆盖本体
公开(公告)号：WO2010112339A1
公开(公告)日：2010-10-07
申请号：PCT/EP2010/053436
申请日：2010-03-17
申请人： SPAWNT PRIVATE S.A.R.L. , FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , ENDLER, Ingolf , HÖHN, Mandy , GEBEL, Thoralf , BAUCH, Christian , DELTSCHEW, Rumen , HOLL, Sven , LIPPOLD, Gerd , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , AUNER, Norbert
发明人： ENDLER, Ingolf , HÖHN, Mandy , GEBEL, Thoralf , BAUCH, Christian , DELTSCHEW, Rumen , HOLL, Sven , LIPPOLD, Gerd , MOHSSENI-ALA, Seyed-Javad , AUNER, Norbert
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/30
CPC分类号： C23C16/325 , B32B18/00 , B82Y30/00 , C22C29/065 , C23C16/30 , Y10T428/264
摘要： Die Erfindung betrifft Körper, beschichtet mit einer SiC-Hartstoffschicht oder mit einem Schichtsystem, das mindestens eine SiC-Hartstoffschicht enthält, sowie Verfahren zur Herstellung derartig beschichteter Körper. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Körper mit SiC-Schichten auszustatten, die eine partikelfreie, nichtporöse Struktur, eine hohe Härte, niedrige Sprödigkeit, hohe Haftfestigkeit, gute Oxidationsbeständigkeit und einen hohen Widerstand gegen Rissausbreitung besitzen. Erfindungsgemäß sind die Körper mit einer SiC-Schicht oder mit einem mehrlagigen Schichtsystem beschichtet, das mindestens eine SiC-Schicht enthält, wobei die SiC- Schicht aus halogenhaltigem nanokristallinem 3C-SiC oder aus einer Mischschicht besteht, welche aus halogenhaltigem nanokristallinem 3C-SiC und amorphem SiC oder aus halogenhaltigem nanokristallinem 3C-SiC und amorphem Kohlenstoff besteht. Die Beschichtung derartiger Körper wird in einem thermischen CVD-Prozesses durchgeführt, wobei eine Gasmischung verwendet wird, die H 2 und/oder eines oder mehrere Inertgase, eines oder mehrere der Halogenpolysilane der Formeln Si n X 2n , Si n X 2n+2 , Si n X y H z , worin X das Halogen und n ≥ 2 ist, sowie einen oder mehrere Kohlenwasserstoffe enthält. Alternativ wird eine Gasmischung verwendet, die in H 2 und/oder einem oder mehreren Inertgasen eines oder mehrere, mit organischen Substituenten R substituierte Halogenpolysilane der allgemeinen Formeln Si n X y R z oder Si n H x X y R z enthält, worin X das Halogen ist und n ≥ 2, z > 0, y ≥ 1 sind. Dabei gelten für Si n X y R z die stöchiometrischen Beziehungen 2n+2 = y +z oder 2n=y+z und für Si n H x X y R z die stöchiometrischen Beziehungen 2n+2 = x+y+z oder 2n=x+y+z.
摘要翻译：本发明涉及一种涂覆有SiC基硬质材料层或含有至少一个SiC硬质材料层，和用于生产这样的涂层体的方法的层系统主体。本发明的目的还在于提供所述主体与具有无颗粒的，非多孔的结构，高硬度，低脆性，高粘接强度，良好的抗氧化性和高耐的SiC层裂纹扩展。根据本发明的体涂覆有SiC层或包含至少一种SiC层的多层涂层体系中，SiC层由含卤素的纳米晶体3C-SiC构成或由卤素-3C-SiC和无定形纳米晶的混合层的 SiC或3C-碳化硅含卤素的纳米晶体和无定形碳。这些机构的涂层在热CVD工艺进行的，气体混合物被使用时，H 2和/或一种或多种惰性气体，一种或多种式SinX2n的卤代聚硅烷的，SinX2n + 2，SinXyHz其中X是卤素，n = 2，和一种或多种烃。可替代地，气体混合物被用于包含一个或多个取代的有机取代基R卤代聚硅烷通式SinXyRz或SinHxXyRz在H 2和/或一种或多种惰性气体，其中X是卤素，n = 2，Z> 0，Y = 1。的化学计量关系的2n + 2 = Y + Z或为2n = Y + Z和SinHxXyRz化学计量关系适用SinXyRz的2n + 2 = X + Y + Z = x或2N + Y + Z。

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