专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2005073765A1 POLYMERWELLENLEITER FÜR OPTO-ELEKTRONISCHE SCHALTUNGSTRÄGER 审中-公开
标题翻译：聚合物波导光电子线路CARRIER
公开(公告)号：WO2005073765A1
公开(公告)日：2005-08-11
申请号：PCT/EP2005/000991
申请日：2005-02-01
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , MICRO RESIST TECHNOLOGY GMBH , PFEIFFER, Karl , OSTRZINSKI, Ute , SCHROEDER, Henning , BAUER, Joerg , GRUETZNER, Gabi
发明人： PFEIFFER, Karl , OSTRZINSKI, Ute , SCHROEDER, Henning , BAUER, Joerg , GRUETZNER, Gabi
IPC分类号： G02B6/138
CPC分类号： G02B6/1221 , G02B6/138 , H05K1/0274
摘要： Die Erfindung betrifft Polymerwellenleiter mit guter Haftung der einzelnen Schichten untereinander sowie der Schichten zum Substrat, umfassend ein Basissubstrat aus einem organischen, ggf. mit anorganischen Partikeln oder Fasern verstärkten Material, vorzugsweise einem Epoxymaterial, eine untere Pufferschicht aus einem ersten Epoxy- und/oder Vinylpolymeren, eine Wellenleiterstruktur aus einem zweiten Epoxy- und/oder Vinylpolymeren, wobei die beiden Schichten in ihrer chemischen Grundzusammensetzung voneinander derart abweichen, dass die Wellenleiterstruktur einen um mindestens 0,003 abweichenden Brechungsindex bei Wellenlängen im Bereich zwischen 600 und 1000 nm besitzt, eine obere Pufferschicht mit demselben Brechungsindex wie ihn die untere Pufferschicht besitzt, und vorzugsweise ein Decksubstrat. Um die erwähnt gute Haftung zu erzielen, ist es günstig, wenn, vor allem im Falle des Einsatzes von Epoxyharzen, die untere Puffer- und die Wellenleiter-Schicht zuerst bis zu einer Temperatur von etwa 120-160°C, vorzugsweise von ca. 140°C, thermisch behandelt werden. Die Zeitdauer der Temperaturbehandlung spielt dabei eine untergeordnete Rolle. Noch vorhandene reaktive Gruppen, beispielsweise Epoxydgruppen, bleiben hierbei reaktionsfähig. Dies ist eine Voraussetzung, um einen Verbund der Schichten untereinander und zu anderen Schichten, ggf. der oberen Pufferschicht (siehe unten) und insbesondere das Basis- und Decksubstrat, bei der später erforderlichen Bonding-Temperatur von 180°C oder noch darüber (200°C) und einem Druck von z.B. 5-20 bar zu erhalten. Eine gute Haftung lässt sich außerdem erzielen, wenn die Glasübergangstemperatur des als Ausgangsmaterial für die Schichten eingesetzten Harzes relativ niedrig ist. Eine Senkung dieses Parameters lässt sich beispielsweise über den Zusatz von Monomeren zu diesem Harz bewirken.
摘要翻译：本发明涉及一种具有单独的层彼此之间以及包含有机的基底基板上基片的各层的良好的粘合性聚合物波导，任选地与无机颗粒或纤维材料，优选为环氧材料，第一环氧树脂和/或乙烯基聚合物的下部缓冲层加强，第二环氧基和/或乙烯基聚合物，其特征在于，在其基本的化学组成的两层彼此，使得波导结构具有在波长600和1000纳米，具有相同的上层缓冲层之间的范围内的至少0003不同折射率不同的波导结构因为它具有较低的缓冲层的折射率，优选为覆盖基板。为了实现所提及的良好的粘附性，这是有利的，如果，特别是在使用的环氧树脂，下缓冲和波导层的第一至约120-160℃的温度的情况下，优选从约140 被℃下热处理热处理的持续时间起着次要作用。剩余的反应性基团如环氧基，这里保持响应。这是为了产生层彼此以及其它层的复合物的先决条件，如果必要的话，上缓冲层（见下文），特别是底座和盖基板（在180℃下所需的后面粘结温度或甚至约200℃的 C）和压力，例如，获得巴5-20。良好的粘附性可被如果此外，当用作起始材料用于层中的树脂的玻璃化转变温度比较低实现。该参数的减小可以是起因于这种树脂，例如，在加入单体。

2. 发明申请

WO03005123A3 METHOD FOR THE PRODUCTION OF MICROSTRUCTURES AND NANOSTRUCTURES USING IMPRINT LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：用于微纳米结构与压印光刻技术的生产
公开(公告)号：WO03005123A3
公开(公告)日：2003-07-31
申请号：PCT/DE0202435
申请日：2002-06-28
申请人： MICRO RESIST TECHNOLOGY GMBH , PFEIFFER KARL , AHRENS GISELA , GRUETZNER GABI , REUTHER FREIMUTH
发明人： PFEIFFER KARL , AHRENS GISELA , GRUETZNER GABI , REUTHER FREIMUTH
IPC分类号： G03F7/00 , G03F1/00
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/0017
摘要： The invention relates to the production of microstructures and nanostructures by hot stamping, charactererized in that lithographically produced structures are used for molding, said structures being made of curable materials, preferably based on photoreactive epoxy resins. Preferably, the structure is transferred in thin layers.
摘要翻译：本发明涉及生产微结构和纳米结构的通过热压印，其特征在于，用于成型光刻产生的图案由verwendert可固化材料，优选基于环氧树脂和它们的光反应性图案转移的优选发生在薄层。

3. 发明申请

WO1997046519A1 LIGHT-SENSITIVE RESIST WHICH CAN BE DEVELOPED IN AN AQUEOUS-ALKALI MANNER AND OPERATES NEGATIVELY 审中-公开
标题翻译：对光敏感，含水碱性显影的负性工作抗蚀剂
公开(公告)号：WO1997046519A1
公开(公告)日：1997-12-11
申请号：PCT/DE1997001176
申请日：1997-06-05
申请人： MICRO RESIST TECHNOLOGY GMBH , GRÜTZNER, Gabi , VOIGT, Anja , BENDIG, Jürgen , SCHMIDT, Ines , SAUER, Erika
发明人： MICRO RESIST TECHNOLOGY GMBH
IPC分类号： C07C309/76
CPC分类号： G03F7/008
摘要： The invention concerns a light-sensitive resist which can be developed in an aqueous-alkali manner, operates negatively and is used to produce negative structures in the m and nm ranges. The resist comprises as light-sensitive component a diazidostilbene-disulphonic acid ester of general formula (I) in which R designates a group of formula (II) in which R , n and X have the meanings given in the application. In the spectral range of between 200 and 400 nm the resist displays great sensitivity and exceptional solubility in the solvent used. The diazidostilbene-disulphonic acid esters of formula (I) are economical and can be prepared in a simple two-step synthesis.
摘要翻译：本发明包括感光，含水碱性显影，负性工作抗蚀剂，其用于制备用于微米和纳米范围内的负结构。抗蚀剂包括作为感光元件，在通式（I）的diazidostilbenedisulphonic酸酯其中R <1>表示的基团的式（II）其中R <2>中，n，X必须在应用程序，它在给定的含义的200到400nm的光谱范围内具有高灵敏度，并显示在使用的溶剂中的溶解性优异。式（I）的diazidostilbenedisulphonic酸酯是廉价的，并且可以在一个简单的两步合成来可视化。

4. 发明申请

WO2003005123A2 KUNSTSTOFFSTEMPEL FÜR DIE ERZEUGUNG VON MIKRO- UND NANOSTRUKTUREN MIT DER IMPRINTLITHOGRAPHIE 审中-公开
标题翻译：塑料寺为微纳米结构与压印光刻技术的生产
公开(公告)号：WO2003005123A2
公开(公告)日：2003-01-16
申请号：PCT/DE2002/002435
申请日：2002-06-28
申请人： MICRO RESIST TECHNOLOGY GMBH , PFEIFFER, Karl , AHRENS, Gisela , GRÜTZNER, Gabi , REUTHER, Freimuth
发明人： PFEIFFER, Karl , AHRENS, Gisela , GRÜTZNER, Gabi , REUTHER, Freimuth
IPC分类号： G03F1/00
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/0017
摘要： Die bekannte für die Stempelfertigung benutzte Elektronenstrahllithographie ist kostenintensiv und sehr zeitaufwendig. Dabei besitzen die herkömmlichen hochempfindlichen Elektronenstrahlresiste eine unzureichende Plasmaätzbeständigkeit und die galvanische Abformung stellt besondere Anforderungen an das Strukturprofil und an die thermische Stabilität und Löslichkeit der Resiststrukturen. Die neue Herstellung und Verwendung von lithographisch erzeugten Resiststrukturen als Stempelmaterial für die Imprintlithographie zur Erzeugung von Mikro- und Nanostrukturen soll daher die Nachteile der herkömmlichen Verfahrensweise bei der Stempelherstellung überwinden. So wird bei der Erfindung ein Negativresistsystem verwendet, dessen lithographisch erzeugte Strukturen den an einen Stempel zum Prägen dünner Polymerschichten gestellten Anforderungen entsprechen. Es werden somit zur Abformung lithographisch erzeugte Strukturen verwendet, die aus härtbaren Materialien, vorzugsweise auf der Basis photoreaktiver Epoxydharze bestehen. Die Erfindung ermöglicht so eine ökonomische und somit preiswerte Herstellung von Stempelmaterial.
摘要翻译：已知的用于印模生产中使用电子束光刻是昂贵和耗时的。常规的高灵敏度的电子束抗蚀剂在等离子体蚀刻不充分，电镀处理放置在抗蚀剂图案的热稳定性和溶解性的结构和轮廓的特殊要求。新的生产和使用的光刻抗蚀剂产生的结构作为印模材料用于生产微结构和纳米结构的压印光刻因此克服常规方法的缺点在生产邮票。因此，在本发明中，负型抗蚀剂系统中使用的，光刻产生的结构对应于施加于邮票压花薄的聚合物层的要求。因此，存在用于模制由可固化材料的光刻生成的模式，优选基于光反应性环氧树脂。因此，本发明允许经济且因此便宜的生产印模坯料。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式