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1. 发明申请

WO2009104851A1 DEVICE FOR XOR MAGNETO-LOGIC CIRCUIT USING STT-MTJ 审中-公开
标题翻译：使用STT-MTJ进行异或逻辑电路的器件
公开(公告)号：WO2009104851A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/KR2008/005568
申请日：2008-09-19
申请人： EWHA UNIVERSITY-INDUSTRY COLLABORATION FOUNDATION , SHIN, Hyungsoon , LEE, Seungyeon , LEE, Hyunjoo , LEE, Gamyoung
发明人： SHIN, Hyungsoon , LEE, Seungyeon , LEE, Hyunjoo , LEE, Gamyoung
IPC分类号： H01L29/768
CPC分类号： G11C11/1675 , G11C11/1673
摘要： The present invention relates to an XOR logic operation apparatus using a spin torque transfer-based MTJ device. The XOR logic operation apparatus includes two parallel-connected magnetic memory cells (100, 200), and a sense amplifier (300) connected to first ends of the two magnetic memory cells. Each of the magnetic memory cells includes an MTJ device (10) and a current control circuit (50). Each magnetic memory cell includes a top electrode (11) and a bottom electrode (13) configured to allow current to flow therethrough, an insulating layer (19) configured to electrically insulate the top electrode from the bottom electrode, and a free magnetic layer (17) and a pinned magnetic layer (15) respectively formed on a top and a bottom of the insulating layer. The current control circuit controls flow of current passing between the top electrode and the bottom electrode, and changes a magnetization direction of the free magnetic layer.
摘要翻译：本发明涉及使用基于自旋转矩传输的MTJ装置的异或逻辑运算装置。 XOR逻辑运算装置包括两个并联的磁存储单元（100,200）和连接到两个磁存储单元的第一端的读出放大器（300）。每个磁存储单元包括MTJ装置（10）和电流控制电路（50）。每个磁存储单元包括被配置为允许电流流过其中的顶部电极（11）和底部电极（13），被配置为使顶部电极与底部电极电绝缘的绝缘层（19）和自由磁性层 17）和分别形成在绝缘层的顶部和底部上的钉扎磁性层（15）。电流控制电路控制在顶部电极和底部电极之间流动的电流，并且改变自由磁性层的磁化方向。

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