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1. 发明申请

WO03038875A2 METHOD FOR PHOTOLITHOGRAPHIC STRUCTURING BY MEANS OF A CARBON HARD MASK LAYER WHICH HAS A DIAMOND-LIKE HARDNESS AND IS PRODUCED BY MEANS OF A PLASMA-ENHANCED DEPOSITION METHOD 审中-公开
标题翻译：用光刻结构化过程通过等离子体增强沉积工艺制造碳硬掩模层钻石般的硬度
公开(公告)号：WO03038875A2
公开(公告)日：2003-05-08
申请号：PCT/DE0204034
申请日：2002-10-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , CZECH GUENTHER , FUELBER CARSTEN , KIRCHHOFF MARKUS , STEGEMANN MAIK , VOGT MIRKO , WEGE STEPHAN
发明人： CZECH GUENTHER , FUELBER CARSTEN , KIRCHHOFF MARKUS , STEGEMANN MAIK , VOGT MIRKO , WEGE STEPHAN
IPC分类号： G03F7/36 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/314 , H01L21/027 , C23C16/26 , C23C16/27 , G03F7/09 , G03F7/11
CPC分类号： H01L21/3146 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/31144
摘要： According to the invention, a carbon hard mask layer (2) is applied to a substrate to be structured (1) by means of a plasma-enhanced deposition method in such a way that it has a diamond-like hardness in at least one vertical section of a layer. During the production of said diamond-type vertical section of a layer, the deposition parameters are adjusted in such a way that certain diamond-type growth regions are removed in situ by means of subsequent etching processes, and other diamond-type regions remain.
摘要翻译：碳硬掩模层（2）以这样的方式通过等离子辅助沉积到基底上要被图案化（1）施加，使得其具有在金刚石的至少一个层厚度部分类似的硬度。在这种类金刚石层厚度部分的产生，用于沉积的参数被设定为使得其它生长区域形成类金刚石原位通过随后的蚀刻工艺被去除，并且保持在该金刚石状形成的部分。

2. 发明申请

WO2003046961A3 PHOTOLITHOGRAPHISCHES VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER STRUKTUR IN EINEM HALBLEITERSUBSTRAT 审中-公开
公开(公告)号：WO2003046961A3
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/DE2002/004223
申请日：2002-11-14
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , KIRCHHOFF, Markus , VOGT, Mirko , WEGE, Stephan , KATZWINKEL, Frank
发明人： KIRCHHOFF, Markus , VOGT, Mirko , WEGE, Stephan , KATZWINKEL, Frank
IPC分类号： H01L21/033
摘要： Zum Ausbilden einer Struktur in einem Halbleitersubstrat (1) wird eine als Kohlenstoffschicht (3) ausgebildete Pufferschicht zwischen einer Photoresistschicht (4) und einer anti-reflektierenden Schicht (2), die auf dem Substrat (1) ausgebildet werden, erzeugt. Die Struktur wird zunächst in der Photoresistschicht (4) durch einen Lithographieschritt erzeugt und in einem nachfolgenden Schritt auf die darunter angeordneten Schichten (1, 2, 3) übertragen.

3. 发明申请

WO2003046961A2 VERFAHREN ZUM AUSBILDEN EINER STRUKTUR IN EINEM HALBLEITERSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：一种用于形成结构的半导体衬底
公开(公告)号：WO2003046961A2
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/DE2002/004223
申请日：2002-11-14
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , KIRCHHOFF, Markus , VOGT, Mirko , WEGE, Stephan , KATZWINKEL, Frank
发明人： KIRCHHOFF, Markus , VOGT, Mirko , WEGE, Stephan , KATZWINKEL, Frank
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/312
摘要： Zum Ausbilden einer Struktur in einem Halbleitersubstrat (1) wird eine als Kohlenstoffschicht (3) ausgebildete Pufferschicht zwischen einer Photoresistschicht (4) und einer anti-reflektierenden Schicht (2), die auf dem Substrat (1) ausgebildet werden, erzeugt. Die Struktur wird zunächst in der Photoresistschicht (4) durch einen Lithographieschritt erzeugt und in einem nachfolgenden Schritt auf die darunter angeordneten Schichten (1, 2, 3) übertragen.
摘要翻译：一个作为碳层（3）形成为在（1）半导体衬底中形成的结构产生的光致抗蚀剂层（4）和在上述基板（1）上形成防反射层（2）之间的缓冲层。的结构是首先在通过光刻步骤产生光致抗蚀剂层（4）和在随后的步骤中，以下面的布置层（2 1，...，3）被发送。

4. 发明申请

WO2004025714A3 METHOD FOR PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：制造半导体结构的方法
公开(公告)号：WO2004025714A3
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/EP0309551
申请日：2003-08-28
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GENZ OLIVER , KIRCHHOFF MARKUS , MACHILL STEFAN , REB ALEXANDER , SCHMIDT BARBARA , STAVREV MOMTCHIL , STEGEMANN MAIK , WEGE STEPHAN
发明人： GENZ OLIVER , KIRCHHOFF MARKUS , MACHILL STEFAN , REB ALEXANDER , SCHMIDT BARBARA , STAVREV MOMTCHIL , STEGEMANN MAIK , WEGE STEPHAN
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/4763 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L21/8244
CPC分类号： H01L21/76811 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/31144
摘要： The invention relates to a method for production of a semiconductor structure, comprising the steps: preparation of a semiconductor substrate (1), generation of a lower first, a middle second and an upper third masking layer (5, 7, 9) on a surface of the semiconductor substrate (1), formation of at least one first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9), structuring the middle second masking layer (7) using the first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9) for the transfer of the first window (11, 11a-h), structuring the lower first masking layer (5) using the first window (11, 11a-h) in the middle second masking layer (7) for the transfer of the first window (11, 11a-h), enlarging the first window (11, 11a-h) in the upper third masking layer (9) to form a second window (13, 13a-b) in a maskless process step, restructuring the middle second masking layer (7) using the second window (13, 13a-b) in the upper third masking layer (9) for the transfer of the second window (13, 13a-b), structuring the semiconductor substrate (1), using the structured lower third masking layer (5), restructuring the lower first masking layer (5) using the second window (13, 13a-b) in the middle second masking layer (7) and restructuring the semiconductor substrate (1) using the restructured lower third masking layer (5).
摘要翻译：本发明提供了一种半导体结构制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底（1）; 在所述半导体衬底（1）的表面上提供下第一掩膜层，中间第二掩膜层和上第三掩膜层（5,7,9）; 在所述上部第三掩模层（9）中形成至少第一窗口（11,11a-h）; 使用上部第三掩模层（9）中的第一窗口（11,11a-h）图案化中间第二掩模层（7）以传递第一窗口（11,11a-h）; 使用中间第二掩模层（7）中的第一窗口（11,11a-h）构造下部第一掩模层（5）以传送第一窗口（11,11a-h）; 扩大上部第三掩模层（9）中的第一窗口（11,11a-h）以在无掩模工艺步骤中形成第二窗口（13,13a-b）; 使用上部第三掩模层（9）中的第二窗口（13,13a-b）重构中央第二掩模层（7）以传送第二窗口（13,13a-b）; 使用图案化的下第三掩模层（5）图案化半导体衬底（1）; 使用中间第二掩模层（7）中的第二窗口（13,13a-b）重构下部第一掩模层（5）; 以及使用重构的下第三掩模层（5）重构半导体衬底（1）。

5. 发明申请

WO2004025714A2 HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINE HALBLEITERSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译：制造方法的半导体结构
公开(公告)号：WO2004025714A2
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：PCT/EP2003/009551
申请日：2003-08-28
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , GENZ, Oliver , KIRCHHOFF, Markus , MACHILL, Stefan , REB, Alexander , SCHMIDT, Barbara , STAVREV, Momtchil , STEGEMANN, Maik , WEGE, Stephan
发明人： GENZ, Oliver , KIRCHHOFF, Markus , MACHILL, Stefan , REB, Alexander , SCHMIDT, Barbara , STAVREV, Momtchil , STEGEMANN, Maik , WEGE, Stephan
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/76811 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/31144
摘要： Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterstruktur mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1); Vorsehen einer unteren ersten, einer mittleren zweiten und einer oberen dritten Maskenschicht (5, 7, 9) auf einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (1); Bilden mindestens eines ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9); Strukturieren der mittleren zweiten Maskenschicht (7) unter Verwendung des ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Übertragen des ersten Fensters (11, 11a-h); Struk-turieren der unteren ersten Maskenschicht (5) unter Verwendung des ersten Fensters (11, 11a-h) in der mittleren zweiten Maskenschicht (7) zum Übertragen des ersten Fensters (11, 11a-h); Vergrößern des ersten Fensters (11, 11a-h) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Bilden eines zweiten Fensters (13, 13a-b) in einem maskenlosen Prozessschritt; Umstrukturieren der mittleren zweiten Maskenschicht (7) unter Verwendung des zweiten Fensters (13, 13a-b) in der oberen dritten Maskenschicht (9) zum Übertragen des zweiten Fensters (13, 13a-b); Strukturieren des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der strukturierten unteren dritten Maskenschicht (5); Umstrukturieren der unteren ersten Maskenschicht (5) unter Verwendung des zweiten Fensters (13, 13a-b) in der mittleren zweite Maskenschicht (7); und Umstrukturieren des Halbleitersubstrats (1) unter Verwendung der umstrukturierten unteren dritten Maskenschicht (5).
摘要翻译：本发明提供了一种制造半导体结构，包括以下步骤的方法：提供半导体衬底（1）; 提供了较低的，第一，中间和第二上部，第三掩模层（5，7，9）在半导体衬底的表面上（1）; 在上层，第三掩模层（9）中形成至少一个第一窗口（11，图11A-H）; 利用在上，第三掩模层中的第一窗口（11，图11A-H）图案化的中间，第二掩模层（7）（9）来传送所述第一窗口（11，图11A-H）; 用于发射第一窗口（11，图11A-H）结构 - 卷曲变形，通过使用在中间的第一窗口（11，图11A-H）下，第一掩模层（5），第二掩模层（7）; 在用于在无掩模的工艺步骤形成的第二窗口（13，13A-B）上，第三掩模层（9）增加第一窗口（11，图11A-H）; 重组在用于传送所述第二窗口（13，13A-B）上，第三掩模层（9），使用所述第二窗口（13，13A-B）的中间，第二掩模层（7）; 利用图案化的下部，第三掩模层的半导体衬底（1）的图案化（5）; 重组下，第一掩模使用第二窗口中的中间层（5）（13，13A-B），第二掩模层（7）; 以及使用该重组下，第三掩模层的半导体衬底（1）的重组（5）。

6. 发明申请

WO2003038875A3 PHOTOLITHOGRAPHISCHES STRUKTURIERUNGSVERFAHREN MIT EINER DURCH EIN PLASMAVERFAHREN ABGESCHIEDENEN KOHLENSTOFF-HARTMASKENSCHICHT MIT DIAMANTARTIGER HÄRTE 审中-公开
公开(公告)号：WO2003038875A3
公开(公告)日：2003-05-08
申请号：PCT/DE2002/004034
申请日：2002-10-29
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , CZECH, Guenther , FUELBER, Carsten , KIRCHHOFF, Markus , STEGEMANN, Maik , VOGT, Mirko , WEGE, Stephan
发明人： CZECH, Guenther , FUELBER, Carsten , KIRCHHOFF, Markus , STEGEMANN, Maik , VOGT, Mirko , WEGE, Stephan
IPC分类号： H01L21/033
摘要： Eine Kohlenstoff-Hartmaskenschicht (2) wird derart durch ein plasmaunterstütztes Abscheideverfahren auf ein zu strukturierendes Substrat (1) aufgebracht, dass sie in mindestens einem Schichtdickenabschnitt eine einem Diamanten vergleichbare Härte aufweist. Bei der Erzeugung dieses diamantartigen Schichtdickenabschnitts werden die Parameter bei der Abscheidung derart eingestellt, dass andere als diamantartig entstehende Wachstumsbereiche in-situ durch nachfolgende Ätzprozesse wieder entfernt werden und dass diamantartig entstehende Bereiche bestehen bleiben.

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