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    • 1. 发明申请
    • NANOFÜLLSTOFF, HERSTELLUNG UND VERWENDUNG
    • 纳米填料,生产和使用
    • WO2003097652A1
    • 2003-11-27
    • PCT/EP2003/004586
    • 2003-05-02
    • CREAVIS GESELLSCHAFT FÜR TECHNOLOGIE UND INNOVATION MBHKÜHNLE, AdolfJOST, CarstenABBENHUIS, Hendrikus, Cornelis, Louis
    • KÜHNLE, AdolfJOST, CarstenABBENHUIS, Hendrikus, Cornelis, Louis
    • C07F7/21
    • C07F7/21
    • Die Erfindung betrifft einen Nanofüllstoff mit einer (Partikel-)Größe kleiner 20 nm (Nanometer) zur Verwendung in einem Matrixmaterial, die daraus resultierende Matrix, ein Verfahren zur Herstellung dieser Matrix und die Verwendung dieses Nanofüllstoffs, wobei der Nanofüllstoff funktionalisierte polyedrische oligomere Silizium-Sauerstoffclustereinheiten aufweist, gemäß der Formel [(R a X b SiO 1,5 ) m (R c X d SiO) n (R e X f Si 2 O 2,5 ) o (R g X h Si 2 O 2 ) p ] mit: a, b, c = 0-1; d = 1-2; e, g, f = 0-3; h = 1-4; m.b + n.d + o.f + p.h ≤ 4; m+n+o+p ≥ 4; a+b = 1; c+d =2; e+f = 3 und g+h =4; R = Wasserstoffatom, Alkyl-, Cycloalkyl-, Alkenyl-, Cycloalkenyl-, Alkinyl-, Cycloalkinyl-, Aryl-, Heteroarylgruppe oder Polymereinheit, die jeweils substituiert oder unsubstituiert sind, oder weitere funktionalisierte polyedrische oligomere Silizium-Sauerstoffclustereinheiten, die über eine Polymereinheit oder eine Brückeneinheit angebunden sind, X = Oxy-, Hydroxy-, Alkoxy-, Carboxy-, Silyl-, Alkylsilyl-, Alkoxysilyl-, Siloxy-, Alkylsiloxy-, Alkoxysiloxy-, Silylalkyl-, Alkoxysilylalkyl-, Alkylsilylalkyl-, Halogen-, Epoxy-, Ester-, Fluoralkyl-, Isocyanat-, blockierte Isocyanat-, Acrylat-, Methacrylat-, Nitril-, Amino-, Phosphingruppe oder mindestens eine solche Gruppe vom Typ X aufweisenden Substituenten vom Typ R,wobei die Substituenten vom Typ R gleich oder unterschiedlich sind und die Substituenten vom Typ X gleich oder unterschiedlich sind und der Maßgabe, dass pro Clustereinheit maximal vier Substituenten vom Typ X vorhanden sind.
    • 本发明涉及具有小于20nm(纳米),用于在基体材料使用的(颗粒)尺寸的纳米填料,所得矩阵,用于制备本矩阵和使用这种纳米填料的方法,其中所述纳米填料官能多面体低聚硅氧簇为单位 有,根据公式[(RaXbSiO1,5)米(RcXdSiO)N(ReXfSi2O2,5)O(RgXhSi2O2)p]与A,b,C = 0-1; D = 1-2; E,G,F = 0-3; H = 1-4; M.B + N.D. + + o.f p.h <= 4; M + N + O + P> = 4; A + B = 1; C + D = 2; E + F = 3和g + H = 4; R =氢原子,烷基,环烷基,烯基,环烯基,炔基,环炔基,芳基,杂芳基或聚合物单元,各自是取代或未取代的,或进一步官能化多面体低聚硅氧簇单元,其经由聚合物单元或 桥连单元连接时,X =氧,羟基,烷氧基,羧基,甲硅烷基,烷基甲硅烷基,烷氧基甲硅烷,甲硅烷氧基,Alkylsiloxy-,Alkoxysiloxy-,甲硅烷基,烷氧基甲硅烷,Alkylsilylalkyl-,卤素,环氧 - ,酯,氟烷基,异氰酸酯,嵌段异氰酸酯,丙烯酸酯,甲基丙烯酸酯,腈,氨基,膦基团或至少一个这样的基团的类型R的类型的X取代基,其中,所述类型R的取代基是相同或 是不同的和X型的取代基是相同的或不同的,并且其条件是每个群集单元的X型的最多四个取代基存在。
    • 2. 发明申请
    • FUNKTIONALISIERTE POLYEDRISCHE OLIGOMERE SILIZIUM-SAUERSTOFF-CLUSTER ALS VERNETZER
    • 官能多面体低聚硅氧CLUSTER AS LINKER
    • WO2003095547A2
    • 2003-11-20
    • PCT/EP2003/004587
    • 2003-05-02
    • CREAVIS GESELLSCHAFT FÜR TECHNOLOGIE UND INNOVATION MBHKÜHNLE, AdolfJOST, CarstenABBENHUIS, Hendrikus, Cornelis, Louis
    • KÜHNLE, AdolfJOST, CarstenABBENHUIS, Hendrikus, Cornelis, Louis
    • C08K5/549
    • C08K5/0025C08K5/549
    • Die Erfindung betrifft einen Vernetzer zur Vernetzung von Matrixmaterialien, die daraus resultierende Matrix, das hierfür angewandte Verfahren und die Verwendung dieses Vernetzers, wobei der Vernetzer funktionalisierte polyedrische oligomere Silizium-Sauerstoff-Clustereinheiten aufweist, gemäß der Formel [(RaXbSiO1,5)m (RcXdSiO)n (ReXfSi2O2,5)o (RgXhSi2O2)p]mit mit a, b, c = 0-1; d = 1-2; e, f, g = 0-3; h = 1-4; m+n+o+p ³ 4; a+b = 1; c+d = 2; e+f = 3 und g+h = 4; R = Wasserstoffatom, Alkyl-, Cycloalkyl-, Alkenyl-, Cycloalkenyl-, Alkinyl-, Cycloalkinyl-, Aryl-, Heteroarylgruppe oder Polymereinheit, die jeweils substituiert oder unsubstituiert sind oder weitere funktionalisierte polyedrische oligomere Silizium-Sauerstoff-Clustereinheiten, die über eine Polymereinheit oder eine Brückeneinheit angebunden sind,X = Oxy-, Hydroxy-, Alkoxy-, Carboxy-, Silyl-, Alkylsilyl-, Alkoxysilyl-, Siloxy-, Alkylsiloxy-, Alkoxysiloxy-, Silylalkyl-, Alkoxysilylalkyl-, Alkylsilylalkyl-, Halogen-, Epoxy-, Ester-, Fluoralkyl-, Isocyanat-, blockierte Isocyanat-, Acrylat-, Methacrylat-, Nitril-, Amino-, Phosphingruppe oder mindestens eine solche Gruppe vom Typ X aufweisenden Substituenten vom Typ R,eingesetzt wird,wobei die Substituenten vom Typ R gleich oder unterschiedlich sind und die Substituenten vom Typ X gleich oder unterschiedlich sind.
    • 本发明涉及的交联剂为基质材料,所得到的矩阵,交联,这用于此目的的程序和使用这种交联剂,其中所述交联剂包括官能化多面体低聚硅氧簇为单位,根据公式[(RaXbSiO1,5)米(RcXdSiO )N(ReXfSi2O2,5)O(RgXhSi2O2)p]与A,b,C = 0-1; D = 1-2; E,F,G = 0-3; H = 1-4; M + N + O + P³4; A + B = 1; C + D = 2; E + F = 3和g + H = 4; R =氢原子,烷基,环烷基,烯基,环烯基,炔基,环炔基,芳基,杂芳基或聚合物单元,各自是取代或未取代的,或进一步官能化多面体低聚硅氧簇单元,其通过的聚合物单元 或一个桥连单元连接时,X =氧,羟基,烷氧基,羧基,甲硅烷基,烷基甲硅烷基,烷氧基甲硅烷,甲硅烷氧基,Alkylsiloxy-,Alkoxysiloxy-,甲硅烷基,烷氧基甲硅烷,Alkylsilylalkyl-,卤素, 环氧基,酯,氟烷基,异氰酸酯,嵌段异氰酸酯,丙烯酸酯,甲基丙烯酸酯,腈,氨基,膦基团或至少一个这样的基团具有取代基的,则使用类型R型,这里的取代基X 类型R是相同的或不同的和X型的取代基是相同或不同的。
    • 5. 发明申请
    • PROCESS FOR PRODUCING LOW-K DIELECTRIC FILMS
    • 生产低K电介质膜的方法
    • WO2005004220A1
    • 2005-01-13
    • PCT/EP2004/050989
    • 2004-06-02
    • DEGUSSA AGKÜHNLE, AdolfJOST, CarstenRAULEDER, HartwigRENTROP, CorneVAN DAM, RoelantTIMMER, KlaasFISCHER, Hartmut
    • KÜHNLE, AdolfJOST, CarstenRAULEDER, HartwigRENTROP, CorneVAN DAM, RoelantTIMMER, KlaasFISCHER, Hartmut
    • H01L21/312
    • H01L21/02126C09D183/04H01L21/02203H01L21/02216H01L21/02282H01L21/31695
    • The invention relates to processes for producing low-k dielectric films on semiconductors or electrical circuits, which comprises using incompletely condensed polyhedral oligomeric silsesquioxanes of the formula [ (R a X b SiO 1.5 ) m (R c Y d SiO) n ] with: a, b = 0-1; c, d = 1; m+n ≥ 3; a+b = 1; n, m ≥ 1, R = hydrogen atom or alkyl, cycloalkyl, alkenyl, cycloalkenyl, alkynyl, cycloalkynyl, aryl or heteroaryl group, in each case substituted or unsubstituted, X = an oxy, hydroxyl, alkoxy, carboxyl, silyl, silyloxy, halogen, epoxy, ester, fluoroalkyl, isocyanate, acrylate, methacrylate, nitrile, amino or phosphine group or substituents of type R containing at least one such group of type X, Y = hydroxyl, alkoxy or a substituent of type O-SiZ 1 Z 2 Z 3 , where Z 1 , Z 2 and Z 3 are fluoroalkyl, alkoxy, silyloxy, epoxy, ester, acrylate, methacrylate or a nitrile group or substituents of type R and are identical or different, not only the substituents of type R being identical or different but also the substituents of type X and Y in each case being identical or different, and comprising at least one hydroxyl group as substituent of type Y, for producing the film, and to low-k dielectric films produced by this process.
    • 本发明涉及在半导体或电路上生产低k电介质薄膜的方法,其中包括使用式[(RaXbSiO1.5)m(RcYdSiO)n]的不完全缩合的多面体低聚倍半硅氧烷:a,b = 0-1 ; c,d = 1; m + n> = 3; a + b = 1; n,m = 1,R =氢原子或烷基,环烷基,烯基,环烯基,炔基,环炔基,芳基或杂芳基,各自为取代或未取代的,X =氧基,羟基,烷氧基,羧基,甲硅烷基, 卤素,环氧基,酯,氟代烷基,异氰酸酯,丙烯酸酯,甲基丙烯酸酯,腈,氨基或膦基或含有至少一个X,Y =羟基,烷氧基或O-SiZ 1 Z 2 Z 3的取代基的至少一种的R型取代基, 其中Z 1,Z 2和Z 3是氟代烷基,烷氧基,甲硅烷氧基,环氧基,酯,丙烯酸酯,甲基丙烯酸酯或腈基或R的取代基和相同或不同,不仅R的取代基相同或不同, X和Y各自相同或不同,并且包含至少一个作为Y型取代基的羟基,用于制备该膜,以及通过该方法制备的低k电介质膜。
    • 8. 发明申请
    • TRANSPARENT MASTERBATCHES FOR THERMOPLASTICS
    • 用于热塑性塑料的透明主板
    • WO2004101653A3
    • 2005-01-20
    • PCT/EP2004050327
    • 2004-03-18
    • DEGUSSAKUEHNLE ADOLFJOST CARSTEN
    • KUEHNLE ADOLFJOST CARSTEN
    • C08J3/22C08L83/04C08L83/06C08L83/08C08L101/00
    • C08L83/04C08G77/045C08G77/12C08G77/14C08G77/16C08G77/18C08G77/20C08G77/24C08G77/26C08G77/46C08G77/50C08G77/60C08J3/226C08L83/06C08L83/08C08L2666/02
    • The invention relates to a transparent masterbatch for improving the surface properties of thermoplastics, said masterbatch containing from 10% to 60% by weight of polyhedral oligomeric silicon-oxygen cluster units in accordance with the formula [(RaXb,SiO1.5)m (RCXdSIO)n (ReXfSi2O2.5)o(RgXhSi2O2)p] where: a, b, c = 0-1; d = 1-2; e, f, g = 0-3; h = 1-4; m+n+o+p >= 4; a+b = 1; c+d = 2; e+f = 3 and g+h = 4; R = hydrogen atom, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, cycloalkenyl, alkynyl, cycloalkynyl group or polymer unit, each substituted or unsubstituted, or further functionalized polyhedral oligomeric silicon-oxygen cluster units attached via a polymer unit or a bridging unit, X = oxy, hydroxy, alkoxy, carboxy, silyl, alkylsilyl, alkoxysilyl, siloxy, alkylsiloxy, alkoxysiloxy, silylalkyl, alkoxysilylalkyl, alkylsilylalkyl, halogen, epoxy, ester, fluoroalkyl, isocyanate, blocked isocyanate, acrylate, methacrylate, nitrile, amino, phosphine or polyether group or substituents of type R containing at least one such group of type X the substituents of type R being identical or different and the substituents of type X being identical or different and from 40% to 9011/o by weight of a thermoplastic carrier material, and to a transparent thermoplastic and to its production process.
    • 本发明涉及一种用于改善热塑性塑料表面性能的透明母料,所述母料含有按重量计10%至60%重量的多面体低聚硅 - 氧簇簇单元,按照式[(RaXb,SiO1.5)m(RCXdSIO )n(ReXfSi2O2.5)o(RgXhSi2O2)p]其中:a,b,c = 0-1; d = 1-2; e,f,g = 0-3; h = 1-4; m + n + o + p> = 4; a + b = 1; c + d = 2; e + f = 3,g + h = 4; R =氢原子,烷基,环烷基,烯基,环烯基,炔基,环炔基或聚合物单元,每个取代或未取代的或通过聚合物单元或桥接单元连接的其它官能化多面体低聚硅 - 氧簇簇,X =氧, 羟基,烷氧基,羧基,甲硅烷基,烷基甲硅烷氧基,烷氧基甲硅烷氧基,甲硅烷基烷基,烷氧基甲硅烷基烷基,烷基甲硅烷基烷基,卤素,环氧基,酯,氟代烷基,异氰酸酯,封端异氰酸酯,丙烯酸酯,甲基丙烯酸酯,腈,氨基,膦或聚醚基团或 R型的取代基包含至少一个这种X型基团,R型取代基相同或不同,并且X型取代基相同或不同,为热塑性载体材料的重量百分比为40%至9011 / 透明的热塑性塑料及其生产工艺。