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1. 发明申请

WO2010043245A1 VERFAHREN ZUR SICHERUNG EINES ANKERBLOCKS IN FLASHSPEICHERN 审中-公开
标题翻译：方法用于固定锚块FLASH STORE
公开(公告)号：WO2010043245A1
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：PCT/EP2008/063748
申请日：2008-10-13
申请人： HYPERSTONE GMBH , SCHMIDBERGER, Franz , BAUMHOF, Christoph , SENGER, Christian
发明人： SCHMIDBERGER, Franz , BAUMHOF, Christoph , SENGER, Christian
IPC分类号： G06F11/20 , G11C29/00
CPC分类号： G06F11/1666 , G06F11/20
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Sicherung eines als Ankerblock gekennzeichneten Blockes eines in löschbaren Blöcken organisierten Flashspeichers, in dem Verwaltungsdaten des Flashspeichers gespeichert sind, wobei - eine Sicherungskopie (5) des Ankerblocks (4) in einen freien Block des Flashspeichers (1) geschrieben wird - und bei auftretenden Fehlern bei den Leseoperationen aus dem Ankerblock (4) dieser mit dem Inhalt der Sicherungskopie (5) neu geschrieben wird.
摘要翻译：本发明描述了用于固定标记为组织成可擦除块闪速存储器的一个锚块的块被存储在闪速存储器的管理数据，其中一个方法 - 一个备份副本（5）锚块（4）存储到闪速存储器的空闲块（1）被写入 - 当在从这个锚块（4）与所述备份副本（5）的内容读取操作发生错误被重写。

2. 发明申请

WO2010097065A1 VERFAHREN ZUR VERWALTUNG VON FLASHSPEICHERN MIT GEMISCHTEN SPEICHERTYPEN 审中-公开
标题翻译：方法管理Flash存储器存储与混合型
公开(公告)号：WO2010097065A1
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：PCT/DE2009/075011
申请日：2009-02-26
申请人： Hyperstone GmbH , SCHMIDBERGER, Franz
发明人： SCHMIDBERGER, Franz
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211 , G11C16/349 , G11C2211/5641
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Verwaltung eines Flashspeichers mit mehreren Flashchips, die in eine Vielzahl von separat löschbaren physikalischen Blöcken gegliedert sind und diese Blöcke eine begrenzte maximale Löschhäufigkeit besitzen, und die Blöcke des Speichers über logische Blockadressen (LBA) adressiert werden, die über eine Adresstabelle (AT) in physikalische Blockadressen umgesetzt werden, und zu jedem Block ein Löschzähler mitgeführt wird, in dem die Anzahl der Löschungen des Blockes gezählt wird, wobei in dem Flashspeicher (FS) zwei Bereiche mit unterschiedlichen Typen von Flashchips vorhanden sind, wobei der erste Bereich (B1) Single-Level-Flashchips mit einer sehr großen maximalen Löschhäufigkeit enthält und der zweite Bereich (B2) Multi-Level-Flashchips mit einer niedrigeren maximalen Löschhäufigkeit enthält, und beim Beschreiben des Speichers die Adressumsetzung der logischen Adressen in physikalische Adressen zunächst so erfolgt, dass alle Blöcke des ersten Bereiches (B1) beschrieben werden, wenn alle Blöcke des ersten Bereiches beschrieben sind und ein weiterer Schreibvorgang auszuführen ist, der Block in dem ersten Bereich (B1) mit dem niedrigsten Löschzähler in einen unbeschriebenen Block im zweiten Bereich (B2) kopiert wird.
摘要翻译：本发明描述了一种用于管理闪速存储器具有多个闪存芯片被划分成多个单独可擦除物理块，并且这些块具有有限的最大擦除次数和通过逻辑块地址（LBA）的存储器的块加以解决的，通过一个地址表（AT）被转换成物理块地址，并且其中计数沿着到每个块，其中，在所述闪速存储器（FS）具有两个区域具有不同类型的闪存芯片都存在，进行该块的擦除次数的擦除计数，其中所述第一区（B1）单级Flash芯片具有非常大的最大擦除次数包含和所述第二区域（B2）多级闪存芯片具有较低的最大擦除次数包含，和写入逻辑地址的存储器地址转换成物理地址时最初如此由该人所述第一区域（B1）的文件块将在第二区域来描述，如果所描述的第一区域的所有块，并且进一步的写操作将被执行，则该块的副本在第一区域（B1）具有最低擦除计数处于未写入块（B2）是。

3. 发明申请

WO2009143885A1 VERFAHREN ZUM ADRESSIEREN VON SEITENORIENTIERTEN NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHERN 审中-公开
标题翻译：方法解决基于页面的非易失性存储器
公开(公告)号：WO2009143885A1
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：PCT/EP2008/056524
申请日：2008-05-28
申请人： HYPERSTONE GMBH , SCHMIDBERGER, Franz , BAUMHOF, Christoph
发明人： SCHMIDBERGER, Franz , BAUMHOF, Christoph
IPC分类号： G06F12/02
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F2212/7201
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Adressierung von Speicherseiten eines nichtflüchtigen Speichers in einem Speichersystem (MS) mit einem Speichercontroller (MC) und einem weiteren flüchtigen Speicher (RAM), bei dem der nichtflüchtige Speicher in löschbaren Speicherblöcken mit einer Vielzahl von Speicherseiten organisiert ist, und jede Speicherseite, die eine Anzahl von Sektoren enthält, einzeln geschrieben werden kann, und bei dem im flüchtigen Speicher eine Adressumsetzungstabelle (AT) gehalten ist, in der eine Zuordnung von logischen Speicherseitenadressen (LPA) zu physikalischen Speicherseitenadressen (PPA) angegeben ist, wobei durch den Speichercontroller (MC)- eine Rekonstruktionstabelle (RT) als Kopie der Adressumsetzungstabelle in einem oder mehreren Speicherblöcken im nichtflüchtigen Speicher (FM) abgespeichert wird, eine Logbuchtabelle (LBK) mit Datensätzen über geänderte Zuordnungen von logischen Speicherseitenadressen (LPA) zu physikalischen Speicherseitenadressen (PPA) im flüchtigen Speicher (RAM) mitgeführt wird, und wenn die Logbuchtabelle (LBK) eine vorbestimmte Größe überschreitet, eine geänderte Rekonstruktionstabelle (RT) im nichtflüchtigen Speicher abgespeichert wird.
摘要翻译：本发明描述了一种方法，用于在存储器系统（MS）到存储器控制器（MC）和另外的易失性存储器（RAM），其中，所述非易失性存储器具有多个存储器页组织成存储器可擦除块的非易失性存储器的存储器页寻址，和每个存储器页，其中包括一些可以被分别写入的扇区，并且在地址转换表中的易失性存储器（AT），其中提供逻辑存储器页地址（LPA）到物理存储器页地址（PPA）的分配，被保持，其特征在于通过存储器控制器（MC） - 一个重构表（RT），如在非易失性存储器（FM）的一个或多个存储器块的地址转换表的副本被存储，日志表（LBK）与逻辑存储器页地址（LPA）到物理Speicherseit的改变分配的记录 enadressen（PPA）在易失性存储器（RAM）被执行，并且如果日志表（LBK）超过预定的大小，经修饰的重建表（RT）被存储在非易失性存储器。

4. 发明申请

WO2013053341A1 HYBRIDE DEKODIERUNG VON BCH KODES FÜR NICHTFLÜCHTIGE SPEICHER 审中-公开
标题翻译：混合解码BCH码在非易失性存储器
公开(公告)号：WO2013053341A1
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：PCT/DE2011/075251
申请日：2011-10-13
申请人： HYPERSTONE GMBH , SCHMIDBERGER, Franz , BAUMHOF, Christoph , MEHNERT, Axel , ALLERT, Steffen
发明人： SCHMIDBERGER, Franz , BAUMHOF, Christoph , MEHNERT, Axel , ALLERT, Steffen
IPC分类号： H03M13/15 , H03M13/37 , G06F11/10
CPC分类号： H03M13/152 , G06F11/1048 , H03M13/153 , H03M13/3707 , H03M13/6508 , H03M13/6561
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Korrektur von Datenfehlern in einem Datenblock, dessen Ursprungsdaten mit einem solchen Sicherungssyndrom ergänzt sind, dass es eine Korrektur von maximal t Datenfehlern erbringt, wobei ein parallel arbeitender Schnellkorrektor (SK) zum Einsatz kommt, wobei der Schnellkorrektor (SK) nur für eine Korrektur von einer Untermenge t 1 der Menge der maximal t Datenfehler ausgelegt ist und dieser Schnellkorrektor (SK) einen Prüfverschlüssler (ENC2) umfasst, der einen ersten Prüfzustandsmerker P1 setzt, der im Falle einer vollständigen Korrektur eines bearbeiteten Datenblocks diesen ausgibt und anderenfalls einen seriell arbeitenden Nachkorrektor (NK) für maximal t Datenfehler aktiviert, dessen Ausgangssignal alternativ ausgegeben wird.
摘要翻译：本发明涉及一种装置和用于在一个数据块，原来的数据被补充有使得它提供高达T个数据的错误，其中，一个并行操作速度校正器（SK）被使用的校正的熔丝综合征校正数据错误的方法，其特征在于快速校正器（SK）只对最大t的数据误差的和这种快速校正器（SK）的量的子集T1的修正包括Prüfverschlüssler（ENC2），其设置第一PrüfzustandsmerkerP1，设计其中在处理后的数据块的一个完整的校正的情况下这些输出，否则一个串联操作Nachkorrektor（NK），用于激活的最大t个错误数据的，输出信号被输出作为替代。

5. 发明申请

WO2012062233A1 VERFAHREN ZUR FREIGABE NICHT LÄNGER BENÖTIGTER SPEICHERBEREICHE AUF NICHTFLÜCHTIGEN SPEICHERMEDIEN 审中-公开
标题翻译： PROCEDURE FOR RELEASE不再需要存储区非性存储介质
公开(公告)号：WO2012062233A1
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/DE2010/075124
申请日：2010-11-08
申请人： HYPERSTONE GMBH , SCHMIDBERGER, Franz
发明人： SCHMIDBERGER, Franz
IPC分类号： G06F12/02 , G06F3/06
CPC分类号： G06F12/0246 , G06F3/0616 , G06F3/064 , G06F3/0652 , G06F3/0679 , G06F2212/7205
摘要： Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Freigabe nicht länger benötigter Speicherbereiche auf einem nichtflüchtigen Speichermedium, das über einen Hostbus an ein Hostsystem angeschlossen ist, in dessen Dateisystem Daten zur Freigabe gekennzeichnet sind, und im nichtflüchtigen Speichermedium die Daten von einem Speichermanagementprogramm in einem Speichercontroller in physikalischen Speicherblöcken mit jeweils einer Beschreibungsstruktur verwaltet werden und eine Zuordnung von logischen Datenblöcken zu physikalischen Speicherblöcken durch eine Zuordnungstabelle erfolgt. Umfassend die Schritte - das Hostsystem informiert das Speichermanagementprogramm über das mögliche Löschen von logischen Datenblöcken mittels eines TRIM-Kommandos, - das Speichermanagementprogramm bildet aus den zu den logischen Datenblöcken zugeordneten Speicherbereichen TRIM-Cluster, - und nimmt in die Beschreibungs struktur der physikalischen Speicherblöcke eine TREVI-Maske mit Elementen zu den TRIM-Clustern des Speicherblocks auf, zu denen die Löschinformation des TRIM-Kommandos über die Zuordnungstabelle zugeordnet ist, - und aktualisiert die TRIM-Masken fortlaufend in allen Aktualisierungsoperationen und Speicherbereinigungen der Speicherblöcke.
摘要翻译：本发明描述了一种用于在其中通过主机总线连接到主机系统中的非易失性存储介质，其中文件系统数据是为了释放释放不再需要的存储器区域，并在非易失性存储介质，从存储管理程序在物理存储块的存储器控制器的数据进行管理，每一个与所述结构的描述，并通过映射表的逻辑数据块到物理存储器块的分配。包括以下步骤： - 在主机系统通知存储器管理程序上的逻辑数据块的可能的缺失通过TRIM的命令的装置， - 从分配给数据存储区的逻辑块中的存储器管理程序形式TRIM簇 - 并采取在物理存储器块TREVI的描述结构并在存储器块的所有更新操作和垃圾收集不断更新TRIM掩模 - 与元件向其中TRIM命令的擦除信息在分配表相关联，所述存储器块的TRIM簇掩模。

6. 发明申请

WO2011082703A1 VERFAHREN ZUR VERWALTUNG VON FLASHSPEICHERN MIT MULTI-LEVEL-ZELLEN 审中-公开
标题翻译：方法管理Flash存储与多级单元
公开(公告)号：WO2011082703A1
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：PCT/DE2010/075001
申请日：2010-01-08
申请人： HYPERSTONE GMBH , SCHMIDBERGER, Franz
发明人： SCHMIDBERGER, Franz
IPC分类号： G11C11/56
CPC分类号： G11C11/5628 , G11C2211/5641 , G11C2211/5643
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Verwaltung eines Flashspeichers, in dem Verwaltungs- und Nutzdaten gespeichert sind und die Nutzdaten von einem Host ϋber logische Sektoren (S1 - Sd) adressiert werden, und der Flashspeicher Multi-Level-Zellen besitzt, die zwei oder mehr Bits pro Zelle speichern, wobei der Flashspeicher in eine Vielzahl von separat löschbaren physikalischen Blöcken (B1- Bn) gegliedert ist und die physikalischen Blöcke in einzeln beschreibbare Pages (P1 - Pm) fur eine Mehrzahl von Sektoren gegliedert sind, und die Pages auf mindestens zwei Ebenen (E1, E2) mit unterschiedlichen Schreibgeschwindigkeiten aufgeteilt sind, wovon eine erste Ebene (E1) sich durch eine hohe Schreibgeschwindigkeit auszeichnet, wobei Daten zur Verwaltung des Flashspeichers nur in der ersten Ebene (E1) des Flashspeichers gespeichert werden und zu schreibende Sektoren für Teile einer Page in einem Zwischenspeicher (AP, AP2) in der ersten Ebene (E1) zwischengespeichert werden, bis eine komplette Page beschrieben werden kann. Wenn Nutzdaten schnell geschrieben werden sollen, können auch diese unter ausschließlicher Ausnutzung der Ebene E1 geschrieben werden.
摘要翻译：本发明涉及一种用于管理闪速存储器，在管理和用户数据的方法被存储，并经由逻辑扇区的宿主中的用户数据（S1 - SD）？被寻址，和快闪存储器多级单元具有两个保存或每个小区，其中，所述闪速存储器被划分为多个单独可擦除物理块（B1-BN）和在单独可写的页（P1 - PM）的物理块的多个比特被划分为多个扇区，并在页面上在至少两个平面（E1，E2）与不同的写入速度，它的第一个面（E1）是由高写入速度区分划分，用于管理闪存中的数据仅存储在所述闪速存储器的所述第一平面（E1）和要被写入的扇区一种用于在缓冲器（AP，AP2）在第一平面（E1）的页面的部分被临时存储，直到一个完整的页面可以被描述。如果能够迅速甚至被写入用户数据，这些可以仅使用利用平面E1被写入。

7. 发明申请

WO2009068074A1 VERFAHREN ZUR GLEICHMÄßIGEN NUTZUNG MEHRERER FLASHSPEICHERCHIPS 审中-公开
标题翻译： FOR USE DC方法缓和多闪存芯片
公开(公告)号：WO2009068074A1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/EP2007/062785
申请日：2007-11-26
申请人： Hyperstone GmbH , SCHMIDBERGER, Franz
发明人： SCHMIDBERGER, Franz
IPC分类号： G11C16/34
CPC分类号： G11C16/349
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Adressieren eines Speichers mit mehren Flashspeicherchips, die in löschbare Blöcke gegliedert sind, die wiederum beschreibbare Sektoren enthalten, und bei dem jedem Speicherblock ein Löschzähler zugeordnet ist. Das Überschreiben der Sektoren erfolgt mittels alternativer Speicherblöcke, die im selben Speicherchip nach niedrigen Löschzählerwerten gesucht werden, solange ein Schwellwert des Löschzählers nicht überschritten ist. Dabei werden die Kopieroperationen mit einem speicherchipinternen Kopierbefehl effizient durchgeführt. Sobald der Schwellwert überschritten wird, werden die alternativen Speicherblöcke auch in anderen Speicherchips gesucht.
摘要翻译：本发明涉及一种用于解决与被组织成可擦除块，又包含该可写扇区的多个闪存芯片的存储器，并且其中，每个存储块，擦除计数器相关联。扇区重写是由被搜索为低的擦除计数值相同的存储器芯片，只要清楚计数器的阈值不被超过的存储器替代块来实现的。复制操作与存储器芯片复制命令有效地进行。一旦超过阈值，替代存储器块被寻求其他存储器芯片。

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