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1. 发明申请

WO2006015567A1 SCHICHTANORDNUNG FÜR EIN LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：层布置的发光元件
公开(公告)号：WO2006015567A1
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：PCT/DE2005/001076
申请日：2005-06-16
申请人： NOVALED GMBH , TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN , HE, Gufeng , PFEIFFER, Martin , BLOCHWITZ-NIMOTH, Jan
发明人： HE, Gufeng , PFEIFFER, Martin , BLOCHWITZ-NIMOTH, Jan
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5016 , H01L51/0051 , H01L51/0052 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5052 , H01L2251/308
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine Schichtanordnung für ein lichtemittierendes Bauelement, insbesondere eine phosphoreszierende organische Leuchtdiode, mit einem löcherinjizierenden Kontakt und einem elektroneninjizierenden Kontakt, die jeweils mit einem lichtemittierenden Bereich verbunden sind, wobei in dem lichtemittierenden Bereich eine lichtemittierende Schicht aus einem Material (M1) und eine andere lichtemittierende Schicht aus einem anderen Material (M2) gebildet sind, wobei das Material (M1) ambipolar und bevorzugt Löcher transportierend gebildet ist und das andere Material (M2) ambipolar und bevorzugt Elektronen transportierend gebildet ist; in dem lichtemittierenden Bereich mit dem Material (M1) und dem anderen Material (M2) ein Heteroübergang gebildet ist; eine Grenzfläche zwischen dem Material (M1) und dem anderen Material (M2) von der Art "staggered Typ II" ist; das Material (M1) und das andere Material (M2) eine jeweilige Beimischung eines oder mehrerer Triplett-Emitter-Dotanden enthalten; und eine Energiebarriere für einen Löcherübertrag von dem Material (M1) in das andere Material (M2) und eine Energiebarriere für einen Elektronenübertrag von dem anderen Material (M2) in das Material (Ml) jeweils kleiner als etwa 0.4eV sind.
摘要翻译：本发明涉及一种用于发光器件的层结构，特别是磷光有机发光二极管，包括：空穴注入接触和一个电子注入接触，它们各自连接到发光区域，其中，在材料的发光区域的发光层（M1）和另一种材料（M2）的另一个发光层中形成，其中所述材料（M1），优选为双极性孔形成输送物质和其他（M2），并且优选地被形成双极性电子传输; 与材料（M1）和所述其它材料（M2）的发光区域，形成异质结形成; 材料（M1）和所述其它材料的类型（M2）“交错型II”之间的接口; 材料（M1）和所述其它材料（M2）含有一个或多个三线态发光掺杂物的各自的混合物; 和能量势垒的材料（M1）的一个孔转移到另一种材料（M2），和用于从其他的材料（M2）的电子转移的能量势垒各自小于约0.4电子伏特的材料中的（ML）。

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