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1. 发明申请

WO2010094867A1 CAISSON LUMINEUX A OUVERTURE COMPAS A RESSORT 审中-公开
标题翻译：带弹簧的SCISSOR-STAY开口的灯箱
公开(公告)号：WO2010094867A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：PCT/FR2010/000169
申请日：2010-02-23
申请人： NORMALU (SAS) , WEIT HALLER, Guillaume , HARTMANN, Jean
发明人： WEIT HALLER, Guillaume , HARTMANN, Jean
IPC分类号： E04B9/00 , F21S8/02 , F21V17/10 , E04B9/32 , E04F13/08 , E04F13/00 , E05D15/58 , E05F1/12 , E05D3/14
CPC分类号： E04B9/32 , E04B9/003 , E04B9/303 , E04B2009/0492 , E04F13/005 , E05D3/14 , E05F1/1276 , E05Y2900/131 , F21S8/02 , F21V17/107 , F21Y2103/00
摘要： L'invention a pour objet un caisson articulé (1), notamment pour faux plafond, comprenant : - une enveloppe (2) comportant un cadre, dit cadre externe (4), formé de quatre côtés (5), définissant un quadrilatère, sur lesquels est monté un fond (6) destinée à être fixée à une paroi; un cadre interne (3) formé de quatre profilés (7) à la base desquels est fixée une nappe tendue (8); au moins une articulation (12) reliant ledit cadre interne (3) et ladite enveloppe (2) de manière à permettre un basculement dudit cadre interne (3) et au moins une fermeture (11) pour maintenir le cadre interne (2) en position de fermeture dite de fonctionnement, ledit cadre interne (3) étant monté coulissant sur l'articulation (12) Ledit caisson est remarquable en ce que l'articulation (12) est du type à freinage permettant d'immobiliser le cadre interne (3) en toute position basculée et comporte un ensemble charnière (13) comprenant une plaquette (131), une bride (132), un mécanisme déformable de type quadrilatère déformable composé de deux bielles (133, 134) articulées et un moyen de freinage (135), lesdites bielles (133, 134) et ledit moyen de freinage (135) sont articulés à l'une de leurs extrémités à la plaquette (131) et à l'autre à la bride (132).
摘要翻译：本发明的主题是铰接盒（1），特别是用于假天花板，并且包括： - 壳体（2），包括被称为外框架（4）的框架，由四个侧面（5）形成，限定一个四边形，并且其上安装有用于固定到墙壁上的端壁（6）; 由四个部件（7）形成的内框架（3），所述内框架（3）的基部安装有拉紧的网（8）; 至少一个连接所述内框架（3）和所述壳体（2）的铰接接头（12），以允许所述内框架（3）倾斜;以及至少一个紧固件（11）以保持所述内框架（2）在被固定的所谓的操作位置中，所述内框架（3）被安装成使得其能够在铰接接头（12）上滑动。所述框是显着的，因为铰接接头（12）是制动型，允许内框架（3）固定在任何倾斜位置，并且包括铰链组件（13），其包括板（131），凸缘（132）），由两个铰接连杆（133,134）和制动装置（135）组成的可变形四边形类型的可变形机构，所述连杆（133,134）和所述制动装置（135）铰接到所述板（131）和另一端的凸缘（132）。

2. 发明申请

WO2005086222A1 PROCEDE DE REVELATION DES DISLOCATIONS EMERGENTES DANS UN MATERIAU CRISTALLIN 审中-公开
标题翻译：用于揭示晶体材料中的折射率的方法
公开(公告)号：WO2005086222A1
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：PCT/FR2005/050134
申请日：2005-03-01
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , BOGUMILOWICZ, Yann , HARTMANN, Jean-Michel , CAMPIDELLI, Yves
发明人： BOGUMILOWICZ, Yann , HARTMANN, Jean-Michel , CAMPIDELLI, Yves
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/24
摘要： L’invention concerne un procédé de révélation de dislocations émergentes dans une couche de surface en matériau cristallin d’un substrat par gravure de ladite couche de surface. Le matériau cristallin de la couche de surface est en Si 1-x Ge x , avec 0 ≤ x ≤ 1 et la gravure est réalisée au moyen d’un gaz gravant ledit matériau cristallin.
摘要翻译：本发明涉及一种用于通过蚀刻该表面层来揭示由衬底的结晶材料制成的表面层中出现的位错的方法。表面层的结晶材料由Si1-xGex组成，其中0 = x = 1，蚀刻通过蚀刻所述结晶材料的气体进行。

3. 发明申请

WO2010097525A1 CAISSON LUMINEUX A OUVERTURE ROTO-TRANSLATIVE 审中-公开
标题翻译：带旋转开关的灯箱
公开(公告)号：WO2010097525A1
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：PCT/FR2010/000170
申请日：2010-02-23
申请人： NORMALU (SAS) , WEIT HALLER, Guillaume , HARTMANN, Jean
发明人： WEIT HALLER, Guillaume , HARTMANN, Jean
IPC分类号： E04B9/00 , F21S8/02 , F21V17/10 , E04B9/32 , E04F13/08 , E04F13/00 , E05D15/58
CPC分类号： E04F13/0862 , E04B9/003 , E04B9/303 , E04B9/32 , E04B2009/0492 , E04F13/005 , F21S8/02 , F21V17/10 , F21V17/107 , F21Y2103/00
摘要： L'invention a pour objet un caisson articulé (1), notamment pour faux plafond, comprenant : une enveloppe (2) formée de quatre côtés (4), définissant un quadrilatère sur lequel est monté un fond (5) et destinée à être fixée à une paroi; au moins un cadre interne (3) formé de quatre profilés (6) à la base desquels est fixée une nappe tendue (7); au moins une articulation (10) reliant ledit cadre interne (3) et ladite enveloppe (2) de manière à permettre un basculement dudit cadre interne (3) par rapport à ladite enveloppe (2); et au moins une fermeture (14) pour maintenir le cadre interne (2) en position de fermeture dite de fonctionnement, l'articulation (10) comprenant une glissière (11) solidaire de l'enveloppe (2) et globalement perpendiculaire à l'axe de rotation du cadre interne (3), un ensemble charnière (12) solidaire du profilé (6). Ledit caisson est remarquable en ce que l'articulation (10) comprend un organe de roulement (13) permettant Ie coulissement de l'ensemble charnière (12) le long de la glissière (11) et permet un mouvement de type roto-translation dudit cadre interne (3), ledit cadre interne (3) pouvant ainsi pivoter puis être translaté le long de l'enveloppe (2) ou pivoter en se translatant le long de ladite enveloppe (2).
摘要翻译：本发明的主题是铰接盒（1），特别是用于假天花板，包括：外壳（2），其由限定四边形的四个侧面（4）形成，其上安装有用于固定到壁上，至少一个由四个轮廓部分（6）形成的内部环绕（3），所述四个轮廓部分（6）连接到所述腹部的基部上，连接所述内部环绕（3）的至少一个铰接件（10）和所述外壳（2）以允许所述内部环绕（3）相对于所述外壳（2）枢转的方式和至少一个封闭件（14）以将所述内部环绕（2）保持在闭合状态所谓的操作位置，所述铰接件（10）包括固定到所述外壳（2）上并且整体垂直于所述内围环（3）的旋转轴线的滑块（11），铰链组件（12））固定到型材部分（6）。所述盒是显着的，因为铰接件（10）包括允许铰链组件（12）沿着滑动件（11）滑动并且允许所述内部围绕件（3）转子平移型的运动的滚动构件（13），所述内围环（3）因此能够沿着外壳（2）枢转然后平移或枢转，同时沿着所述外壳（2）进行平移运动。

4. 发明申请

WO2005093822A1 PROCEDE DE DEPOT PAR EPITAXIE D'UN MATERIAU A BASE DE Si SUR UNE COUCHE DE MATERIAU A BASE DE Si D'UN SUBSTRAT DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR SUR ISOLANT 审中-公开
标题翻译：基于SI的材料在基于绝缘体的半导体基板上的基于SI的材料层上的外延沉积的方法
公开(公告)号：WO2005093822A1
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：PCT/FR2005/050183
申请日：2005-03-22
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , HARTMANN, Jean-Michel , FAYNOT, Olivier , JAHAN, Carine , TOSTI, Lucie
发明人： HARTMANN, Jean-Michel , FAYNOT, Olivier , JAHAN, Carine , TOSTI, Lucie
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/0262 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L29/66628 , H01L29/66772 , H01L29/78687
摘要： Il s'agit d'un procédé de dépôt par épitaxie d'un matériau à base de silicium sur une couche à base de silicium d'un substrat de type semiconducteur sur isolant ultramince. Il comporte une phase de recuit du substrat suivie d'une phase de croissance du matériau à base de silicium. La phase de recuit a lieu à une température de recuit sensiblement inférieure ou égale à 700 °C si la couche à base de silicium du substrat est délimitée et à une température de recuit sensiblement inférieure ou égale à 800°C si la couche à base de silicium du substrat est pleine plaque, la phase de croissance se faisant, au moins au début, à une température de croissance sensiblement inférieure ou égale à 750°C si la couche à base de silicium du substrat est délimitée et à une température de croissance sensiblement inférieure ou égale à 775°C si la couche à base de silicium du substrat est pleine plaque. Application à la fabrication de composants électroniques.
摘要翻译：本发明涉及一种硅基材料外延沉积在属于超绝缘体绝缘体上基板上的硅基层上的方法。本发明的方法由包括基材退火的相，随后是包含硅基材料的生长的相组成。退火阶段在基本上小于或等于700℃的退火温度下进行，如果衬底的硅基层定界或退火温度基本上小于或等于800℃，如果硅基底层包括整个晶片。此外，如果衬底的硅基层被界定或在基本上小于或等于750℃的生长温度下，至少在起始时，在基本上小于或等于750℃的生长温度下进行生长阶段如果衬底的硅基层包括整个晶片，则等于775℃。本发明适用于电子元件的生产。

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