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    • 1. 发明申请
    • SUPPORT DE DISPOSITIF A DIODE ELECTROLUMINESCENTE ORGANIQUE, UN TEL DISPOSITIF A DIODE ELECTROLUMINESCENTE ORGANIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
    • 有机发光二极管装置的支持,这样的有机发光二极管装置和制造装置的方法
    • WO2012028809A1
    • 2012-03-08
    • PCT/FR2011/051972
    • 2011-08-29
    • SAINT-GOBAIN GLASS FRANCELIENHART, FabienZAGDOUN, GeorgesEHRENSPERGER, Marie-Virginie
    • LIENHART, FabienZAGDOUN, GeorgesEHRENSPERGER, Marie-Virginie
    • H01L51/52C03C17/00
    • H01L51/5275C03C17/42H01L51/5036H01L51/5215H01L51/56H05B33/02H05B33/10
    • L'invention concerne un support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) comportant un substrat transparent (1) de premier indice de réfraction optique n1 donné comportant : un réseau (3) diélectrique, sous forme de couche(s) arrangée(s) de manière discontinue composant ainsi un ensemble de motifs (30), dits bas indice, le réseau ayant un deuxième indice de réfraction optique n2 inférieur ou égal à 1,6, les motifs bas indice étant de hauteur submicronique, de largeur moyenne A1 de motifs inférieure ou égale à 6 μηη et avec une distance B1 entre motifs micronique supérieure à la largeur A1, une première électrode (4), avec un troisième indice de réfraction optique n3 donné supérieur ou égal à 1,7, La distance B1 est apériodique. Au moins une fraction d'épaisseur de la première électrode (4) est au-dessus dudit réseau (3), et est en contact avec la surface du réseau (3) la plus éloignée du substrat (1 ) ou est espacée du réseau (3) de motifs bas indice, Le réseau (3) est enterré dans un milieu haut indice (100), donc à l'intérieur du milieu haut indice, le milieu haut indice comprenant la première électrode (4) comme couche(s) la (les) plus éloignée(s) du substrat, le milieu haut indice ayant un quatrième indice de réfraction n4 supérieur ou égal à 1,7. L'invention concerne également le procédé de fabrication d'un tel support.
    • 本发明涉及一种用于有机发光二极管器件(1000)的支撑体(10),其包括具有给定的第一光学折射率n1的透明衬底(1),包括:一个形式的介质光栅(3) 或更多层,以形成所谓的低折射率图案(30)的阵列,所述光栅具有1.6或更小的第二光学折射率n2,低折射率图案的高度为亚微米尺寸, 平均图案宽度A1为6μm以下,微米尺寸图案之间的距离B1大于宽度A1; 和第一电极(4),其给定的第三光学折射率n3为1.7以上。 距离B1是非周期性的。 第一电极(4)的厚度的至少一部分在所述光栅(3)的上方,并且与距离该基板(1)最远的光栅(3)的表面接触或者与光栅 3)低指数模式。 光栅(3)被埋在高折射率介质(100)中,因此在高折射率介质内部,高折射率介质包括第一电极(4),其形式为距离 衬底,第四折射率n4为1.7以上的高折射率介质。 本发明还涉及制造这种载体的方法。