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1. 发明申请

WO2012152753A1 VORRICHTUNG ZUR ERFASSUNG DES SPEKTRUMS ELEKTROMAGNETISCHER STRAHLUNG INNERHALB EINES VORGEGEBENEN WELLENLÄNGENBEREICHS 审中-公开
标题翻译：用于测量电磁辐射的光谱内的给定的波长范围内
公开(公告)号：WO2012152753A1
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：PCT/EP2012/058367
申请日：2012-05-07
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , BURCHARD, Bernd , BUDDE, Wolfram
发明人： BURCHARD, Bernd , BUDDE, Wolfram
IPC分类号： H01L27/146 , G02B5/18 , H01L31/0216 , G01J3/28
CPC分类号： H01L27/14621 , G01J3/04 , G01J3/12 , G01J3/2803 , G01J5/0862 , G01J2003/1213 , G02B5/204 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L31/02162
摘要： Die Vorrichtung zur Erfassung des Spektrums elektromagnetischer Strahlung innerhalb eines vorgegebenen Wellenlängenbereichs ist versehen mit einem Substrat (12), einer oberhalb des Substrats (12) angeordneten ersten Lochmaske (20) aus einem für Strahlung innerhalb des vorgegebenen Wellenlängenbereichs undurchlässigen Material, wobei die erste Lochmaske (20) eine Vielzahl von ersten Fenstern (22) aufweist, einer Vielzahl von in dem Substrat (12) angeordneten und für Strahlung innerhalb bei jeweils einer verschiedenen Wellenlänge des vorgegebenen Wellenlängenbereichs empfindlichen Sensorelementen, und einer oberhalb der ersten Lochmaske (20) angeordneten, zweite Fenster (36) aufweisenden zweiten Lochmaske (32) aus einem für die Strahlung innerhalb des vorgegebenen Welienlängenbereichs undurchlässigen Material. Die zweiten Fenster (36) der zweiten Lochmaske (32) sind überlappend mit den Fenstern der ersten Lochmaske (20) angeordnet und gegenüberliegende Ränder der jeweils zwei sich überlappenden Fenster der beiden Lochmasken (20, 32) definieren die Größe eines jeweils einem Sensorelement zugeordneten Strahlungsdurchlasses (42) zum Durchlassen von Strahlung innerhalb des vorgegebenen Wellenlängenbereichs zu dem unterhalb des Strahlungsdurchlasses (42) angeordneten Sensorelement. Für die Erfassung der Intensität von elektromagnetischer Strahlung bei jeder der mehreren, interessierenden Wellenlängen innerhalb des vorgegebenen Welienlängenbereichs ist mindestens einer der Strahlungsdurchlässe (42) mit einer der jeweils interessierenden Wellenlänge zugeordneten Größe vorgesehen.
摘要翻译：预定波长范围的材料中，第一阴影掩模（内的材料制成不可渗透的对放射线的基片（12），所述第一阴影掩模（20）上方，用于检测给定波长范围内的电磁辐射谱的装置，设置有基板（12），布置在一个 20）包括多个第一窗口（22），布置在多个（在该基板12），并在一个不同的波长的预定波长范围敏感的传感器元件中的每个设置成用于辐射，和一个（上方的第一荫罩20），第二窗口（36），其具有不透预定Welienlängenbereichs材料内的辐射的材料的第二荫罩（32）。第二荫罩的第二窗口（36）（32）被布置成与所述第一荫罩的窗口（20）和所述两个穿孔掩模（20，32），其限定分别分配的传感器元件的辐射通道的尺寸的两个重叠的窗口的相对边缘重叠（42）布置成用于辐射通过所述预定波长区域内的通道（42）的传感器元件下方的辐射。在每个所述多个预定Welienlängenbereichs至少所述辐射孔（42），用提供的相关尺寸每个感兴趣的波长中的一个的一个内的感兴趣的波长的检测电磁辐射的强度的。

2. 发明申请

WO1995024738A1 SEMICONDUCTOR DETECTOR FOR SHORT-WAVE RADIATION AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 审中-公开
标题翻译：半导体探测器对于短波辐射和方法及其
公开(公告)号：WO1995024738A1
公开(公告)日：1995-09-14
申请号：PCT/DE1995000257
申请日：1995-02-24
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , HAASE, Norbert , KALZ, Andreas , HÜBLER, Peter , BUDDE, Wolfram , GOTTFRIED-GOTTFRIED, Ralf
发明人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.
IPC分类号： H01L31/105
CPC分类号： A61N5/06 , G01J1/429 , H01L31/105 , H01L31/113
摘要： A semiconductor detector for short-wave radiation is disclosed, in particular in the UV range, as well as a process for producing the same. Known semiconductor detectors for the UV range have the disadvantage of detecting with considerable difficulty a narrow band of wavelengths in a wavelength range lower than approximately 350 nm. The disclosed semiconductor detector allows on the contrary such radiation to be detected with high sensitivity in a narrow band. The detector consists of a substrate that bears on its front side a semiconductor layer. The substrate and the semiconductor layer are either electrically insulated from each other by an intermediate layer or the substrate itself consists of an insulator. The photodetector components are arranged next to each other in the semiconductor layer as differently doped areas and the active detector volume. The active detector volume extends over the whole thickness of the semiconductor layer, and the thickness of the semiconductor layer is set to correspond to the depth of penetration into said layer of the radiation to be detected. The semiconductor detector may be used for example as a detector of the erythema-causing skin irritability threshold by UV radiation.
摘要翻译：本发明涉及一种在UV范围内对短波辐射的半导体检测器，特别是，和其制备的过程。已知的用于UV范围半导体探测器的缺点在于，特别是敏感的窄带检测的波长范围低于约350nm呈现相当大的困难。在另一方面本发明的半导体检测器允许该辐射具有高灵敏度的窄带检测。它由具有布置在其上的半导体层的前侧的底物。基板和半导体层或者通过中间层彼此隔离电，或者衬底本身是由绝缘体制成。在不同掺杂区的形式，并且被激活的检测体积中的光检测器的半导体层中的成分在横向并排设置，具有在半导体层延伸的整个厚度被激活的检测体积，和半导体层的厚度中待检测对应于所述辐射的穿透深度此层中设置，半导体检测器可以是例如被用作UV-红斑阈值检测器。

3. 发明申请

WO2012000968A1 VORRICHTUNG ZUR ERMITTLUNG DES EINFALLWINKELS EINER STRAHLUNG AUF EINE STRAHLUNGSEINFALLFLÄCHE 审中-公开
标题翻译：设备为辐射点确定入射角辐射事发海域
公开(公告)号：WO2012000968A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/EP2011/060775
申请日：2011-06-28
申请人： ELMOS SEMICONDUCTOR AG , BUDDE, Wolfram , ABAZA, Fikret , GRABNER, Ulf
发明人： BUDDE, Wolfram , ABAZA, Fikret , GRABNER, Ulf
IPC分类号： G01S3/783
CPC分类号： G01S3/7835
摘要： Die Vorrichtung zur Ermittlung des Einfallwinkels einer Strahlung, insbesondere von Licht und vorzugsweise von Sonnenstrahlung, innerhalb eines detektierbaren Strahlungseinfallwinkelbereichs auf eine Strahlungseinfallfläche, ist mit einem Gehäuse (110) versehen, das eine Oberseite (112) mit einer Strahlungseinfallöffnung (114) aufweist, welche von einem Öffnungsrand im Gehäuse (110) begrenzt ist. Ferner weist die Vorrichtung ein in dem Gehäuse (110) angeordnetes strahlungssensitives Bauteil (116) auf, das eine Strahlungseinfallfläche (118) aufweist, die aufgrund der Strahlungseinfallöffnung (114) des Gehäuses (110) zumindest teilweise freiliegt, wobei die Strahlungseinfallfläche (118) bezogen auf die Oberseite (112) des Gehäuses (110) zu dessen Inneren hin um einen Versatz versetzt angeordnet und wobei der Öffnungsrand im Gehäuse (110), der mindestens ein Paar von gegenüberliegenden, Randinnenflächen definierende Randabschnitte (122) aufweist, von der Strahlungseinfallfläche (118) bis zu einer durch den Versatz definierenden Höhe aufragt. Das strahlungssensitive Bauteil (116) weist eine Vielzahl von zwischen dem Paar von Randabschnitten (122) aufeinanderfolgend angeordneten Sensorelementen (120, 130, 132) auf, mittels derer jeweils verschiedene Strahlungseinfallwinkel oder Strahlungseinfallwinkelbereiche innerhalb des detektierbaren Strahlungseinfallwinkelbereichs detektierbar sind. Diejenigen Sensorelemente (130,132), die für Strahlung repräsentativ sind, welche in einer sowohl orthogonal zur Strahlungseinfallfläche (118) verlaufenden als auch in einer die beiden gegenüberliegenden Randabschnitte (122) schneidende Strahlungseinfallebene unter dem jeweils flachsten noch detektierbaren Einfallwinkel einfällt, sind benachbart zu demjenigen Randabschnitt (122) angeordnet, dessen Randinnenfläche der einfallenden Strahlung zugewandt ist.
摘要翻译：用于从太阳辐射确定辐射的入射角，特别是光，优选的可检测辐射入射角范围的放射线入射面内的装置提供有一壳体（110）具有顶部表面（112），其具有的放射线入射开口（114），其通过所述壳体（110）的开口边缘是有限的。此外，其特征在于，所述放射线入射面（118）基于所述设备到壳体（110），其设置是由于至少部分地暴露于所述壳体（110），的放射线入射开口（114）的辐射敏感组分（116），其具有辐射入射面（118）布置在壳体的上表面（112）（110）从内部偏移向的偏移，并且其中所述壳体（110），其具有至少一对相对边缘的内表面限定了边缘部分（122）的开口边缘，（从放射线入射面118 ）到限定水平上升被抵消。对辐射敏感的成分（116）具有多个在一对边缘部分（122）连续地布置的传感器元件（120，130，132）之间，借助该各具有不同的辐射入射角或辐射入射角范围内的可检测的辐射入射角范围可被检测。这些传感器元件（130,132），其是代表其延伸在两个正交的放射线入射面（118）的辐射和在所述两个相对的边缘部分（122）入射相交辐射入射面中的相应的浅仍然入射检测角之间，邻近于该边缘部分布置（122），内表面的面向所述入射辐射的边缘。

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