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1. 发明申请

WO2013075733A1 ELEKTRONISCHE ANSTEUERSCHALTUNG MIT LEISTUNGSTRANSISTOREN SOWIE VERFAHREN ZUR LEBENSDAUER-ÜBERWACHUNG DER LEISTUNGSTRANSISTOREN 审中-公开
标题翻译：与功率晶体管和方法功率晶体管的寿命监测结果电子控制电路
公开(公告)号：WO2013075733A1
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：PCT/EP2011/070594
申请日：2011-11-21
申请人： EBM-PAPST MULFINGEN GMBH & CO. KG , LIPP, Helmut , HAAS, Günter , BÜRKERT, Martin
发明人： LIPP, Helmut , HAAS, Günter , BÜRKERT, Martin
IPC分类号： G01K7/01 , G01R31/26 , H02M1/32
CPC分类号： G01R31/282 , G01R31/2642 , G01R31/42 , H02M7/53875
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektronische Ansteuerschaltung (1) für ein elektrisches Gerät, insbesondere in einer Ausbildung als Kommutierungselektronik (2) eines EC-Motors (M), mit mehreren Leistungstransistoren (T1–T6), die in einem Betriebsmodus zum Ansteuern des Gerätes gesteuert werden. Ein zusätzlicher, gleichartiger, im Betriebsmodus der Leistungstransistoren (T1–T6) unbelasteter Referenztransistor (T test ) ist zusammen mit den Leistungstransistoren (T1–T6) auf einemgemeinsamen Träger oder Substrat angeordnet oder gebildet. Weiterhin sind Mittel zum Beaufschlagen des Referenztransistors (T test ) und mindestens eines der Leistungstransistoren (T1–T6) in einem Testmodus mit jeweils einem Prüfstrom und zum Messen der jeweils zugehörigen Sättigungsspannung (U CE sat ) sowie zum Auswerten einer aus den gemessenen Sättigungsspannungen (U CE sat ) des Referenztransistors (T test ) und des jeweiligen Leistungstransistors (T1–T6) resultierenden Sättigungsspannungsdifferenz unter Berücksichtigung der während der Messung herrschenden Träger-/Substrat-Temperatur als Kriterium für einen Alterungsprozess und eine noch zu erwartende Rest-Lebensdauer der Leistungstransistoren (T1–T6) vorgesehen. Ferner beschreibt die Erfindung ein Verfahren zum Überwachen von Leistungstransistoren (T1–T6) in einer solchen elektronischen Ansteuerschaltung (1) hinsichtlich ihrer zu erwartenden Rest-Lebensdauer.
摘要翻译：本发明涉及一种用于电气装置的电子控制电路（1），特别是在设计换向电子器件（2）EC电机（M），具有多个功率晶体管（T1-T6）的，这是在一个操作模式来控制用于驱动所述装置的是。一个附加的，相似的，在卸载参考晶体管的功率晶体管（T1-T6）（t检验）的操作模式是否与常用的载体或衬底或形成在功率晶体管（T1-T6）布置在一起。此外，用于将所述参考晶体管（t检验），并在测试模式下的功率晶体管（T1-T6）中的至少一个，每一个测试电流和用于测量各个相关联的饱和电压是（UCE饱和）和（饱和UCE），用于从所测量的饱和电压评估参考晶体管（t检验）和相应的功率晶体管（T1-T6）被提供在考虑测量载体/衬底温度作为老化过程的准则和功率晶体管（T1-T6）的静止预期剩余寿命期间存在的所得饱和电压差，此外，本发明描述了相对于它们的预期剩余使用寿命为在这样的电子驱动电路（1）的功率晶体管（T1-T6）的监视的方法。

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