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1. 发明申请

WO2023090957A1 전자빔 어시스티드 스퍼터링 장치 및 그 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2023090957A1
公开(公告)日：2023-05-25
申请号：PCT/KR2022/018367
申请日：2022-11-19
申请人： 주식회사 인포비온
发明人： 김용환
IPC分类号： C23C14/34 , C23C14/35
摘要： 본 발명은 기존의 플라즈마 스퍼터링 장치에 전자 공급 수단으로서 전자빔 공급 모듈을 추가하여 스퍼터링의 공정 압력을 낮추어 줌으로써 증착 박막의 품질을 향상시킬 수 있도록 해주는 전자빔 어시스티드 스퍼터링 장치 및 그 방법을 제공하는데 주된 목적이 있다. 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 전자빔 어시스티드 스퍼터링 장치는, 플라즈마 형성을 위한 공정 가스가 일정 공정 가스 압력으로 충진되어 있는 진공 챔버, 상기 진공 챔버 내에 장착되고 전원이 공급되는 타겟, 상기 타겟의 표면에 형성되는 상기 플라즈마 내에 존재하는 상기 공정 가스의 양이온이 상기 타겟에 강하게 충돌함으로써 스퍼터링되는 타겟 원자가 날아가 증착되는 기판, 및 상기 플라즈마가 형성되는 상기 타겟의 표면을 향해 전자를 공급하는 전자빔 공급 모듈을 포함한다.

2. 发明申请

WO2023090867A1 반사형 블랭크 마스크 및 그 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2023090867A1
公开(公告)日：2023-05-25
申请号：PCT/KR2022/018132
申请日：2022-11-16
申请人： 주식회사 인포비온
发明人： 김용환
IPC分类号： G03F1/24 , G03F1/52 , G03F1/68 , G03F1/38
摘要： 본 발명은 EUV 리소그래피에 사용되는 반사형 블랭크 마스크를 제조함에 있어서 다층 반사막 자체에 전자빔 어닐링 기술을 적용하여 다층 반사막 계면 상에 원소 확산을 유발하지 않으면서도 다층 반사막의 평탄도 등을 향상시켜 블랭크 마스크의 반사도를 향상시킬 수 있는 기술을 제공하는데 그 목적이 있다. 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따른 반사형 블랭크 마스크 제조방법은, 기판 상에 고굴절율층과 저굴절율층이 교대로 주기적으로 적층되어 극자외선 광(EUV 광)을 반사하는 다층 반사막을 가지는 반사형 블랭크 마스크 제조방법에 있어서, 상기 다층 반사막에 전자빔 어닐링 처리를 수행한다.

3. 发明申请

WO2010044558A3 에너지빔 조사를 이용한 실리콘 박막 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2010044558A3
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：PCT/KR2009/005677
申请日：2009-10-05
申请人： 주식회사 인포비온 , 김용환
发明人： 김용환
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/26
摘要： 본 발명의 실리콘 박막 제조방법은, 기판을 제공하는 단계; 상기 기판상에 실리콘 소스를 공급하는 단계; 상기 실리콘 소스를 공급하여 실리콘 박막을 형성함과 동시에 전자빔과 이온빔을 조사하거나, 실리콘 소스를 공급하여 실리콘 박막을 형성한 후 후처리로서 상기 기판상에 전자빔과 이온빔을 조사하는 단계;를 포함한다. 본 발명에 의하여, 상기 공급된 실리콘 소스에 의해 상기 기판상에 실리콘 박막이 증착되면서 상기 조사된 전자빔이 상기 증착중의 실리콘 박막에 에너지를 공급하여 이 실리콘 박막을 증착공정중에(in-situ) 결정화시키거나, 비정질 실리콘 박막이 형성된 후 후처리로서 전자빔과 이온빔을 조사함으로써 결정화시킬 수 있게 된다. 또한, 전자빔을 조사함과 동시에 이온빔을 함께 조사함으로써, 기판 표면에 축적되는 전자빔의 전하가 이온빔의 전하에 의해 중화되도록 하여, 전자빔의 전하들이 기판 표면에 축적되어 불필요한 표면 전류를 형성하는 것을 방지하고 효율적으로 비정질 실리콘 박막을 결정화시킬 수 있게 된다.

4. 发明申请

WO2015126052A1 전도성 나노 와이어를 이용한 투명 도전막의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：使用导电纳米线制造透明导电膜的方法
公开(公告)号：WO2015126052A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/KR2014/012743
申请日：2014-12-23
申请人： 주식회사 인포비온
发明人： 김용환 , 오종석
IPC分类号： H01B13/00
CPC分类号： G06F3/041 , G06F2203/04103
摘要： 본 발명은 전도성 나노 와이어를 이용한 투명 도전막 제조 방법에 관한 것이다. 상기 투명 도전막 제조 방법은, 기판 표면에 전자빔 전처리하여 기판 표면의 접착력을 향상시키는 단계, 기판의 표면에 버퍼층 형성하는 단계, 상기 버퍼층위에 전도성 나노 와이어들을 함유한 잉크 조성물을 코팅하는 단계, 상기 기판으로 전자빔 조사하여 전도성 나노 와이어들을 서로 융착시켜 전도성 나노 와이어 네트워크를 형성하여 전도성 나노 와이어 층을 완성하는 단계를 구비한다. 본 발명은 전자빔 조사하여 전도성 나노 와이어층을 완성함으로써, 전도성 나노 와이어들간의 접착력을 향상시키고, 버퍼층과 전자빔 전처리 과정을 통해 전도성 나노 와이어와 기판과의 밀착력을 향상시켜, 전기 전도성이 우수한 투명 도전막을 제조할 수 있게 된다.
摘要翻译：本发明涉及一种使用导电纳米线制造透明导电膜的方法。制造透明导电膜的方法包括以下步骤：对基板的表面进行电子束预处理，从而提高基板的表面的粘附性; 在所述基板的表面上形成缓冲层; 在缓冲层上形成含有导电纳米线的油墨组合物的涂层; 并向衬底发射电子束，使得导电纳米线彼此热结合，从而形成导电纳米线网络并完成导电纳米线层。根据本发明，通过发射电子束完成导电纳米线层，从而提高导电纳米线之间的粘合性，并且通过缓冲层和电子束预处理工艺改善了导电纳米线与衬底之间的紧密接触程度从而制造具有优异导电性的透明导电膜。

5. 发明申请

WO2010044641A2 빔폭 제어 가능한 전자빔 제공 장치 审中-公开
标题翻译：具有可调光束宽度的电子束发生器
公开(公告)号：WO2010044641A2
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：PCT/KR2009/005985
申请日：2009-10-16
申请人： 주식회사 인포비온 , 김용환
发明人： 김용환
IPC分类号： H01J29/56 , H01J29/54 , H01J37/06
CPC分类号： H01J29/54 , H01J29/56 , H01J2237/06366
摘要： 본 발명은 빔폭 제어가능한 전자빔 제공 장치에 관한 것이다. 상기 전자빔 제공 장치는, 플라즈마를 생성하고 유지하는 플라즈마 생성 챔버; 상기 플라즈마 생성 챔버의 외주면에 배치되어 RF 전원을 제공하는 안테나; 상기 플라즈마 생성 챔버의 출구에 장착되는 1차 그리드; 상기 1차 그리드와 일정 거리 이격되어 배치되는 2차 그리드; 입구 및 출구를 구비하고 내부는 중공부로 이루어지며, 입구가 상기 2차 그리드 측에 배치되어, 상기 입구로 유입된 전자 입자들이 사전에 설정된 빔폭을 갖는 전자빔을 형성하여 출구로 유출되는 빔폭 제어부; 상기 빔폭 제어부의 입구의 외주면을 둘러싸는 형태로 이루어져 빔폭 제어부의 입구의 외주면에 배치되는 RF 차폐링;을 구비한다. 본 발명에 따른 전자빔 제어 장치는 상기 플라즈마 생성 챔버로부터 추출된 전자입자들이 사전에 설정된 빔폭을 갖는 전자빔의 형태로 빔폭 제어부의 출구로 제공된다.
摘要翻译：本发明涉及具有可调光束宽度的电子束发生器。所述电子束发生器包括：产生和维持等离子体的等离子体产生室; 设置在所述等离子体发生室的外周的RF发电天线; 安装在所述等离子体产生室的出口上的主栅格; 放置在远离所述主栅格的固定距离处的次级栅格; 波束宽度控制器，其包括入口，出口和中空的内部，其中入口位于所述次级栅格的侧面，并且通过所述入口引入的电子粒子形成预定波束宽度的电子束，并通过说出口以及设置成围绕所述光束宽度控制器的入口的外圆周设置的RF屏蔽环。在本发明的电子束发生器中，从等离子体发生室排出的电子粒子以预定的光束宽度的电子束的形式被输送到所述光束宽度控制器的出口。

6. 发明申请

WO2010041850A3 전자빔 후처리를 이용한 투명성 산화 전극 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2010041850A3
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/KR2009/005676
申请日：2009-10-05
申请人： 주식회사 인포비온 , 김용환
发明人： 김용환
IPC分类号： H01G9/04
摘要： 본 발명은 전자빔 후처리를 이용한 투명성 산화 전극 제조 방법에 관한 것이다. 상기 투명성 산화 전극 제조 방법은, (a) 기판상에 투명성 산화 전극용 박막을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 투명성 산화 전극용 박막의 표면에 전자빔을 조사하는 단계;를 구비하며, (a) 단계이후 추가의 열처리 공정을 수행하지 않는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 투명성 산화 전극 제조 방법은 후처리로서 고온의 열처리 공정을 수행하지 않고 저온의 전자빔 조사 공정을 수행함으로써, 유리, 파이렉스, 석영 뿐 만 아니라 기판이 열에 약한 폴리머 재질인 경우에도 특성이 우수한 투명성 산화 전극을 제조할 수 있게 된다.

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