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1. 发明申请

WO2010123289A2 금속의 표면처리 방법 审中-公开
标题翻译：用于处理金属表面的方法
公开(公告)号：WO2010123289A2
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：PCT/KR2010/002519
申请日：2010-04-22
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 유봉영 , 신동혁 , 김용민
发明人： 유봉영 , 신동혁 , 김용민
IPC分类号： C25D11/04 , C25D11/30 , C25D11/14
CPC分类号： C25D9/12
摘要： 본 발명은 금속의 표면처리 방법에 관한 것이며, 더욱 자세하게는 전기화학적인 방법으로 금속의 표면을 처리하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 금속의 표면처리 방법은, 바나듐염과 착화제를 포함하는 전해액을 준비하는 단계; 상기 전해액에 금속을 침지하는 단계; 및 상기 금속을 양극으로 하여 전기화학적으로 표면을 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 바나듐 산화물을 산화막에 포함시키는 표면처리 방법을 이용함으로써 금속의 내식성이 향상되며, 검은색 계열의 착색 효과를 얻는 뛰어난 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种处理金属表面的方法，更具体地说，涉及用于处理金属表面的电化学方法。根据本发明的处理金属表面的方法包括以下步骤：制备包含钒盐和络合剂的电解质; 将金属浸入电解液中; 并使用金属作为正极对金属的表面进行电化学处理。通过使用将氧化钒添加到氧化物膜的表面处理方法，本发明获得了提高金属的耐腐蚀性和黑色着色的优异效果。

2. 发明申请

WO2015034118A1 실리콘 기판의 표면 박리 방법 审中-公开
标题翻译：剥离硅基材表面的方法
公开(公告)号：WO2015034118A1
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：PCT/KR2013/008116
申请日：2013-09-09
申请人： 유봉영
发明人： 유봉영 , 이정훈 , 권영임 , 윤상화 , 엄한돈
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/288
CPC分类号： H01L21/02002
摘要： 본 발명은 공정비용이 낮으면서도 저온에서 수행되어 실리콘 박막의 품질을 유지할 수 있는 결정질 실리콘 기판의 박리방법에 관한 것으로서, 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계; 전해 증착(electrodeposition)을 위한 도금욕(bath)을 구성하는 단계; 상기 도금욕을 이용하여 전해 증착공정으로 상기 결정질 실리콘 기판에 스트레스층을 형성하는 단계; 및 상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력에 의하여 상기 결정질 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계를 포함한다. 본 발명의 다른 형태에 의한 결정질 실리콘 기판의 표면 박리방법은, 결정질 실리콘 기판을 준비하는 단계; 상기 결정질 실리콘 기판에 버퍼층을 형성하는 단계; 전해 증착을 위한 도금욕을 구성하는 단계; 상기 도금욕을 이용하여 전해 증착공정으로 상기 버퍼층의 표면에 스트레스층을 형성하는 단계; 및 상기 스트레스층에 잔류하는 전해 증착 응력에 의하여 상기 결정질 실리콘 기판의 표면을 박리하는 단계를 포함하며, 상기 버퍼층에 잔류하는 응력이 상기 스트레스층에 잔류하는 응력보다 작은 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 전해 증착을 이용하여 결정질 실리콘 기판을 박리함으로써, 저비용으로 결정질 실리콘 박막을 제조할 수 있으며, 고온에서 실리콘 박막의 품질이 저하되는 단점을 방지할 수 있는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种剥离晶体硅衬底表面的方法，该方法需要较低的加工成本并且在低温下进行，从而可保持硅薄膜的质量。该方法包括以下步骤：制备晶体硅衬底; 制备电沉积电镀液; 通过使用电镀液电沉积在晶体硅衬底上形成应力层; 并通过残留在应力层上的电沉积应力剥离晶体硅衬底的表面。根据本发明另一实施例的剥离晶体硅衬底表面的方法包括以下步骤：制备晶体硅衬底; 在所述晶体硅衬底上形成缓冲层; 制备电沉积电镀液; 通过使用电镀液电沉积在缓冲层的表面上形成应力层; 并且通过残留在应力层上的电沉积应力剥离晶体硅衬底的表面，其中残留在缓冲层上的应力小于残余在应力层上的应力。本发明可以通过电沉积剥离晶体硅衬底来以低成本制造晶体硅薄膜，并且可以防止在高温下降低薄晶体硅膜质量的缺点。

3. 发明申请

WO2014030779A1 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료의 형성방법 및 이에 의해 제조된 구리재료 审中-公开
标题翻译：用于形成具有纳米二元结构的铜材料的形成方法和生产的铜材料
公开(公告)号：WO2014030779A1
公开(公告)日：2014-02-27
申请号：PCT/KR2012/006678
申请日：2012-08-22
申请人： 한양대학교 에리카산학협력단 , 유봉영 , 서성호 , 진상현
发明人： 유봉영 , 서성호 , 진상현
IPC分类号： C25D3/38 , C25D21/12
CPC分类号： C25D3/38 , C25D5/18 , H05K3/241
摘要： 본 발명은 전해증착을 이용해 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료를 형성하는 방법에 관한 것으로， 황산구리 전해액에 양극과 음극을 침지하는 단계; 및 상기 침지된 양극과 음극에 순방향의 전류를 인가하여 나노쌍정 구조를 포함하는 핵과 결정립을 성장시키는 펄스전류 단계와 역방향의 전류를 인가하여 나노쌍정 구조를 제외한 핵과 결정립을 용해하는 리버스전류 단계를 반복 실시하여 상기 음극 표면에 구리를 전해 증착하는 단계로 구성되며, 상기 리버스펄스 단계에서 나노쌍정 구조의 밀도가 높아지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 전해증착 공정으로 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료를 형성함에 있어서 종래의 방법에 비하여 형성시간을 크게 단축할 수 있는 효과가 있다. 나아가 저렴한 전해증착 공정을 이용하여 나노쌍정 구조가 형성된 구리재료를 빠르게 대량생산할 수 있는 효과가 있다. 최종적으로 전해증착 공정을 통해 대량으로 형성된 나노쌍정 구조 형성 구리를 각종 전자 소자의 배선재료로 사용할 수 있게 되어， 전자 소자의 성능이 향상되는 효과가 있다.
摘要翻译：本发明涉及通过使用电解沉积形成具有纳米双晶结构的铜材料的形成方法，所述方法包括以下步骤：将阳极和阴极浸渍在硫酸铜电解液中; 并通过重复地进行脉冲电流步骤将铜电解沉积到阳极的表面上，其中向浸入的阳极和阴极施加正向电流，以便生长晶粒和包含纳米双晶结构的核和反向电流步骤其中施加反向电流以溶解除了纳米双晶结构之外的晶粒和核，并且在这里，反向脉冲步骤中纳米双晶结构的密度增加。当通过电解沉积工艺形成形成为具有纳米双晶结构的铜材料时，本发明具有与现有方法相比可以显着缩短成型时间的有利效果。此外，通过使用低成本的电解沉积工艺，也可以快速地制造具有纳米双晶结构的铜材料的体积的有益效果。最后，通过电解沉积工艺在体积上形成的纳米双晶结构形式的铜可以用作各种电子元件的布线材料，从而提高电子元件的性能。

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