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1. 发明申请

WO2010013985A2 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 및 제조장치 审中-公开
标题翻译：制造薄膜晶体管阵列基板的方法和装置
公开(公告)号：WO2010013985A2
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：PCT/KR2009/004321
申请日：2009-08-03
申请人： 부경디스플레이 (주) , 이형섭
发明人： 이형섭
IPC分类号： G02F1/136
CPC分类号： H01L27/124 , G02F1/1368 , H01L27/1288
摘要： 본 발명은 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 공정을 단순화시킴과 아울러 공정 시간을 감소시킬 수 있는 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 및 제조장치에 관한 것으로, 레이저 스크라이빙 공정을 이용하여 게이트 패턴을 형성하는 공정; 반도체 패턴을 형성하는 공정; 데이터 패턴을 형성하는 공정; 소스 전극 패턴 및 드레인 전극 패턴 사이에 노출된 오믹 컨택층 패턴을 제거하는 공정; 및 도전 패턴을 형성하는 공정 중 적어도 하나의 공정을 수행하는 것을 포함하여 이루어진 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明涉及用于制造薄膜晶体管阵列基板的方法和装置，其中制造薄膜晶体管阵列基板的工艺可以流线化并且处理时间缩短; 它提供了一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法，该方法由以下至少一种方法组成：使用激光划线技术形成栅极图案的工艺; 形成半导体图案的工序; 形成数据图案的处理; 去除在源极电极图案和漏极电极图案之间暴露的欧姆接触层图案的工艺; 以及形成导电图案的工序。

2. 发明申请

WO2010013984A2 박막 트랜지스터의 제조방법 및 제조장치 审中-公开
标题翻译：用于制造薄膜晶体管的方法和设备
公开(公告)号：WO2010013984A2
公开(公告)日：2010-02-04
申请号：PCT/KR2009/004320
申请日：2009-08-03
申请人： 부경디스플레이 (주) , 이형섭
发明人： 이형섭
IPC分类号： G02F1/136 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66765
摘要： 본 발명은 레이저 패터닝 공정을 통해 오믹 컨택층을 패터닝하여 반도체층의 손상을 방지함과 아울러 공정 시간을 감소시킬 수 있는 박막 트랜지스터의 제조방법 및 제조장치에 관한 것으로, 기판 상에 게이트 전극 패턴을 형성하는 공정; 상기 게이트 전극 패턴상에 게이트 절연막을 형성하는 공정; 상기 게이트 절연막 상 에 반도체층 패턴 및 오믹 콘택층 패턴을 차례로 형성하는 공정; 상기 오믹 콘택층 패턴 상에 소정 간격으로 이격된 소스 전극 패턴 및 드레인 전극 패턴을 형성하는 공정; 및 레이저를 이용하여 상기 소스 전극 패턴 및 드레인 전극 패턴 사이에 노출된 상기 오믹 콘택층 패턴을 제거하는 공정을 포함하여 이루어진 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造薄膜晶体管的方法和设备，所述薄膜晶体管能够防止损伤半导体层并且通过激光图案化工艺图案化欧姆接触层并且减少处理时间，在衬底上形成栅电极图案; 在栅极电极图案上形成栅极绝缘膜; 在所述栅极绝缘膜上顺序地形成半导体层图案和欧姆接触层图案; 在欧姆接触层图案上形成彼此间隔开预定距离的源电极图案和漏电极图案; 本发明提供了一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在所述源极电极图案和所述漏极电极图案之间形成欧姆接触层图案;

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