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1. 发明申请

WO2011064940A1 炭素電極および多結晶シリコン棒の製造装置审中-公开
标题翻译：用于制造多晶硅丝的碳电极和设备
公开(公告)号：WO2011064940A1
公开(公告)日：2011-06-03
申请号：PCT/JP2010/006270
申请日：2010-10-22
申请人：信越化学工業株式会社 , 祢津茂義 , 黒谷伸一 , 小黒暁二 , 久米史高 , 平原勝
发明人：祢津　茂義 , 黒谷　伸一 , 小黒　暁二 , 久米　史高 , 平原　勝
IPC分类号： C01B33/035 , H01L21/203
CPC分类号： C23C16/458 , C01B32/225 , C01B33/035 , C23C16/24
摘要：　本発明は、多結晶シリコン棒の気相成長工程中にあらゆる方位に伸縮しうるＵロッドのひびや割れの発生に対する抑制効果の高い技術を提供する。炭素電極３０の上部電極３１の上面側には、シリコン芯線５ａを保持する芯線ホルダ２０の固定部が設けられている。上部電極３１には、上面３３から下面３４に貫通する孔部（貫通孔）３５が設けられており、棒状の締結部材であるボルト３６がワッシャ３７を介して上部電極３１の上面３３から該孔部３５に挿入され、下部電極３２でネジ止めされて固定されている。孔部３５内におけるボルト３６の直胴部との間の間隙５１は、上部電極３１が下部電極３２の上面との接触面である載置面（図２では上部電極３１の下面３４と接する下部電極３２の上面）の面内での全方位の摺動を可能とするため、気相成長工程中にあらゆる方位に伸縮しうるＵロッドのひびや割れの発生に対する抑制効果を奏することとなる。
摘要翻译：提供了一种用于防止在多晶硅棒的气相沉积期间在每个方向上膨胀和收缩的U形棒的破裂和断裂的发生的高效技术。在碳电极（30）的上部电极（31）的上表面侧设置用于保持硅芯（5a）的芯架（20）的固定部。在上电极（31）上设置有从上表面（33）向下表面（34）贯穿的开口（通孔）（35），作为杆状紧固部件的螺栓（36）通过垫圈（37）从上电极（31）的上表面（33）插入开口（35）中，并通过螺纹紧固到下电极（32）。在开口（35）中的螺栓（36）的直体部周围的空间（51）能够使上电极（31）在作为上电极（31）之间的接触面的配置面的区域内的各个方向上滑动（31）和下电极（32）的上表面，如图2所示，对应于与上部电极（31）的下表面（34）接触的下部电极（32）的上表面。结果，可以有效地防止在气相沉积期间在各个方向上膨胀和收缩的U形棒的破裂和断裂的发生。

2. 发明申请

WO2012008112A1 反応炉洗浄装置および反応炉洗浄方法审中-公开
标题翻译：反应器清洗装置和反应器清洗方法
公开(公告)号：WO2012008112A1
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/JP2011/003802
申请日：2011-07-04
申请人：信越化学工業株式会社 , 黒谷伸一 , 岡田淳一 , 祢津茂義 , 久米史高
发明人：黒谷　伸一 , 岡田　淳一 , 祢津　茂義 , 久米　史高
IPC分类号： C01B33/02
CPC分类号： C01B33/027 , B05B3/06 , B05B3/066 , B05B13/0636 , B08B9/0813 , C01B33/035
摘要：　本発明は、反応炉の内壁面に付着したハロゲン化シランの重合物を確実に除去するとともに、反応炉内壁の所望の領域を重点的に洗浄することを可能とする技術を提供する。垂直軸（２１）の先端部に取り付けられた回転部材（２２）は軸Ｑを中心に自転可能である。ノズル支持体（２３）は軸Ｐを中心に自転可能であり、回転部材（２２）が自転すると軸Ｑを中心に垂直軸（２１）の周りを公転する。ノズル（２４）から洗浄水が高圧噴射されると、その噴射反動力によってノズル支持体（２３）が軸Ｐを中心に自転し、該自転が回転部材（２２）に伝達される。従って、ノズル支持体（２３）が自転すると同時に、回転部材（２２）が自転する。その結果、ノズル支持体（２３）は垂直軸（２１）の周りを自転しながら公転する。このような自公転機構により、ノズル（２４）から高圧噴射される洗浄水が三次元方向に噴射されて反応炉（３０）の内壁（３２）の表面が洗浄される。
摘要翻译：提供了可靠地除去附着在反应器的内壁面上的卤代硅烷聚合物的技术，并且能够以聚焦方式清洗反应器内壁的期望面积。安装到垂直轴（21）的尖端的旋转构件（22）可以以轴线（Q）为中心旋转。喷嘴支撑体（23）能够以轴线（P）为中心旋转，并且当旋转构件（22）旋转时，旋转构件（22）围绕以轴线（Q）为中心的垂直轴（21）。当在高压下从喷嘴24喷射清洗水时，喷嘴支撑体23由于喷射反作用力而以轴线（P）为中心旋转，并且所述旋转传递到旋转构件（22）。因此，旋转构件（22）同时旋转喷嘴支撑体（23）。结果，喷嘴支撑体23围绕垂直轴21旋转。由于这种自转机构，三维地喷射从喷嘴（24）喷射的高压清洗水，从而清洗反应器（30）的内壁（32）的表面。

3. 发明申请

WO2011158404A1 ベルジャー清浄化方法、多結晶シリコンの製造方法、およびベルジャー用乾燥装置审中-公开
标题翻译：用于清洁贝尔罐的方法，用于制造多晶硅的方法和用于干燥贝壳的装置
公开(公告)号：WO2011158404A1
公开(公告)日：2011-12-22
申请号：PCT/JP2011/001319
申请日：2011-03-07
申请人：信越化学工業株式会社 , 黒澤靖志 , 小黒暁二 , 黒谷伸一 , 祢津茂義
发明人：黒澤　靖志 , 小黒　暁二 , 黒谷　伸一 , 祢津　茂義
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： F26B5/042 , B08B3/04 , B08B3/10 , C01B33/035 , C23C16/4407 , F26B5/12 , F28G13/00
摘要：　ベルジャーは、金属性のベルジャー（１）と、このベルジャー（１）を設置するための金属性のベースプレート（２）を備えており、パッキン（３）により容器内部が密閉される。ベースプレート（２）には、ベルジャー（１）の内部圧力のモニタおよびガスの導入及び排気が可能となるように、圧力計（４）、ガス導入ライン（５）、ガス排気ライン（６）、が接続されている。ガス排気ライン（６）の経路には真空ポンプ（７）が設けられており、この真空ポンプ（７）によってベルジャーの内部圧力が水の蒸気圧よりも低くなるように減圧される。真空ポンプ（７）によってベルジャーの内部圧力が水の蒸気圧よりも低くなるように減圧され、これによって効率的に水分の除去が行われ、短時間でベルジャーの乾燥が終了する。本発明により、ベルジャー内表面の清浄度を高めて高純度多結晶シリコンの製造に寄与する技術が提供される。
摘要翻译：钟罩包括金属钟罩（1）和用于将钟罩（1）放置在其上的金属底板（2），其中密封件（3）密封容器的内部。基板（2）与压力计（4），气体引入管线（5）和气体排出管线（6）连接，从而能够监测钟罩（1）的内部压力和引入和排放气体在气体排出管路（6）的路径上设置有真空泵（7），并将钟罩的内部压力降低到低于水的蒸汽压力。真空泵（7）降低了钟罩的内部压力，使其低于水的蒸汽压力，从而有效地除去水并且在短时间内完成钟罩的干燥。因此，提供了通过增加钟罩内表面的清洁度而有助于制造高纯度多晶硅的技术。

4. 发明申请

WO2011045881A1 多結晶シリコン製造用芯線ホルダおよび多結晶シリコンの製造方法审中-公开
标题翻译：用于生产聚硅氧烷的芯线夹和多晶硅生产方法
公开(公告)号：WO2011045881A1
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：PCT/JP2010/004773
申请日：2010-07-27
申请人：信越化学工業株式会社 , 祢津茂義 , 黒谷伸一 , 小黒暁二 , 久米史高
发明人：祢津　茂義 , 黒谷　伸一 , 小黒　暁二 , 久米　史高
IPC分类号： C01B33/035
CPC分类号： C01B33/035 , Y10T29/53796 , Y10T29/53961
摘要：　本発明は、短時間でシリコン芯線と芯線ホルダの接合強度を十分なものとし、その結果、反応初期の成長速度抑制期間を短縮することを可能とする多結晶シリコンの製造手法を提供する。本発明の芯線ホルダ２０は、一方端側が円錐台状の斜面を有する形状とされ、当該端部には開口部２２が設けられ、シリコン芯線５を挿入して保持するための空洞２１が形成されている。シリコン芯線５の表面にはシーメンス法により多結晶シリコン６が気相成長し、多結晶シリコン棒の製造が行われる。開口部２２近傍の円錐台状斜面には、断熱層として、開口部近傍の外周面から空洞２１に向かって環状スリット２３ａ～ｃが形成されている。この環状スリットは、断熱部（断熱層）として作用し、シリコン芯線５あるいは多結晶シリコン６からの伝導熱および輻射熱の金属電極への逃げを抑制し芯線ホルダ２０の一方端側を加熱する。
摘要翻译：提供一种多晶硅的制造方法，能够在短时间内建立硅芯线和芯线保持架之间的充分的接合强度，结果，早期反应阶段的生长速度控制期间缩短。一种在一端具有截锥形倾斜的芯线保持器（20），其中在所述端部形成开口（22），以提供插入和保持硅芯线（5）的中空腔（21）。在硅芯线（5）的表面上，通过西门子工艺气相沉积多晶硅（6），从而形成多晶硅棒。在靠近开口（22）的截锥形斜面中，形成有从开口朝向中空腔（21）的外周面排列的圆形狭缝（23a-23c），作为绝热层。这些圆形狭缝用作绝热部件（绝热层），即防止导电热和辐射热从硅芯线（5）或多晶硅（6）泄漏到金属电极并加热一端的芯线保持架（20）。

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