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1. 发明申请

WO2011077541A1 エピタキシャル成長用テンプレート及びその作製方法审中-公开
标题翻译：外源生长模式及其生产方法
公开(公告)号：WO2011077541A1
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：PCT/JP2009/071541
申请日：2009-12-25
申请人：創光科学株式会社 , 天野浩 , 上山智 , 金明姫 , ペルノシリル , 平野光
发明人：天野　浩 , 上山　智 , 金　明姫 , ペルノ　シリル , 平野　光
IPC分类号： C30B23/02 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/32
CPC分类号： C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/0265 , H01L33/007 , Y10T428/24529
摘要：　サファイア（０００１）基板の表面を、凸部頂部が平坦で所定の平面視パターンとなるように凹凸加工し、前記凹凸加工した前記サファイア（０００１）基板面に、前記凸部頂部のエッジ部を除く平坦面上にＣ＋軸配向したＡｌＮ層が成長するようにＣ軸配向制御を行って、前記凹凸加工で形成された凹部を完全に充填せず、且つ、前記凹部の開口を閉塞しない膜厚の初期ＡｌＮ層を成長させ、前記初期ＡｌＮ層上に、横方向成長法を用いてＡｌｘＧａｙＮ（０００１）層（１≧ｘ＞０，ｘ＋ｙ＝１）をエピタキシャル成長させることにより、前記凹部の上方を、前記凸部頂部の上方から横方向成長した前記ＡｌｘＧａｙＮ（０００１）層で覆い、緻密で平坦な表面の低貫通転位密度化されたエピタキシャル成長用テンプレートを作製する。
摘要翻译：处理蓝宝石（0001）基板的表面以赋予其凹部和突起，使得突起具有平坦的顶部并具有给定的平面视图图案。对赋予了凹凸部的蓝宝石（0001）基板的表面进行c轴取向控制，使得在c +轴方向取向的AlN层在除了边缘之外的突起顶部的平坦面上增长。初始AlN层以这样的膜厚度生长，使得通过用于赋予凹部和突起的处理形成的凹部未被完全填充，并且凹部的开口不闭合。通过外延侧向生长法在初始AlN层上形成Al x Ga y N（0001）层（1 = x> 0，x + y = 1），从而填充位于凹部上方的空间，Al x Ga y N（0001）层横向生长从突起的顶部。因此，产生具有致密和平坦表面以及减少穿透位错密度的外延生长模板。

2. 发明申请

WO2011155010A1 エピタキシャル成長用テンプレートの作製方法及び窒化物半導体装置审中-公开
标题翻译：生产用于外源生长和氮化物半导体器件的模板的方法
公开(公告)号：WO2011155010A1
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：PCT/JP2010/059589
申请日：2010-06-07
申请人：創光科学株式会社 , 金明姫
发明人：金　明姫
IPC分类号： H01L21/205 , C30B25/18 , H01L33/32 , H01S5/323
CPC分类号： H01L21/0243 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01L33/007 , H01S2304/12
摘要：　凸部頂部が平坦で所定の平面視パターンとなるように凹凸加工されたサファイア（０００１）基板面に、凸部頂部のエッジ部を除く平坦面上にＣ＋軸配向したＡｌＮ層が成長するようにＣ軸配向制御を行って、凹部に新たな凹部が形成されるように初期ＡｌＮ層をエピタキシャル成長させ、初期ＡｌＮ層上に、横方向成長法を用いてＡｌＮ（０００１）層からなる第１ＥＬＯ層をエピタキシャル成長させ、新たな凹部の上方に位置する凹部上方領域が、初期ＡｌＮ層の凸部上面から横方向成長した第１ＥＬＯ層によって完全に覆われる前に、第１ＥＬＯ層の成長を停止し、第１ＥＬＯ層上に、横方向成長法を用いてＡｌｘＧａ１－ｘＮ（０００１）層（１＞ｘ＞０）からなる第２ＥＬＯ層をエピタキシャル成長させ、第１ＥＬＯ層の上面から横方向成長した前記第２ＥＬＯ層によって凹部上方領域を完全に覆う。
摘要翻译：公开了一种生产用于外延生长的模板的方法，包括以下步骤：在不规则加工的蓝宝石（0001）衬底表面上执行突起的顶部水平并且由所述工作产生规定的平面视图图案 C轴取向控制，使得C +取向的AlN层在突起的顶部的表面上生长，除了所述顶部的边缘部分外，并外延生长初始AlN层，使得新的凹陷部分形成在凹陷部分; 采用外延横向过度生长，使得还包含AlN（0001）层的第一ELO层在初始AlN层上外延生长; 停止在位于新的凹陷部分的上部的凹陷部分的上部区域之前通过外延横向过度生长从初始AlN层的突起的顶部生长的第一ELO层的生长，被第一ELO层完全覆盖; 采用外延横向过度生长，使得还包括Al x Ga 1-x N（0001）层（使得1> x> 0）的第二ELO层在第一ELO层上外延生长; 并且通过从第一ELO层的上表面通过外延横向生长生长的第二ELO层完全覆盖凹陷部分的上部区域。

3. 发明申请

WO2013133454A1 高い種子収量性を有する環境ストレス耐性植物及びその作製方法审中-公开
标题翻译：具有高籽粒生产力的环境耐受性植物和用于构建它们的方法
公开(公告)号：WO2013133454A1
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：PCT/JP2013/057320
申请日：2013-03-08
申请人：株式会社カネカ , 今井亮三 , 金明姫 , 柳楽洋三 , 田岡直明
发明人：今井　亮三 , 金　明姫 , 柳楽　洋三 , 田岡　直明
IPC分类号： A01H5/00 , A01H1/00 , C12N15/09
CPC分类号： C12N15/8273 , C07K14/415 , C12N15/8261 , C12N15/8271
摘要：本発明は、高い環境ストレス耐性及び種子収量性を有する植物、特に、ポリアデニル酸結合タンパク質（PABN）遺伝子を過剰発現するように遺伝的に改変された、強化された環境ストレス耐性及び種子収量性を有する形質転換植物に関する。
摘要翻译：本发明涉及具有高耐环境胁迫性和高种子生产率的植物。更具体地说，本发明涉及具有增强的抗环境胁迫性和增加的种子生产力的转基因植物，所述转基因植物已被遗传修饰以过表达多聚腺苷酸结合蛋白（PABN）基因。

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