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    • 1. 发明申请
    • 電流センサ
    • 电流传感器
    • WO2013001789A1
    • 2013-01-03
    • PCT/JP2012/004119
    • 2012-06-26
    • 株式会社デンソー酒井 亮輔金原 孝昌車戸 紀博野村 江介
    • 酒井 亮輔金原 孝昌車戸 紀博野村 江介
    • G01R15/20
    • G01R19/0092G01R15/205G01R33/093
    •  導体(90)を流れる電流を測定する電流センサは、センサ基板(10)と、該センサ基板(10)の一面(10a)に形成され、印加磁界によって出力信号が変動する磁電変換素子(20)と、前記センサ基板(10)、及び、前記導体(90)それぞれの周囲を囲むことで、外部と内部とを磁気的に遮蔽する磁気シールド部(30)と、を有する。前記磁電変換素子(20)は、前記センサ基板(10)の形成面(10a)に沿う印加磁界によって出力信号が変動する性質を有する。前記磁気シールド部(30)には、前記磁気シールド部(30)内の磁気飽和を抑制するための空隙(31)が少なくとも1つ形成される。前記センサ基板(10)の形成面(10a)に直交するz方向における、前記空隙(31)の高さ位置と、前記センサ基板(10)の高さ位置とが同一である。
    • 在本发明中,测量在导体(90)中流动的电流的电流传感器设置有:传感器基板(10); 形成在所述传感器基板(10)的一个表面(10a)上的磁电转换元件(20),其输出信号由于施加磁场而波动; 以及围绕所述传感器基板(10)的外周和所述导体(90)的磁屏蔽(30),以从外部将内部磁屏蔽。 磁电转换元件(20)的特征在于,输出信号由于沿着传感器基板(10)的形成表面(10a)施加的磁场而波动。 在磁屏蔽(30)中形成至少一个空间(31),以便抑制磁屏蔽(30)内的磁饱和。 在与传感器基板(10)的形成面(10a)相交的z方向上,空间(31)的高度位置和传感器基板(10)的高度位置相同。